ASML公司的EUV光刻機全球獨一份，現在主要是用在7nm及以下的邏輯工藝上，臺積電、三星用它生產CPU、GPU等芯片。馬上內存芯片也要跟進了，SK海力士宣布明年底量產EUV工藝內存。

據報道，SK海力士總裁李石熙日前表示，該公司計劃將于明年下半年開始在利川廠區M16采用EUV光刻機生產第四代（1a nm）DRAM產品。

李石熙表示M16工廠將于今年底建成，明年上半年開始引入制造設備，目前實驗室正在進行準備工作，預計明年開始量產。

對內存來說，它跟CPU邏輯工藝一樣面臨著需要微縮的問題，EUV光刻機可以減少多重曝光工藝，提供工藝精度，從而可以減少生產時間、降低成本，并提高性能。

當然，上EUV工藝的代價也不是沒有，EUV光刻機單價10億元以上，產量還是不如傳統DUV光刻機，意味著初期成本會比較高。

在SK海力士之前，前不久發布的16Gb容量LPDDR5內存已經用上了，帶寬速度為6400Mbps（等價6400MHz），比現款12Gb LPDDR5-5500快了16%。

在16GB的總容量下，允許一秒內傳輸10部5GB高清電影（51.2GB）。

三大內存原廠中，只有美光對EUV工藝不太熱心，不過隨著前兩大廠商上馬EUV工藝，美光后續的想法或許也會改變了。

總結

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