以下為一個反相器，左邊為nmos，右邊為pmos。

pmos是做在N-well中的，在N-well中會形成PNP三極管。

NPN的發射極：nmos的N+注入層，基極：p-sub，集電極：pmos的n-well

nmos連接p-sub襯底，會形成NPN三極管。

NPN的發射極：pmos的P+注入層，基極：n-well，集電極：p-sub

在p-sub和n-well中分別存在兩個電阻，襯底電阻Rs和n-well阱電阻Rw。兩個電阻與npn和pnp形成回路，如下圖：圖中R2為n-well電阻，R1為p-sub電阻。

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當上面回路中的某一個三極管發生正偏時，就會發生構成正反饋形成閂鎖。

觸發條件：電源或地線突然出現一個大的電流脈沖。

例如：當vdd出現的電流脈沖使R2上的壓降大于0.7V，導致PNP導通，電流流過R1，使R1的壓降大于0.7V，使得NPN管導通。NPN導通后使得一個較大的電流流過R2，R2形成的壓降更大，進一步使PNP導通。形成正反饋。

集成電路版圖中解決閂鎖效應方法：

1.將NMOS和PMOS的阱進行分離，這樣就會使三極管無法正正偏，從而無法形成閂鎖。

2.在NMOS和PMOS之間使用SUB進行隔離，盡量將隔離SUB做寬一些，多打一些孔，這樣隔離效果更好。

3.讓襯底盡量挨近mos管放，為了避免阱臨近效應，減小襯底和N阱的寄生電阻。

總結

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