科學家正在努力，希望開發(fā)出下一代數(shù)據(jù)存儲材料，以提高現(xiàn)有存儲速度。

據(jù)英國《自然·物理學》雜志近日發(fā)表的一項研究，一個美國聯(lián)合研究團隊利用層狀二碲化鎢制成了二維（2D）金屬芯片，其厚度僅三個原子，其可代替硅芯片存儲數(shù)據(jù)，且比硅芯片更密集、更小、更快，也更節(jié)能，同時儲存速度提高了100倍之多。

研究人員對二碲化鎢薄層結(jié)構(gòu)施加微小電流，使其奇數(shù)層相對于偶數(shù)層發(fā)生穩(wěn)定的偏移，并利用奇偶層的排列來存儲二進制數(shù)據(jù)。數(shù)據(jù)寫入后，他們再通過一種稱為貝利曲率的量子特性，在不干擾排列的情況下讀取數(shù)據(jù)。

對超薄層進行非常小的調(diào)整，就會對它的功能特性產(chǎn)生很大的影響，而人們可以利用這一知識來設計新型節(jié)能設備，以實現(xiàn)可持續(xù)發(fā)展和更智慧的未來存儲方式。

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總結(jié)

以上是生活随笔為你收集整理的科学家研制2D金属芯片：让储存速度提高100倍的全部內(nèi)容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。

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