圖1

當摻雜5價磷的N型半導體和摻雜3價硼的P型半導體碰到一塊時，N型半導體中的電子會擴散向P區，如圖1，?擴散發生后，便會在交界處形成“空間電荷區”，空間電荷區中有電荷嗎，答案是肯定的，在擴散平衡后，越靠近中線的N區，電子濃度越小，也就是在圖一中，越向右電子濃度越高，越向左，電子濃度越低，空穴濃度越高，此時人為定義在n區電子濃度小于某個濃度的左側和p區空穴濃度小于某一濃度的右側為空間電荷區，即耗盡層。無論是電子還是空穴，其濃度都是逐漸變化的，是“模擬的”。在空間電荷區中，越靠近中間，電場越大，越靠近兩側，電場越小。所有空間電荷區的電勢變化并不是直線。實際上根據半導體物理器件，pn節內電場強度變化為直線，故電勢變化為二次函數關系。

圖2 圖3
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?如圖2，當PN結接正向電壓時，外電源從p區抽取電子，將電子再送回n區，這時，從pn結內部看，擴散運動產生的內電勢被削弱了，因此，需要更多的擴散運動來補充，故電流持續不斷地流過。

如圖3，當PN結接反向電壓時，外電源從n區抽取電子，將電子再送回p區，這相當于什么，相當于擴散運動通過外電源進行了，從pn結內部看，多子濃度整體減小，故耗盡層加寬。使得電流增大的只有少子飄移運動，故電流很小。

齊納擊穿：

（1）課本解釋：在高摻雜的情況下,因耗盡層寬度很窄，不大的反向電壓就可在耗盡層形成很強的電場，而直接破壞共價鍵，使價電子脫離共價鍵束縛，產生電子 -空穴對，致使電流急劇增大，這種擊穿稱為齊納擊穿。

（2）自我理解：摻雜濃度較高時，耗盡層為什么就窄，既然窄了，那么就可以想，擴散運動和飄移運動相比，后者對濃度（長度？）更敏感。下面繼續，加反向電壓后，外界源幫助了擴散運動，擴散運動就想到于更強，就會產生更強的電場。故。

雪崩擊穿：

（1）課本解釋：。當反向電壓增加到較大數值時，耗盡層的電場使少子加快漂移速度，從而與共價鍵中的價電子相碰撞，把價電子撞出共價鍵，產生電子-空穴對。新產生的電子與空穴被電場加速后又撞出其它價電子，載流子雪崩式地倍增，致使電流急劇增加 ，這種擊穿稱為雪崩擊穿。

（2）自我理解：

總結

以上是生活随笔為你收集整理的PN结——“耗尽层”？的全部內容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。

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