DFT : Design For Testability

TTR :Test Time Reduction

KGD:?Known Good Die

NAND Flash 芯片測試主要是為了篩選（Screen Out）出Flash陣列、譯碼器、寄存器的失效。

測試流程（Test Flow）

從wafer level，到single component level、module level，定義各項測試的次序，篩選出性能較差和失效的device，需要盡可能達到最好的測試覆蓋率，避免最后出貨的產品中有失效的產品，同時需要減少測試的時間與成本。

Burn-in測試

普遍來說，是為了了解產品的潛在失效分析而在一定條件下（高溫/高電壓/一定濕度）下加速芯片老化，以至于故障提前出現。這種測試側重在封裝相關層面，包括化學和機械等因素。

根據浴盆曲線，產品的早期失效率較高，中間階段比較穩定。為了讓用戶拿到的產品失效率較低，就要通過burn-in測試，剔除有缺陷的產品，讓出貨的產品在出廠前就度過早夭期。為了減少時間，需要進行加速，即在更惡劣的條件下試驗（高溫/高電壓/一定濕度），而且根據理論可以計算出不同條件下的加速因子，根據實際時間計算出等效的時間。

控制測試成本的一個重要方向是提高測試的并行度。

測試機臺在測試一批產品時，必須等待所有產品都完成后，才能開始下一階段的測試。

減少測試時間，主要優化以下兩方面：

1. 寫讀擦時間

2. 數據導入和結果獲取

寫讀擦的時間由芯片特性決定，可以努力的方向在于如何同時對多個chip或block進行操作。

如果芯片可以自己生成測試數據，就可以節約數據輸入的時間，這點可以通過DFT實現。如果可以直接得到測試成功失敗的信息，不需要將原始的數據傳輸到測試機上，也可以節約大量時間。

參考?

Inside NAND Flash Memories

總結

以上是生活随笔為你收集整理的NAND Flash 芯片测试的全部內容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。

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