三極管

• 基區寬度調制效應(厄利效應)
  放大區，輸出電流隨著基極和發射極之間的電壓向上略微偏移；與溝道長度調制效應相似

MOSFET

• 溝道長度調制效應
  飽和電流隨著漏源電壓的增大而向上略微偏移
• 體效應
  閾值電壓隨著襯底電壓電壓的較小而增大
• 亞閾值導電性(背柵效應)
  柵源電壓小于閾值電壓時，漏極電流與柵源電壓成指數關系
• 穿通效應
  漏源電壓很大，使得耗盡層達到源極周圍，漏電流急劇增大
• 閂鎖效應
  寄生雙極性晶體管互相提供基極電流，形成正反饋直到短路

總結

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