存儲器的層次結構

存儲技術

• 靜態RAM

SRAM將每一位存儲在雙穩態的存儲器單元中

• 動態RAM

DRAM將每一位存儲為對電容充電。

• 傳統的DRAM

d*w的DRAM存儲dw位信息

• 增強的DRAM

• 非易失性存儲器

• 訪問主存

磁盤存儲

• 磁盤構造
• 磁盤容量

公式：磁盤容量=（字節數/扇區) * （平均扇區數/磁道)* （磁道數/表面）*（表面數/盤片） * （盤片數/磁盤）

• 磁盤操作

磁盤以扇區大小的塊來讀寫數據。對扇區的訪問時間有三個主要部分：尋道時間、旋轉時間、和傳送時間。

旋轉時間：Tmax rotation =(1/RPM)* （60 secs/1 min) Tavg 是 Tmax 的一半。

傳送時間：Tavg transfer =(1/RPM)* (1/平均扇區數/磁道）* （60 secs/1 min)

訪問時間= 平均尋道時間 + 平均旋轉時間 + 平均傳送時間

局部性

局部性分為時間局部性和空間局部性。

• 對數據引用的局部性

順序引用模式（步長為1）；步長為K的引用模式；

隨著步長的增加，空間局部性降低

雙重嵌套循環按照優先順序訪問數組元素

程序局部性的簡單原則：

• 重復引用同一個變量的程序具有良好的時間局部性

• 對于具有步長為k的引用模式的程序，步長越小，空間局部性越好。具有步長為1的引用模式的程序有很多的空間局部性。在存儲器中以大步長跳來跳去的程序空間局部性會很差

• 對于取指令來說，循環有好的時間和空間局部性。循環體越小，循環迭代次數越多，局部性越好。

存儲器層次結構

中心思想：對于每個K，位于K層的更快更小的存儲設備作為位于k+1層的更大更慢的存儲設備的緩存。

• 緩存命中

• 緩存不命中

• 緩存不命中的種類：強制性不命中（冷不命中）、沖突不命中；

• 緩存管理

高速緩存存儲器

通用的高速緩存存儲器結構

M = 2 ^m S = 2^s B = 2^b C = S * E* B

t=m-(b+s)

高速緩存工作方式：

1、組選擇 2、行匹配 3、字抽取

參考文獻：《深入理解計算機系統（第二版）》

轉載于:https://www.cnblogs.com/bushifudongjing/p/4914471.html

總結

以上是生活随笔為你收集整理的信息安全系统设计基础第七周学习总结的全部內容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。

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