目錄

• 符號(hào)
• 寄生二極管（體二極管）的方向
• 連接方法
• 作用
• • 導(dǎo)通問題
  • • NMOS
    • PMOS
  • 開關(guān)作用
  • 隔離作用
• 引腳分辨
• 常見型號(hào)
• NMOS的參數(shù)
• • VDSS最大漏-源電壓
  • VGS最大柵源電壓
  • ID-連續(xù)漏電流
  • VGS（th）
  • RDS（on）導(dǎo)通電阻
  • Ciss：輸入電容
  • Qgs，Qgd，和Qg
• 損耗因素
• • 導(dǎo)通損耗
  • 開關(guān)損耗

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符號(hào)

G極，不用說比較好認(rèn)。
S極，不論是P溝道還是N溝道兩根線相交的就是；
D極，不論是P溝道還是N溝道：是單獨(dú)引線的那邊。

寄生二極管（體二極管）的方向

它的判斷規(guī)則就是：N溝道，由S極指向D極；P溝道，由D極指向S極。

連接方法

一般用的MOS管均為增強(qiáng)型MOS管。

作用

開關(guān)作用

隔離作用

可調(diào)電阻

???????如果MOS管用作開關(guān)時(shí)，（不論N溝道還是P溝道），一定是寄生二極管的負(fù)極接輸入邊，正極接輸出端或接地。
???????否則就無法實(shí)現(xiàn)開關(guān)功能了。
???????所以，N溝道一定是D極接輸入，S極接輸出或地。
???????P溝道則相反，一定是S極接輸入，D極接輸出。
???????如果MOS管用作隔離時(shí)，（不論N溝道還是P溝道），寄生二極管的方向一定是和主板要實(shí)現(xiàn)的單向?qū)ǚ较蛞恢隆?br /> ???????筆記本主板上用PMOS做隔離管的最常見，但也有極少的主板用NMOS來實(shí)現(xiàn)。

導(dǎo)通問題

NMOS

PMOS

開關(guān)作用

MOS開關(guān)實(shí)現(xiàn)電壓通斷：（下圖管子符號(hào)應(yīng)該用錯(cuò)了，圖上是耗盡型MOS管，應(yīng)為增強(qiáng)型MOS管）

隔離作用

引腳分辨

常見型號(hào)

IRF540　 TO-220 100V 33A
IRF640
IRF840
IRLR7843　TO-252-3 N溝道　30V/161A
Si2301　PMOS -20V 0.19Ω -1.6A
Si2302
Si2343　PMOS -30V 0.075Ω -4.6A
2N7002

NMOS的參數(shù)

VDSS最大漏-源電壓

???????在柵源短接，漏-源額定電壓（VDSS）是指漏-源未發(fā)生雪崩擊穿前所能施加的最大電壓。根據(jù)溫度的不同，實(shí)際雪崩擊穿電壓可能低于額定VDSS.

VGS最大柵源電壓

???????VGS額定電壓是柵源兩極間可以施加的最大電壓。設(shè)定該額定電壓的主要目的是防止電壓過高導(dǎo)致的柵氧化層損傷。

ID-連續(xù)漏電流

???????ID定義為芯片在最大額定結(jié)溫TJ（max）下，管表面溫度在25℃或者更高溫度下，可允許的最大連續(xù)直流電流。

VGS（th）

???????是指加的柵源電壓能使漏極開始有電流，或關(guān)斷MOSFET時(shí)電流消失時(shí)的電壓，測(cè)試的條件（漏極電流，漏源電壓，結(jié)溫）也是有規(guī)格的。正常情況下，所有的MOS柵極器件的閾值電壓都會(huì)有所不同。因此，VGS（th）的變化范圍是規(guī)定好的。VGS（th）是負(fù)溫度系數(shù)，當(dāng)溫度上升時(shí)，MOSFET將會(huì)在比較低的棚源電壓下開啟。

RDS（on）導(dǎo)通電阻

???????RDS（on）是指在特定的漏電流（通常為ID電流的一半）、柵源電壓和25℃的情況下測(cè)得的漏-源電阻。

Ciss：輸入電容

???????將漏源短接，用交流信號(hào)測(cè)得的柵極和源極之間的電容就是輸入電容。Ciss是由柵漏電容Cgd和柵源電容Cgs并聯(lián)而成，或者Ciss=Cgs +Cgd，當(dāng)輸入電容充電致閾值電壓時(shí)器件才能開啟，放電致一定值時(shí)器件才可以關(guān)斷。因此驅(qū)動(dòng)電路和Ciss對(duì)器件的開啟和關(guān)斷延時(shí)有著直接的影響。

Qgs，Qgd，和Qg

???????棚電荷柵電荷值反應(yīng)存儲(chǔ)在端子間電容上的電荷，既然開關(guān)的瞬間，電容上的電荷隨電壓的變化而變化，所以設(shè)計(jì)柵驅(qū)動(dòng)電路時(shí)經(jīng)常要考慮柵電荷的影響。
???????柵極電荷Qg是產(chǎn)生開關(guān)損耗的主要原因。柵極電荷是MOS管門極充放電所需的能量，相同電流、電壓規(guī)格的MOSFET，具有比較大的柵極電荷意味著在MOS開關(guān)過程中會(huì)損耗更多的能量。所以，為了盡可能降低MOS管的開關(guān)損耗，工程師在電源設(shè)計(jì)過程中需要選擇同等規(guī)格下Qg更低的MOS管作為主功率開關(guān)管。

損耗因素

???????影響開關(guān)電源電源效率的兩個(gè)損耗因素是：導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗。

導(dǎo)通損耗

???????導(dǎo)通損耗具體來講是由MOS管的導(dǎo)通阻抗Rds產(chǎn)生的，Rds與柵極驅(qū)動(dòng)電壓Vgs和流經(jīng)MOS管的電流有關(guān)。如果想要設(shè)計(jì)出效率更高、體積更小的電源，必須充分降低導(dǎo)通阻抗。

開關(guān)損耗

???????開關(guān)損耗，柵極電荷Qg是產(chǎn)生開關(guān)損耗的主要原因。柵極電荷是MOS管門極充放電所需的能量，相同電流、電壓規(guī)格的MOSFET，具有比較大的柵極電荷意味著在MOS開關(guān)過程中會(huì)損耗更多的能量。所以，為了盡可能降低MOS管的開關(guān)損耗，工程師在電源設(shè)計(jì)過程中需要選擇同等規(guī)格下Qg更低的MOS管作為主功率開關(guān)管。

總結(jié)

以上是生活随笔為你收集整理的【电路补习笔记】6、MOS管的参数与选型的全部內(nèi)容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。

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