晶闸管简单介绍
晶閘管簡單介紹
晶閘管由按順序排列的PNPN四層半導體組成。像二極管一樣,最外層的P區和N區構成了晶閘管的正極與負極。此外,中間的P區構成了晶閘管的控制極(柵極),可以控制晶閘管導通。
晶閘管反向偏置,則有兩個PN結承受反向電壓。當晶閘管承受正向電壓時,如果柵極與陰極之間沒有接正電壓,則中間的PN結承受全部電壓。晶閘管的內部結構、等效電路、符號和伏安特性曲線如下圖所示:
當晶閘管承受正向電壓時,在柵極和陰極之間接入的正電壓如果能夠產生足夠大的電流,使中間的PN結得到足夠多的載流子而導通,則晶閘管也就導通。當晶閘管導通時,由于負載電流的存在,使得中間的PN結可以得到足夠的載流子,因此即使關斷柵極電壓,晶閘管也能夠繼續維持導通狀態。所以要關斷晶閘管必須使它流過的電流小于維持電流Ih,稱這種現象為“閉鎖”。
由上圖中晶閘管的等效電路也可以解釋:NPN型晶體管一旦被一個正的電壓或電流脈沖導通,就給NPN型的晶體管提供了基極電流。這樣反過來它也給PNP型的晶體管提供了基極電流,因此即使沒有觸發電壓,兩個晶體管都保持導通狀態,即晶閘管導通。
如果晶閘管承受的正向電壓Ubo超過中間PN結的擊穿電壓,晶閘管也會導通,但這種情況在晶閘管常規應用中不常發生。
目前也有了柵極可關斷晶閘管(GTO),集成柵極換流晶閘管(IGCT)和光觸發晶閘管(LTT)。
總結
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