收稿日期

:2002

-

04

-

12

作者簡介

:

陳

強

(

1976

—

)

,

男

,

碩士研究生

1

三相橋式全控整流及單相交流調壓

實驗裝置的研制

陳

強

,

楊

旭

,

王兆安

(

西安交通大學電氣工程學院

,

西安

710049

)

摘

要

:

本文結合具體的三相全控整流電路的研制

,

介紹了以國產集成芯片

K

J004

和

K

J041

為中心的觸發電路的工作過程及主電路的工作過程

,

并介紹了如何只對三相全控整流電路的

主電路稍加改造

,

即可使之成為單相交流調壓電路

,

實現了在一套實驗裝置下做兩套實驗

。

關鍵詞

:

整流電路

;

調壓電路

;

晶閘管

中圖分類號

:

G

484

文獻標識碼

:B

文章編號

:1002

-

4956

(

2002

)

06

-

0035

-

05

1

引言

本文是以西安交通大學電氣學院工業自動化教研室研制的實驗裝置為背景

,

該實驗

裝置是為配合王兆安老師主編的

《電力電子技術》

一書所附的教學實驗而開發的

。

本文介

紹了晶閘管整流電路和單相調壓電路的工作過程

。

1947

年美國著名的貝爾實驗室發明了晶體管

,

引發了電子技術的一場革命

,

從此

,

以

硅二極管為代表的電力電子器件開始應用于電力領域

。

1957

年美國通用電氣公司研制

出了第一只晶閘管

,

晶閘管出現后

,

由于其優越的電氣性能和控制性能

,

使其很快取代了

水銀整流器和旋轉變流機組

,

隨之其應用范圍迅速擴大

。

70

年代后

,

門極可關斷晶閘管

(

GTO

)

、

電力雙極性晶體管

(

BJ

T

)

和電力場效應晶體管

(

Power

2

󰂣

MOSFET

)

等全控型器

件迅速發展

。

80

年代后期

,

以絕緣柵雙極型晶體管

(

IG

B

T

)

為代表的復合型器件異軍突

起

,IG

B

T

是

BJ

T

和

MOSFET

的復合

。

它把

MOSFET

的驅動功率小

、

開關速度快的優點

和

BJ

T

的通態壓降低

、

載流能力大的優點集于一身

,

性能十分突出

,

從而成為現代電力電

子技術的主導器件

。

與

IG

B

T

相對應

,MOS

控制晶閘管

(

MCT

)

和集成門極換流晶閘管

(

IGCT

)

都是

MOSFET

和

GTO

的復合

,

它們也結合了

MOSFET

和

GTO

的優點

。

但目前

在大功率電力電子裝置中

,

由于電壓和電流等級限制了

IG

B

T

和

MOSFET

的應用

,

因而

晶閘管和

GTO

還占據著十分重要的地位

。晶閘管是一種基本電力電子器件

,

學生通過

親自實踐

,

對掌握它的電氣特性

,

和基本電力電子電路的工作原理都大有益處

。

2

三相橋式全控整流電路基本原理

目前在各種整流電路中應用最為廣泛的是三相橋式整流電路

。

如圖

1

所示

:

5

3

中國科技論文

統計源期刊

實

驗

技

術

與

管

理

Vol.

19

No.

6

2002

總結

以上是生活随笔為你收集整理的三相全桥整流电路_三相桥式全控整流电路的全部內容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。

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