很快，臺積電和三星的 5nm 工藝即將量產，與此同時，臺積電和三星的 3nm 工藝也在持續的研發當中。而對于 5nm 及以下工藝來說，都必須依靠 EUV（極紫外）光刻機才能實現。而目前全球只有一家廠商能夠供應 EUV 光刻機，那就是荷蘭的 ASML。

　　目前 ASML 出貨的 EUV 光刻機主要是 NXE:3400B 及改進型的 NXE:3400C，兩者基本結構相同，但 NXE:3400C 采用模塊化設計，維護更加便捷，平均維修時間將從 48 小時縮短到8-10 小時，支持 7nm、5nm。

　　此外，NXE:3400C 的產能也從之前的 125WPH（每小時處理晶圓數）提升到了 175WPH。

　　隨著去年臺積電、三星 7nm EUV 工藝的量產，對于 ASML 的 EUV 光刻機的需求也是快速增長。

　　根據今年 1 月 ASML 發布的 2019 年 Q4 季度及全年財報顯示，2019 年全年營收 118.2 億歐元，同比增長了8%，毛利率從 46% 小幅下滑到了 44.7%，全年凈利潤 25.92 億歐元，維持不變。

　　其中，僅在去年四季度，ASML 就出貨了 8 臺 EUV 光刻機，并收到了 9 臺 EUV 光刻機訂單。全年 EUV 光刻機訂單量達到了 62 億歐元，總計出貨了 26 臺 EUV 光刻機，比 2018 年的 18 臺有了明顯增長，使得 EUV 光刻機的營收占比也從 23% 提升到了 31%。要知道目前一臺 EUV 光刻機的價格可超過 1 億美元。

　　而隨著今年臺積電、三星 5nm 工藝的量產，則對于 EUV 光刻機的需求進一步提高。根據 ASML 預計，2020 年將會交付 35 臺 EUV 光刻機， 2021 年則會進一步提高到 45 臺到 50 臺的交付量。

　　此外，針對后續更為先進的 3nm、2nm 甚至是 1nm 工藝的需求，ASML 也針對性的規劃了新一代的 EUV 光刻機 EXE:5000 系列。

　　據了解，EXE:5000 系列將物鏡系統的 NA（數值孔徑）提升到了 0.55（數字越大越好，上一代的 NXE:3400B/C的 NA 都是 0.33），可實現小于 1.7nm 的套刻誤差，產能也將提升至每小時 185 片晶圓以上，其主要合作伙伴是卡爾蔡司和 IMEC 比利時微電子中心。

　　根據 ASML 公布的信息，EXE:5000 系列光刻機最快在 2021 年問世，不過首發的還是樣機，估計 2022 或者 2023 年左右才能夠量產交付給客戶。

　　而按照目前臺積電的和三星的進度來看，今年會量產 5nm 工藝，而 3nm 工藝雖然目前已有突破，但是可能也要等到 2022 年才會量產。

　　按照三星的規劃，在 6nm LPP 之后，還有 5nm LPE、4nm LPE 兩個節點，隨后進入 3nm 節點，分為 GAE（GAA Early）以及 GAP（GAA Plus）兩代。去年 5 月，三星的 3nm GAE 設計套件 0.1 版本已經就緒，以幫助客戶盡早啟動 3nm 的設計，但是量產應該要等到 2022 年以后了。

　　而臺積電的目標也是在 2022 年量產 3nm 工藝。據了解，目前臺積電的 3nm 進展順利，已經開始與早期客戶進行接觸。而臺積電新投資 6000 億新臺幣的 3nm 寶山廠也于去年通過了用地申請，將于今年正式動工。

總結

以上是生活随笔為你收集整理的面向3nm及以下工艺，ASML新一代EUV光刻机曝光的全部內容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。

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