内存,RAM(DDR),ROM(EEPROM、flash),存储卡(emmc,sd,tf)以及Cache的区别与联系
參考:內(nèi)存,RAM,ROM,Cache的區(qū)別與聯(lián)系
作者:一只青木呀
發(fā)布時(shí)間:2020-09-26 09:55:40
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參考:EEPROM和flash的區(qū)別
作者:yuanlulu
發(fā)布時(shí)間:2011-01-25 15:09:00
網(wǎng)址:https://blog.csdn.net/yuanlulu/article/details/6163106
參考:emmc,sd,tf,flash等各種存儲(chǔ)卡的特點(diǎn)和區(qū)別
作者:亓磊
地址:https://blog.csdn.net/u011729865/article/details/119246233
目錄
- 1、內(nèi)存
- 2、RAM
- 3、ROM
- 4、Cache
- 5、RAM和ROM的區(qū)別
- 6、硬盤與內(nèi)存的區(qū)別與聯(lián)系
- 7、EEPROM和flash的區(qū)分
- 歷史由來(lái)
- 狹義的EEPROM:
- 廣義的EEPROM(flash):
- ROM和RAM總結(jié)
- DDR發(fā)展歷史
- 8、存儲(chǔ)卡
- SD和TF卡
- MMC卡
- EMMC和ufs
- flash
1、內(nèi)存
內(nèi)存在電腦中起著舉足輕重的作用。內(nèi)存一般采用半導(dǎo)體存儲(chǔ)單元,包括隨機(jī)存儲(chǔ)器(RAM),只讀存儲(chǔ)器(ROM),以及高速緩存(CACHE)。
2、RAM
RAM:隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(random access memory),又稱作“隨機(jī)存儲(chǔ)器”,是與CPU直接交換數(shù)據(jù)的內(nèi)部存儲(chǔ)器,也叫主存(內(nèi)存)。可以隨時(shí)讀寫,而且速度很快,通常作為操作系統(tǒng)或其他正在運(yùn)行中的程序的臨時(shí)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)媒介。當(dāng)電源關(guān)閉時(shí)RAM不能保留數(shù)據(jù)。如果需要保存數(shù)據(jù),就必須把它們寫入一個(gè)長(zhǎng)期的存儲(chǔ)設(shè)備中(例如硬盤)。我們通常購(gòu)買或升級(jí)的內(nèi)存條就是用作電腦的內(nèi)存,內(nèi)存條(SIMM)就是將RAM集成塊集中在一起的一小塊電路板,它插在計(jì)算機(jī)中的內(nèi)存插槽上,以減少RAM集成塊占用的空間。
3、ROM
ROM:只讀存儲(chǔ)器。 在制造ROM的時(shí)候,信息(數(shù)據(jù)或程序)就被存入并永久保存。這些信息只能讀出,一般不能寫入,即使機(jī)器掉電,這些數(shù)據(jù)也不會(huì)丟失。ROM一般用于存放計(jì)算機(jī)的基本程序和數(shù)據(jù),如BIOS ROM。ROM所存數(shù)據(jù),一般是裝入整機(jī)前事先寫好的,整機(jī)工作過(guò)程中只能讀出,而不像隨機(jī)存儲(chǔ)器那樣能快速地、方便地加以改寫。ROM所存數(shù)據(jù)穩(wěn)定,斷電后所存數(shù)據(jù)也不會(huì)改變, 其物理外形一般是雙列直插式(DIP)的集成塊。
4、Cache
Cache:高速緩沖存儲(chǔ)器,也是我們經(jīng)常遇到的概念,它位于CPU與內(nèi)存之間,是一個(gè)讀寫速度比內(nèi)存更快的存儲(chǔ)器。當(dāng)CPU向內(nèi)存中寫入或讀出數(shù)據(jù)時(shí),這個(gè)數(shù)據(jù)也被存儲(chǔ)進(jìn)高速緩沖存儲(chǔ)器中。當(dāng)CPU再次需要這些數(shù)據(jù)時(shí),CPU就從高速緩沖存儲(chǔ)器讀取數(shù)據(jù),而不是訪問(wèn)較慢的內(nèi)存,當(dāng)然,如需要的數(shù)據(jù)在Cache中沒(méi)有,CPU會(huì)再去讀取內(nèi)存中的數(shù)據(jù)。
5、RAM和ROM的區(qū)別
一般來(lái)說(shuō)會(huì)比較難以理解RAM與ROM和平時(shí)所說(shuō)的運(yùn)行內(nèi)存和硬盤容量有什么關(guān)系,其實(shí)從一般意義上來(lái)說(shuō)是一樣的,但從計(jì)算機(jī)和手機(jī)的角度來(lái)說(shuō)又有一些區(qū)別:
從電腦來(lái)說(shuō)一般比較好理解,RAM就是我們平時(shí)所說(shuō)的運(yùn)行內(nèi)存,它的確是隨時(shí)可讀寫的。因?yàn)镃PU處理的數(shù)據(jù)都是以運(yùn)行內(nèi)存為中介的。斷電后信息是不保存的。那么對(duì)于ROM來(lái)說(shuō),是不是就是硬盤呢?不是說(shuō)ROM只可以讀嗎?硬盤卻是可以修改的。的確,必須明確一點(diǎn),RAM與ROM都是內(nèi)存,而硬盤是外存,所以ROM不等于硬盤。計(jì)算機(jī)中的ROM主要是用來(lái)存儲(chǔ)一些系統(tǒng)信息,或者啟動(dòng)程序BIOS程序,這些都是非常重要的,只可以讀一般不能修改,斷電也不會(huì)消失。
RAM和ROM相比,兩者的最大區(qū)別是RAM在斷電以后保存在上面的數(shù)據(jù)會(huì)自動(dòng)消失,而ROM不會(huì)自動(dòng)消失,可以長(zhǎng)時(shí)間斷電保存。
在手機(jī)里面,RAM就是跟電腦一樣的運(yùn)行內(nèi)存一樣;而ROM就跟硬盤掛上鉤了,手機(jī)中的ROM有一部分用來(lái)存儲(chǔ)系統(tǒng)信息,還有一些裝機(jī)軟件,剩余的大部分容量都是就是拿來(lái)作為硬盤用的,可讀可寫。
6、硬盤與內(nèi)存的區(qū)別與聯(lián)系
硬盤與內(nèi)存的區(qū)別是很大的,最主要的三點(diǎn):
- 一、內(nèi)存是計(jì)算機(jī)的工作場(chǎng)所,硬盤用來(lái)存放暫時(shí)不用的信息。
- 二、內(nèi)存是半導(dǎo)體材料制作,硬盤是磁性材料制作。
- 三、內(nèi)存中的信息會(huì)隨掉電而丟失,硬盤中的信息可以長(zhǎng)久保存。
內(nèi)存與硬盤的聯(lián)系:
內(nèi)存與硬盤的聯(lián)系也非常密切,這里只提一點(diǎn):硬盤上的信息永遠(yuǎn)是暫時(shí)不用的,要用嗎?請(qǐng)裝入內(nèi)存!CPU與硬盤不發(fā)生直接的數(shù)據(jù)交換,CPU只是通過(guò)控制信號(hào)指揮硬盤工作,硬盤上的信息只有在裝入內(nèi)存后才能被處理。內(nèi)存就是存儲(chǔ)程序以及數(shù)據(jù)的地方,比如當(dāng)我們?cè)谑褂肳PS處理文稿時(shí),當(dāng)你在鍵盤上敲入字符時(shí),它就被存入內(nèi)存中,當(dāng)你選擇存盤時(shí),內(nèi)存中的數(shù)據(jù)才會(huì)被存入硬(磁)盤。
內(nèi)存與儲(chǔ)存的差別:
內(nèi)存與儲(chǔ)存的差別:大多數(shù)人常將內(nèi)存 (Memory)與儲(chǔ)存空間 (Storage) 兩個(gè)名字混為一談,尤其是在談到兩者的容量的時(shí)候。內(nèi)存是指 (Memory) 計(jì)算機(jī)中所安裝的隨機(jī)存取內(nèi)存的容量,儲(chǔ)存 (Storage) 是指計(jì)算機(jī)內(nèi)硬盤的容量。從計(jì)算機(jī)的體系結(jié)構(gòu)來(lái)講,硬盤應(yīng)當(dāng)是計(jì)算機(jī)的“外存”。內(nèi)存應(yīng)當(dāng)是計(jì)算機(jī)內(nèi)部(在主板上)的一些存儲(chǔ)器,用來(lái)保存CPU運(yùn)算使用過(guò)程中的中間數(shù)據(jù)和計(jì)算結(jié)果,當(dāng)不用這些數(shù)據(jù)時(shí),它們被保存在硬盤上。在計(jì)算機(jī)業(yè)界,內(nèi)存這個(gè)名詞被廣泛用來(lái)稱呼 RAM( 隨機(jī)存取內(nèi)存 )。
以上就是關(guān)于ROM,RAM,運(yùn)行內(nèi)存,硬盤的一些區(qū)別
7、EEPROM和flash的區(qū)分
存儲(chǔ)器分為兩大類:ram和rom。
ram就不講了,今天主要討論rom。
歷史由來(lái)
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rom最初不能編程,出廠什么內(nèi)容就永遠(yuǎn)什么內(nèi)容,不靈活。
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后來(lái)出現(xiàn)了prom,可以自己寫入一次,要是寫錯(cuò)了,只能換一片,自認(rèn)倒霉。
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人類文明不斷進(jìn)步,終于出現(xiàn)了可多次擦除寫入的EPROM,每次擦除要把芯片拿到紫外線上照一下,想一下你往單片機(jī)上下了一個(gè)程序之后發(fā)現(xiàn)有個(gè)地方需要加一句話,為此你要把單片機(jī)放紫外燈下照半小時(shí),然后才能再下一次,這么折騰一天也改不了幾次。
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歷史的車輪不斷前進(jìn),偉大的EEPROM出現(xiàn)了,拯救了一大批程序員,終于可以隨意的修改rom中的內(nèi)容了。
EEPROM的全稱是“電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器”,即Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory。是相對(duì)于紫外擦除的rom來(lái)講的。但是今天已經(jīng)存在多種EEPROM的變種,變成了一類存儲(chǔ)器的統(tǒng)稱。
狹義的EEPROM:
這種rom的特點(diǎn)是可以隨機(jī)訪問(wèn)和修改任何一個(gè)字節(jié),可以往每個(gè)bit中寫入0或者1。這是最傳統(tǒng)的一種EEPROM,掉電后數(shù)據(jù)不丟失,可以保存100年,可以擦寫100w次。具有較高的可靠性,但是電路復(fù)雜/成本也高。因此目前的EEPROM都是幾十千字節(jié)到幾百千字節(jié)的,絕少有超過(guò)512K的。
廣義的EEPROM(flash):
flash屬于廣義的EEPROM,因?yàn)樗彩请姴脸膔om。但是為了區(qū)別于一般的按字節(jié)為單位的擦寫的EEPROM,我們都叫它flash。
flash做的改進(jìn)就是擦除時(shí)不再以字節(jié)為單位,而是以塊為單位,一次簡(jiǎn)化了電路,數(shù)據(jù)密度更高,降低了成本。上M的rom一般都是flash。
flash分為nor flash和nand flash。nor flash數(shù)據(jù)線和地址線分開(kāi),可以實(shí)現(xiàn)ram一樣的隨機(jī)尋址功能,可以讀取任何一個(gè)字節(jié)。但是擦除仍要按塊來(lái)擦。
nand flash同樣是按塊擦除,但是數(shù)據(jù)線和地址線復(fù)用,不能利用地址線隨機(jī)尋址。讀取只能按頁(yè)來(lái)讀取。(nandflash按塊來(lái)擦除,按頁(yè)來(lái)讀,norflash沒(méi)有頁(yè))
由于nandflash引腳上復(fù)用,因此讀取速度比nor flash慢一點(diǎn),但是擦除和寫入速度比nor flash快很多。nand flash內(nèi)部電路更簡(jiǎn)單,因此數(shù)據(jù)密度大,體積小,成本也低。因此大容量的flash都是nand型的。小容量的2~12M的flash多是nor型的。
使用壽命上,nand flash的擦除次數(shù)是nor的數(shù)倍。而且nand flash可以標(biāo)記壞塊,從而使軟件跳過(guò)壞塊。nor flash 一旦損壞便無(wú)法再用。
因?yàn)閚or flash可以進(jìn)行字節(jié)尋址,所以程序可以在nor flash中運(yùn)行。嵌入式系統(tǒng)多用一個(gè)小容量的nor flash存儲(chǔ)引導(dǎo)代碼,用一個(gè)大容量的nand flash存放文件系統(tǒng)和內(nèi)核。
ROM和RAM總結(jié)
詳解ROM和RAM
DDR發(fā)展歷史
NXP(I.MX6uLL)DDR3實(shí)驗(yàn)——DDR發(fā)展歷史
8、存儲(chǔ)卡
現(xiàn)在手機(jī)常用的,應(yīng)該是emmc,即內(nèi)部存儲(chǔ)介質(zhì)是nand flash。
ufs比emmc,讀寫速度要快一倍;兩者關(guān)系猶如固定硬盤相比機(jī)械硬盤。
SD和TF卡
- SD是基于mmc協(xié)議,增加了安全特性;
- SD卡是Secure Digital Card的英文縮寫,直譯就是“安全數(shù)字卡”。
- TF卡即是T-Flash卡,又叫micro SD卡,即微型SD卡。
- 卡的大小不同,SD卡 比TF卡的尺寸要大。應(yīng)用于不同產(chǎn)品,SD卡一般都用在大一些的電子設(shè)備:如電腦,相機(jī),AV等器材,而TF一般用在手機(jī)上。
- 運(yùn)行在25M的頻率上,數(shù)據(jù)帶寬是4位,因此最大傳輸速率是12.5MHz(12.5兆字節(jié)每秒)
MMC卡
- MMC卡(MultiMediaCard)縮寫,即多媒體卡,也是一種非易失性存儲(chǔ)器件,體積小巧,容量大,耗電量低,傳輸速度快。
MMC共有7個(gè)pin,分為兩種模式,分別為MMC模式和SPI模式。
尺寸:24mm32mm14mm - MMC卡時(shí)鐘頻率是20MHz,比SD卡少兩個(gè)PIN,只有一位數(shù)據(jù)帶寬,所以最大傳輸速率為2.5MHz。
EMMC和ufs
- eMMC(embedded multi media card)為MMC協(xié)會(huì)所訂立的、主要是針對(duì)手機(jī)或平板電腦等產(chǎn)品的內(nèi)嵌式存儲(chǔ)器標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格。eMMC的一個(gè)明顯優(yōu)勢(shì)是在封裝中集成了一個(gè)控制器,它提供標(biāo)準(zhǔn)接口并管理內(nèi)存,使得是手機(jī)廠商就能專注于產(chǎn)品開(kāi)發(fā)的其他部分,并縮短向市場(chǎng)推出產(chǎn)品的時(shí)間,
- eMMC=NAND flash+controller+standard interface
世上現(xiàn)有nand flash,作為存儲(chǔ)芯片,接口標(biāo)準(zhǔn)不唯一,另外有些接口不穩(wěn)定;
然后有公司把nand flash包了一層,把接口標(biāo)準(zhǔn)化,出現(xiàn)了emmc協(xié)議。 - eMMC使用并行數(shù)據(jù)傳輸,且為半雙工,不能同時(shí)讀寫。
- eMMC5.1讀取速度在600MB/S左右,UFS2.0則達(dá)到了1400MB/S的速度。可以理解為手機(jī)里的機(jī)械硬盤和固態(tài)硬盤。
flash
- nand flash,讀取速度慢(寫入速度相比nor flash來(lái)說(shuō),稍快),容量大,價(jià)格低;
NAND Flash 沒(méi)有采取內(nèi)存的隨機(jī)讀取技術(shù),它的讀取是以一次讀取一塊的形式來(lái)進(jìn)行的, 通常是一次讀取 512 個(gè)字節(jié),采用這種技術(shù)的 Flash 比較廉價(jià)。用戶 不能直接運(yùn)行 NAND Flash 上的代碼,因此好多使用 NAND Flash 的開(kāi)發(fā)板除了使用 NAND Flah 以外,還作上了 一塊小的 NOR Flash 來(lái)運(yùn)行啟動(dòng)代碼。 - nor flash,讀取速度快,容量小,價(jià)格貴,可執(zhí)行;
NOR Flash 的讀取和我們常見(jiàn)的 SDRAM 的讀取是一樣,用戶可以直接運(yùn)行裝載在 NOR FLASH 里面的代碼,這樣可以減少 SRAM 的容量從而節(jié)約了成本。
nor flash的接口,跟sram一樣,可以直接地址訪問(wèn),所以指令存儲(chǔ)在nor flash里,可以直接執(zhí)行;nand flash的接口,需要滿足協(xié)議要求,讀取方式跟sram不一樣,所以不能直接執(zhí)行。
總結(jié)
以上是生活随笔為你收集整理的内存,RAM(DDR),ROM(EEPROM、flash),存储卡(emmc,sd,tf)以及Cache的区别与联系的全部?jī)?nèi)容,希望文章能夠幫你解決所遇到的問(wèn)題。
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