在可控整流電路中，為使晶閘管在要求時刻導通，觸發電路必須在每個正半波準確提供相同控制角觸發脈沖串，而且控制角大小又可以人為調節，才能實現可控的目的。
觸發電路種類繁多，此處介紹單結晶體管觸發電路。

單結晶體管結構

• 基片：低電子濃度（兩基極之間上下阻值很高，電流很小）、高電阻率的N型硅片，上下兩端引出第二、第一基極（雙基二極管），
• 硅片靠近上部燒結一片空穴濃度很高的P型硅片，引出發射極。
• 管子一共三個電極，一個PN結，稱為單結晶體管。
• 下段電阻R_B1所得的電壓與兩基極之間電壓的比值稱為分壓比。約0.5~0.9
• 使用時在發射極和第一基極之間加一個可調的正電壓，將引起發射極電流，發射極電流和發射極電壓之間的函數關系叫單結晶體管伏安特性。
• 當發射極電壓為第一基極電壓+0.6V時，PN結導通，此時發射極電壓叫做峰點電壓，對應的電流叫做峰點電流。
• PN結導通后，P片高濃度空穴注入N片第一基極位置，使第一基極位置的載流子濃度增加，電阻率減小，第一基極的電阻R_B1隨即變小，出現伏安特性下降段的負阻區（電流增大，電壓反而減小）。
• 發射極電壓跌至最低的數值叫做谷點電壓U_V，對應的電流叫做谷點電流，單結晶體管工作在谷點時，表明P區注入N區的載流子濃度達到極限，R_B1阻值降低到最小值了，此時如果發射極外部電路提供不了谷點電流，則R_B1增大使U_B1增大，PN結反偏關斷。

單結晶體管震蕩電路

• U_g為輸出電壓，由于單結晶體管兩基極電阻很大，則R₁上邊的壓降可以忽略不計，輸出電壓為零。
• 接通電源后，電源為電容C充電以后，電容電壓不斷上升，當達到單結晶體管發射極峰點電壓時，發射極和第一基極之間的PN結導通，電容對R_B1、R₁放電，電流注入R_B1然后其阻值迅速下降，這樣C僅通過R₁放電。R₁的電阻值遠遠小于電阻R，所以充電比放電要慢，當隨著放電電壓下降到谷點電壓時，提供不了谷點電流給單結晶體管，又電源提供給第一基極的電壓U_B1高于發射極電壓，PN結反偏關斷。電容由R再度充電，產生第二次觸發，如此循環反復，便在R1上輸出周期性脈沖串。于是在R₁上形成尖峰型脈沖電壓。（b圖下電壓U_g）
• 改變可調電阻R的阻值，可以改變充電時間常數，從而改變脈沖周期，把電阻R1換成揚聲器，調節R阻值使發出類似蝙蝠的叫聲，可作為驅蚊器使用。此處為晶閘管觸發電路。

單結晶體管觸發的可控整流電路

圖中下半部分是半控橋整流電路，上部分為單結晶體管觸發電路.

單結晶體管的電源不是采用直流電源，而是由降壓變壓器二次側經橋式整流后，再用穩壓管限幅，削區整流波的波頂部分，從而得到一個個梯形波。

以此作為單結晶體管電源，其目的是使單結晶體管振蕩器在每個梯形波結束時刻，由于電源電壓為零，使電容上電壓亦為零，在下一個梯形波開始時刻，電容c均是從零壓開始充電到峰點電壓，因而每個梯形波所產生的第一個脈沖所需要的時間均相同，而梯形波過零時刻與晶閘管電壓過零時刻是相同的，故而第一個觸發脈沖的控制角均相同，這樣輸出電壓波形中晶閘管在每個半波內的導通角相同，這稱為同步觸發。

盡管在每個梯形波期間內，振蕩器還會產生多個脈沖，但晶閘管受第一個脈沖觸發導通后，以后的脈沖均不起作用。

改變電位器RP的值，可改變電容充電的快慢，從而控制每個梯形波第一個脈沖出現的時刻，達到調節整流電壓的目的，單結晶體管產生的脈沖同時觸發兩個晶閘管的門極，在某個半波時，其中一個晶閘管正偏則觸發導通，另一個晶閘管反偏雖然觸發但不能導通。

用一個晶體管代替可調電阻，利用改變晶體管基極電流能改變其等效電阻的原理。把手控方式改為電壓控制方式。

圖中V2(PNP)管是利用其等效電阻代替電位器RP，V1(NPN)管作為直接耦合放大器，控制信號u_i由三極管基極輸入，當u_i增大時，V1管集電極電流和V2管基極電流增大，V2管的等效電阻減小，使電容充電加快，觸發脈沖提前發出，控制角減小，整流輸出電壓升高。

總結

以上是生活随笔為你收集整理的单结晶体管触发电路的全部內容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。

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