LAN8742 教程(2) 数据手册 中文翻译(2)
LAN8742 教程(2) 數(shù)據(jù)手冊 中文翻譯(2)
LAN8742 教程(1) 數(shù)據(jù)手冊 中文翻譯(1)
LAN8742 教程(2) 數(shù)據(jù)手冊 中文翻譯(2)
文章目錄
- LAN8742 教程(2) 數(shù)據(jù)手冊 中文翻譯(2)
- 4.0 寄存器說明
- 4.1 寄存器名稱
- 4.2 控制和狀態(tài)寄存器
- 4.2.1 基本控制寄存器
- 4.2.2 基本狀態(tài)寄存器
- 4.2.3 PHY標(biāo)識符1寄存器
- 4.2.4 PHY標(biāo)識符2寄存器
- 4.2.5 自動協(xié)商廣告寄存器
- 4.2.6 自動協(xié)商鏈接合作伙伴能力登記表
- 4.2.7 自動協(xié)商擴展寄存器
- 4.2.8 自動協(xié)商下一頁TX寄存器
- 4.2.9 自動協(xié)商下一頁接收寄存器
- 4.2.10 MMD訪問控制寄存器
- 4.2.11 MMD訪問地址/數(shù)據(jù)寄存器
- 4.2.12 EDPD NLP /分頻器
- 4.2.13 模式控制/狀態(tài)寄存器
- 4.2.14 特殊模式寄存器
- 4.2.15 TDR模式/延遲控制寄存器
- 4.2.16 TDR控制/狀態(tài)寄存器
- 4.2.17 符號錯誤計數(shù)器寄存器
- 4.2.18 特殊控制/狀態(tài)指示寄存器
- 4.2.19 電纜長度寄存器
- 4.2.20 中斷源標(biāo)志寄存器
- 4.2.21 中斷掩碼寄存器
- 4.2.22 PHY特殊控制/狀態(tài)寄存器
- 4.3 MDIO可管理設(shè)備（MMD）寄存器
- 4.3.1 PCS MMD設(shè)備當(dāng)前1個寄存器
- 4.3.2 PCS MMD設(shè)備當(dāng)前2寄存器
- 4.3.3 喚醒控制和狀態(tài)寄存器（WUCSR）
- 4.3.4 喚醒濾波器配置寄存器A（WUF_CFGA）
- 4.3.5 喚醒濾波器配置寄存器B（WUF_CFGB）
- 4.3.6 喚醒過濾器字節(jié)掩碼寄存器（WUF_MASK）
- 4.3.7 MAC接收地址A寄存器（RX_ADDRA）
- 4.3.8 MAC接收地址B寄存器（RX_ADDRB）
- 4.3.9 MAC接收地址C寄存器（RX_ADDRC）
- 4.3.10 其他配置寄存器（MCFGR）
- 4.3.11 供應(yīng)商特定的MMD 1設(shè)備ID 1寄存器
- 4.3.12 供應(yīng)商特定的MMD 1裝置ID 2寄存器
- 4.3.13 供應(yīng)商特定的1個MMD設(shè)備當(dāng)前1個寄存器
- 4.3.14 供應(yīng)商特定的1 MMD設(shè)備當(dāng)前2寄存器
- 4.3.15 供應(yīng)商特定的MMD 1狀態(tài)寄存器
- 4.3.16 TDR匹配閾值寄存器
- 4.3.17 TDR短/開門限寄存器
- 4.3.18 供應(yīng)商特定的MMD 1軟件包ID 1寄存器
- 4.3.19 供應(yīng)商特定的MMD 1包裹ID 2寄存器
- 5.0 操作特性
- 5.1 絕對最大額定值*
- 5.2 運行條件**
- 5.3 封裝散熱規(guī)格
- 5.4 能量消耗
- 5.4.1 REF_CLK輸入模式
- 5.4.1.1 調(diào)節(jié)器禁用
- 5.4.1.2 穩(wěn)壓器已啟用
- 5.4.2 REF_CLK輸出模式
- 5.4.2.1 調(diào)節(jié)器禁用
- 5.4.2.2 穩(wěn)壓器已啟用
- 5.5 直流規(guī)格
- 5.6 交流規(guī)格
- 5.6.1 等效測試負荷
- 5.6.2 電源序列時序
- 5.6.3 上電nRST和配置分段時序
- 5.6.4 RMII接口時序
- 5.6.4.1 RMII時序（REF_CLK輸出模式）
- 5.6.4.2 RMII時序（REF_CLK輸入模式）
- 5.6.4.3 RMII CLKIN要求
- 5.6.5 SMI時序
- 5.7 時鐘電路
- 5.7.1 300 μW 25 MHZ晶體規(guī)格
- 5.7.2 100 μW 25 MHZ晶體規(guī)范
- 表5-17： 100 μW晶體規(guī)格
- 6.0 包裝概述
4.0 寄存器說明
本章介紹各種控制和狀態(tài)寄存器（CSR）和MDIO可管理設(shè)備（MMD）寄存器。
CSR遵循IEEE 802.3（條款22.2.4）管理寄存器集。 MMD寄存器符合IEEE 802.3-2008 45.2 MDIO接口寄存器規(guī)范。所有功能和位定義均符合這些標(biāo)準(zhǔn)。
每個CSR定義都包含IEEE 802.3指定的寄存器索引（十進制），從而允許通過串行管理接口（SMI）協(xié)議對這些寄存器進行尋址。可通過MMD訪問控制寄存器和MMD訪問地址/數(shù)據(jù)寄存器CSR間接訪問MMD寄存器。
4.1 寄存器名稱
表4-1說明了本文檔中使用的寄存器位屬性符號。
表4-1：寄存器位類型
| R | Read(讀) ：可以讀取具有此屬性的寄存器或位。 |
| W | Write(寫) ：可以寫入具有該屬性的寄存器或位。 |
| RO | Read only(只讀)：寫入無效。 |
| WO | Write only(只寫)：如果寄存器或位是只寫的，則讀取將返回未指定的數(shù)據(jù)。 |
| WC | Write One to Clear(寫一個清除)：寫一個清除數(shù)值。寫零無效 |
| WAC | Write Anything to Clear(寫任何東西清除)：寫任何東西都會清除值。 |
| RC | Read to Clear(讀取至清除)：讀取后清除內(nèi)容。寫入無效。 |
| LL | Latch Low(鎖存器低)：讀取寄存器時清零。 |
| LH | Latch High(鎖存器高)：讀取寄存器后清零。 |
| SC | Self-Clearing(自清除)：設(shè)置后，內(nèi)容將自動清除。零寫入無效。內(nèi)容可以閱讀。 |
| SS | Self-Setting(自設(shè)置)：清除后內(nèi)容是自設(shè)置的。寫一個無效。內(nèi)容可以閱讀。 |
| RO/LH | Read Only, Latch High(只讀)，鎖存高電平：具有此屬性的位將保持高電平，直到讀取該位為止。讀取后，如果保持高電平狀態(tài)，則該位將保持高電平；如果已去除高電平狀態(tài)，則將變?yōu)榈碗娖健Ｈ绻形醋x取該位，則無論高電平狀態(tài)如何變化，該位都將保持高電平。在某些以太網(wǎng)PHY寄存器中使用此模式。 |
| NASR | Not Affected by Software Reset(不受軟件復(fù)位的影響)：聲明軟件復(fù)位后，NASR位的狀態(tài)不會更改。 |
| RESERVED | Reserved Field(保留字段)：保留字段必須寫入零以確保將來的兼容性。讀取時不能保證保留位的值。 |
這些寄存器位符號中的許多都可以組合。下面是一些示例：
? R / W：可以寫入。讀取時將返回當(dāng)前設(shè)置。
? R / WAC：將在讀取時返回當(dāng)前設(shè)置。寫任何東西都可以清除。
4.2 控制和狀態(tài)寄存器
表4-2列出了支持的寄存器。寄存器的詳細信息（包括位定義）在后續(xù)小節(jié)中提供。
表4-2：SMI寄存器映射
| 0 | 基本控制寄存器 | 基本的 |
| 1 | 基本狀態(tài)寄存器 | 基本的 |
| 2 | PHY標(biāo)識符1寄存器 | 擴展的 |
| 3 | PHY標(biāo)識符2寄存器 | 擴展的 |
| 4 | 自動協(xié)商廣告注冊 | 擴展的 |
| 5 | 自動協(xié)商鏈接合作伙伴能力注冊 | 擴展的 |
| 6 | 自動協(xié)商擴展寄存器 | 擴展的 |
| 7 | 自動協(xié)商下一頁TX寄存器 | 擴展的 |
| 8 | 自動協(xié)商下一頁RX寄存器 | 擴展的 |
| 13 | MMD訪問控制寄存器 | 擴展的 |
| 14 | MMD訪問地址/數(shù)據(jù)寄存器 | 擴展的 |
| 16 | EDP??D NLP /交叉時間寄存器 | 供應(yīng)商特定 |
| 17 | 模式控制/狀態(tài)寄存器 | 供應(yīng)商特定 |
| 18 | 特殊模式寄存器 | 供應(yīng)商特定 |
| 24 | TDR模式/延遲控制寄存器 | 供應(yīng)商特定 |
| 25 | TDR控制/狀態(tài)寄存器 | 供應(yīng)商特定 |
| 26 | 符號錯誤計數(shù)器寄存器 | 供應(yīng)商特定 |
| 27 | 特殊控制/狀態(tài)指示寄存器 | 供應(yīng)商特定 |
| 28 | 電纜長度寄存器 | 供應(yīng)商特定 |
| 29 | 中斷源標(biāo)志寄存器 | 供應(yīng)商特定 |
| 30 | 中斷屏蔽寄存器 | 供應(yīng)商特定 |
| 31 | PHY特殊控制/狀態(tài)寄存器 | 供應(yīng)商特定 |
4.2.1 基本控制寄存器
索引（十進制）：0
大小：16位
| 15 | 軟復(fù)位 1 =軟件復(fù)位。位是自我清除。設(shè)置該位時，請勿設(shè)置該寄存器中的其他位。 注意：配置（如第3.7.2節(jié)“ MODE [2：0]中所述：模式配置”）是通過寄存器的位值而非模式引腳設(shè)置的。 | R/W SC | 0b |
| 14 | 回送 0 =正常運行 1 =回送模式 | R/W | 0b |
| 13 | 速度選擇 0 = 10 Mbps 1 = 100 Mbps 注意：如果啟用了自動協(xié)商，則忽略（0.12 = 1）。 | R/W | （請參閱注釋1） |
| 12 | 啟用自動協(xié)商 0 = 禁用自動協(xié)商過程 1 = 啟用自動協(xié)商過程（覆蓋0.13和0.8） | R/W | （請參閱注釋1） |
| 11 | 掉電 0 = 正常運行 1 = 常規(guī)掉電模式 | R/W | 0b |
| 10 | 隔離 0 = 正常運行 1 = PHY與RMII電氣隔離 | R/W | 0b |
| 9 | 重新啟動自動協(xié)商 0 = 正常運行 1 = 重新啟動自動協(xié)商過程注意：該位是自清除的。 | R/W SC | 0b |
| 8 | 雙工模式 0 =半雙工 1 =全雙工 注意：如果啟用了自動協(xié)商（0.12 = 1），則將被忽略。 | R/W | |
| 7:0 | 保留的 | RO | - |
Note 1: The default value of this bit is determined by the MODE[2:0] configuration straps. Refer to Section 3.7.2, “MODE[2:0]:Mode Configuration” for additional information.
4.2.2 基本狀態(tài)寄存器
索引（十進制）：1
大小：16位
| 15 | 100BASE-T4 0 = 無T4能力 1 = 能夠使用T4 | RO | 0b |
| 14 | 100BASE-TX全雙工 0 = 無TX全雙工功能 1 =具有全雙工的TX | RO | 1b |
| 13 | 100BASE-TX半雙工 0 = 無TX半雙工能力 1 = TX有半雙工 | RO | 1b |
| 12 | 10BASE-T全雙工 0 = 無全雙工10 Mbps 1 = 全雙工10 Mbps | RO | 1b |
| 11 | 10BASE-T半雙工 0 = 無半雙工10 Mbps 1 = 半雙工10 Mbps | RO | 1b |
| 10 | 100BASE-T2全雙工 0 = PHY無法執(zhí)行全雙工100BASE-T2 1 = PHY能夠執(zhí)行全雙工100BASE-T2 | RO | 0b |
| 9 | 100BASE-T2半雙工 0 = PHY無法執(zhí)行半雙工100BASE-T2 1 = PHY能夠執(zhí)行半雙工100BASE-T2 | RO | 0b |
| 8 | 擴展?fàn)顟B(tài) 0 = 寄存器15中沒有擴展?fàn)顟B(tài)信息 1 =寄存器15中有擴展?fàn)顟B(tài)信息 | RO | 0b |
| 7:6 | 保留的 | RO | - |
| 5 | 自動協(xié)商完成 0 =自動協(xié)商過程未完成 1 =自動協(xié)商過程完成 | RO | 0b |
| 4 | 遠程故障 1 =檢測到遠程故障情況 0 =無遠程故障 | RO/LH | 0b |
| 3 | 自動協(xié)商能力 0 = 無法執(zhí)行自動協(xié)商功能 1 = 能夠執(zhí)行自動協(xié)商功能 | RO | 1b |
| 2 | 連結(jié)狀態(tài) 0 = 鏈接已斷開。 1 = 鏈接已建立。 | RO/LL | 0b |
| 1 | 賈伯檢測 0 =未檢測到j(luò)abber情況。 1 = 檢測到Jabber條件。 | RO/LH | 0b |
| 0 | 擴展功能 0 =不支持?jǐn)U展功能寄存器 1 = 支持?jǐn)U展功能寄存器 | RO | 1b |
4.2.3 PHY標(biāo)識符1寄存器
索引（十進制）：2
大小：16位
| 15:0 | PHY ID號 分配給組織唯一標(biāo)識符的第3至第18位 （OUI）。 | 讀/寫 | 0007h |
4.2.4 PHY標(biāo)識符2寄存器
索引（十進制）：3
大小：16位
| 15:10 | PHY ID號 分配給OUI的第19至第24位。 | 讀/寫 | C130h |
| 9:4 | 型號編號 六位制造商的型號 | 讀/寫 | |
| 3:0 | 修訂號 四位制造商的修訂號 | 讀/寫 |
注意： 版本號字段的默認值可能會根據(jù)芯片版本號而有所不同。
4.2.5 自動協(xié)商廣告寄存器
索引（十進制）：4
大小：16位位
| 15 | 下一頁 0 = 沒有下一頁功能 1 = 支持下一頁 | 讀/寫 | 0b |
| 14 | 已預(yù)留 | 只讀 | - |
| 13 | 遠程故障 0 = 無遠程故障 1 = 檢測到遠程故障 | 讀/寫 | 0b |
| 12 | 保留的 | 只讀 | - |
| 11:10 | 暫停操作 00 = 無暫停 01 =對稱暫停 10 =對鏈接伙伴的非對稱暫停 11 =向本地設(shè)備通告對對稱暫停和非對稱暫停的支持 注意 : 如果同時設(shè)置了對稱暫停和非對稱暫停，則設(shè)備在自動協(xié)商完成后最多只能配置為兩個設(shè)置之一。 | 讀/寫 | 00b |
| 9 | 保留的 | 只讀 | - |
| 8 | 100BASE-TX全雙工 0 = 無TX全雙工功能 1 = 具有全雙工的TX | 讀/寫 | （請參閱注釋1） |
| 7 | 100BASE-TX 0 = 沒有發(fā)送能力 1 = 能夠發(fā)送 | 讀/寫 | 1b |
| 6 | 10BASE-T全雙工 0 = 無10 Mbps全雙工功能 1 = 10 Mbps全雙工 | 讀/寫 | （請參閱注釋1） |
| 5 | 10BASE-T 0 = 無10 Mbps的能力 1 = 10 Mbps的能力 | 讀/寫 | （請參閱注釋1） |
| 4:0 | 選擇器字段 00001 = IEEE 802.3 | 讀/寫 | 00001b |
注釋1： 該位的默認值由MODE
[2:0]配置帶確定。請參閱第3.7.2節(jié)“ MODE [2:0]: 模式配置”以獲取更多信息。
4.2.6 自動協(xié)商鏈接合作伙伴能力登記表
索引（十進制）：5
大小：16位
| 15 | 下一頁 0 = 沒有下一頁功能 1 =支持下一頁 | 只讀 | 0b |
| 14 | 確認 0 = 尚未收到鏈接代碼字 1 = 從伙伴接收到鏈接代碼字 | 只讀 | 0b |
| 13 | 遠程故障 0 =無遠程故障 1 = 檢測到遠程故障 | 只讀 | 0b |
| 12 | 已預(yù)留 | 只讀 | - |
| 11:10 | 暫停操作 00 =伙伴站不支持暫停 01 = 伙伴站支持對稱暫停 10 = 伙伴站支持非對稱暫停 11 = 伙伴站同時支持對稱暫停和非對稱暫停 | 只讀 | 00b |
| 9 | 100BASE-T4 0 =無T4能力 1 = 能夠使用T4 注意： 該設(shè)備不支持T4功能。 | 只讀 | 0b |
| 8 | 100BASE-TX全雙工 0 = 無TX全雙工功能 1 = 具有全雙工的TX | 只讀 | 0b |
| 7 | 100BASE-TX 0 = 沒有發(fā)送能力 1 = 能夠發(fā)送 | 只讀 | 0b |
| 6 | 10BASE-T全雙工 0 =無10 Mbps全雙工功能 1 = 10 Mbps全雙工 | 只讀 | 0b |
| 5 | 10BASE-T 0 =無10 Mbps能力 1 = 10 Mbps的能力 | 只讀 | 0b |
| 4:0 | 選擇器字段 00001 = IEEE 802.3 | 只讀 | 00001b |
4.2.7 自動協(xié)商擴展寄存器
索引（十進制）：6
大小：16位
| 15:7 | 保留的 | 只讀 | - |
| 6 | 接收下一頁位置信息 0 = 接收的下一頁存儲位置未由6.5位指定 1 = 接收的下一頁存儲位置未由6.5位指定 | 只讀 | 1b |
| 5 | 收到的下一頁存儲位置 0 =鏈接伙伴下一頁存儲在自動協(xié)商鏈接伙伴能力寄存器（PHY寄存器5）中 1 =鏈接伙伴的下一頁存儲在自動協(xié)商下一頁RX寄存器（PHY寄存器8）中 | 只讀 | 1b |
| 4 | 并行檢測故障 0 =并行檢測邏輯未檢測到故障 1 =并行檢測邏輯檢測到故障 | RO/LH | 0b |
| 3 | 鏈接合作伙伴下一頁 0 =鏈接伙伴沒有下一頁功能。 1 =鏈接伙伴具有下一頁功能。 | 只讀 | 0b |
| 2 | 下一頁能夠 0 =本地設(shè)備沒有下一頁功能。 1 =本地設(shè)備具有下一頁功能。 | 只讀 | 1b |
| 1 | 收到頁面 0 = 尚未收到新頁面 1 = 收到新頁面 | RO/LH | 0b |
| 0 | 鏈接伙伴自動協(xié)商能力 0 =鏈接伙伴不具有自動協(xié)商功能。 1 =鏈接伙伴具有自動協(xié)商功能。 | 只讀 | 0b |
4.2.8 自動協(xié)商下一頁TX寄存器
索引（十進制）： 7
大小： 16位
| 15 | 下一頁 0 = 沒有下一頁功能 1 = 支持下一頁 | R/W | 0b |
| 14 | 保留的 | RO | - |
| 13 | 留言頁面 0 = 未格式化的頁面 1 = 消息頁面 | R/W | 1b |
| 12 | 致謝2 0 = 設(shè)備不符合消息。 1 = 設(shè)備將遵循消息。 | R/W | 0b |
| 11 | 切換 0 = 先前值為HIGH。 1 = 上一個值為LOW。 | RO | 0b |
| 10:0 | 訊息碼 消息/未格式化的代碼字段 | R/W | 000 0000 0001b |
4.2.9 自動協(xié)商下一頁接收寄存器
索引（十進制）： 8
大小： 16位
| 15 | 下一頁 0 = 沒有下一頁功能 1 = 支持下一頁 | RO | 0b |
| 14 | 確認 0 = 尚未從合作伙伴處收到鏈接代碼字 1 = 從伙伴接收到鏈接代碼字 | RO | 0b |
| 13 | 留言頁面 0 = 未格式化的頁面 1 = 消息頁面 | RO | 0b |
| 12 | 致謝2 0 = 設(shè)備不符合消息。 1 = 設(shè)備將遵循消息。 | RO | 0b |
| 11 | 切換 0 = 先前值為HIGH。 1 =上一個值為LOW。 | RO | 0b |
| 10:0 | 訊息碼 消息/未格式化的代碼字段 | RO | 000 0000 0000b |
4.2.10 MMD訪問控制寄存器
索引（十進制）： 13
大小： 16位
該寄存器與MMD訪問地址/數(shù)據(jù)寄存器一起提供對MDIO可管理設(shè)備（MMD）寄存器的間接訪問。有關(guān)更多詳細信息，請參見第4.3節(jié)“ MDIO可管理設(shè)備（MMD）寄存器”。
| 15:14 | MMD功能 此字段用于選擇所需的MMD功能： 00 = 地址 01 = 數(shù)據(jù)，無帖子增量 10 = 保留 11 = 保留 | R/W | 00b |
| 13:5 | 保留的 | RO | - |
| 4:0 | MMD設(shè)備地址（DEVAD） 該字段用于選擇所需的MMD設(shè)備地址。 （3 = PCS） | R/W | 0h |
4.2.11 MMD訪問地址/數(shù)據(jù)寄存器
索引（十進制）： 14
大小： 16位
該寄存器與MMD訪問控制寄存器一起提供對MDIO可管理設(shè)備（MMD）寄存器的間接訪問。有關(guān)更多詳細信息，請參見第4.3節(jié)“ MDIO可管理設(shè)備（MMD）寄存器”。
| 15:0 | MMD寄存器地址/數(shù)據(jù) 如果MMD訪問控制寄存器的MMD功能字段為“ 00”，則此 字段用于指示MMD寄存器地址以讀取/寫入MMD設(shè)備地址（DEVAD）字段中指定的設(shè)備。否則，該寄存器用于從先前指定的MMD地址讀取數(shù)據(jù)或?qū)?shù)據(jù)寫入先前指定的MMD地址。 | R/W | 0000h |
4.2.12 EDPD NLP /分頻器
索引（十進制）： 16
大小： 16位
| 15 | EDP??D TX NLP使能 在能量檢測掉電（EDPD）模式下（EDPWRDOWN = 1），這 該位允許以EDPD TX NLP間隔計時器選擇字段定義的間隔傳輸單個TX NLP。 0 = 禁用TX NLP 1 =處于EDPD模式時啟用TX NLP | R/WNASR | 0b |
| 14:13 | EDP??D TX NLP間隔定時器選擇 處于能量檢測掉電（EDPD）模式（EDPWRDOWN = 1）且 EDP??D TX NLPEnable為1，此字段定義用于發(fā)送單個TX NLP的間隔。 00 = 1秒（默認） 01 = 768毫秒 10 = 512毫秒 11 = 256毫秒 | R/WNASR | 00b |
| 12 | EDP??D RX單個NLP喚醒使能 在能量檢測掉電（EDPD）模式下（EDPWRDOWN = 1），這 該位使能在接收單個RX NLP時喚醒PHY。 0 =禁止RX NLP喚醒 1 =處于EDPD模式時使能TX NLP喚醒 | R/WNASR | 0b |
| 11:10 | EDP??D RX NLP最大間隔檢測選擇 處于能量檢測掉電（EDPD）模式（EDPWRDOWN= 1）且EDP??D RX單個NLP喚醒使能為0，此字段定義檢測兩個要從EDPD模式喚醒的RX NLP的最大間隔 00 = 64毫秒（默認） 01 = 256毫秒 10 = 512毫秒 11 = 1秒 | R/WNASR | 00b |
| 9:2 | 保留的 | RO | - |
| 1 | EDP??D擴展交叉 在能量檢測掉電（EDPD）模式下（EDPWRDOWN = 1）， 將此位設(shè)置為1可將交叉時間延長2976 ms。 0 = 禁用交叉時間擴展 1 = 啟用交叉時間擴展（2976 ms） | R/WNASR | 0b |
| 0 | 延長手動10/100 Auto-MDIX交叉時間 啟用自動MIDX并且PHY處于手動10BASE-T或 在100BASE-TX模式下，將此位設(shè)置為1可將交叉時間延長1984 ms，以允許鏈接到自動協(xié)商鏈接伙伴PHY。 0 = 禁用交叉時間擴展 1 = 啟用交叉時間擴展（1984毫秒） | R/WNASR | 1b |
4.2.13 模式控制/狀態(tài)寄存器
索引（十進制）： 17
大小： 16位
| 15:14 | 保留的 | RO | - |
| 13 | EDP??關(guān)機 啟用能量檢測掉電（EDPD）模式： 0 = 禁止能量檢測掉電。 1 = 使能能量檢測掉電。 注意： 在EDPD模式下，可以通過EDPD NLP / Crossover TimeRegister修改設(shè)備的NLP特性。 | R/W | 0b |
| 12:10 | 保留的 | RO | - |
| 9 | 遠端環(huán)回 啟用遠端環(huán)回模式（即，所有接收到的數(shù)據(jù)包都以模擬方式發(fā)送回 （僅在100BASE-TX中）。即使設(shè)置了隔離位（0.10），此模式仍然有效。 0 = 禁用遠端環(huán)回模式。 1 = 使能遠端環(huán)回模式。 有關(guān)更多信息，請參見第3.8.10.2節(jié)“ Far Loopback”。 | R/W | 0b |
| 8:7 | 保留的 | RO | - |
| 6 | ALTINT 備用中斷模式： 0 = 使能主中斷系統(tǒng)（默認） 1 = 使能備用中斷系統(tǒng) 有關(guān)更多信息，請參見第3.6節(jié)“中斷管理”。 | R/W | 0b |
| 5:2 | 保留的 | RO | - |
| 1 | 能源 指示是否檢測到能量。如果無效，則該位轉(zhuǎn)換為“ 0” 在256毫秒內(nèi)檢測到能量。通過硬件復(fù)位將其復(fù)位為“ 1”，而不受軟件復(fù)位的影響。有關(guān)更多信息，請參見第3.8.3.2節(jié)“能量檢測掉電（EDPD）”。 | RO | 1b |
| 0 | 保留的 | R/W | 0b |
4.2.14 特殊模式寄存器
索引（十進制）： 18
大小： 16位
| 15:8 | 保留的 | RO | - |
| 7:5 | 模式 收發(fā)器的操作模式。請參閱第3.7.2節(jié)“ MODE [2：0]： 模式 配置”以獲取更多詳細信息。 | R/WNASR | （請參閱注釋1） |
| 4:0 | PHY地址 PHY地址。PHY地址用于SMI地址和初始化- 密碼（擾碼）鍵的位置。 請參見第3.7.1節(jié)“ PHYAD [0]： PHY地址配置”以獲取更多詳細信息。 | R/WNASR | （見注2） |
**注釋1：**該字段的默認值由MODE [2：0]配置帶確定。請參閱第3.7.2節(jié)“ MODE [2：0]： 模式配置”以獲取更多信息。
注釋2: 該字段的默認值由PHYAD [0]配置帶確定。請參見第3.7.1節(jié)“ PHYAD [0]：PHY地址配置”以獲取更多信息。
4.2.15 TDR模式/延遲控制寄存器
索引（十進制）： 24
大小： 16位
| 15 | TDR延遲輸入 0 = 斷線時間為2 ms。 1 = 設(shè)備在啟動TDR之前使用TDR線路中斷計數(shù)器來增加線路中斷時間。 | R/WNASR | 0b |
| 14:12 | TDR斷線計數(shù)器 當(dāng)TDR Delay In為1時，此字段指定在 增量為256毫秒，最長2秒。 | R/WNASR | 000b |
| 11:6 | TDR模式高 該字段指定高周期以TDR模式發(fā)送的數(shù)據(jù)模式。 | R/WNASR | 101110b |
| 5:0 | TDR模式低 此字段指定在低周期以TDR模式發(fā)送的數(shù)據(jù)模式。 | R/WNASR | 011101b |
4.2.16 TDR控制/狀態(tài)寄存器
索引（十進制）： 25
大小： 16位
| 15 | TDR啟用 0 =禁用TDR模式 1 =啟用TDR模式 注意： TDR完成時此位自清除（TDR通道狀態(tài)變?yōu)楦唠娖?#xff09; | R/WNASR SC | 0b |
| 14 | TDR模數(shù)濾波器使能 0 = 禁用TDR模數(shù)轉(zhuǎn)換器 1 = 啟用TDR模數(shù)濾波器（減少TDR脈沖期間的噪聲尖峰） | R/WNASR | 0b |
| 13:11 | 保留的 | RO | - |
| 10:9 | TDR通道電纜類型 表示由TDR測試確定的電纜類型。 00 = 默認 01 = 短路的電纜狀況 10 = 斷開的電纜狀況 11 = 匹配的電纜狀況 | R/WNASR | 00b |
| 8 | TDR頻道狀態(tài) 高電平時，該位指示TDR操作已完成。這一點 將保持高電平，直到復(fù)位或重新啟動TDR操作（TDR使能= 1） | R/WNASR | 0b |
| 7:0 | TDR通道長度 此八位值指示短路或斷開期間的TDR通道長度 電纜狀況。有關(guān)此字段的用法的更多信息，請參見第3.8.9.1節(jié)“時域反射法（TDR）電纜診斷”。 **注意：**在匹配電纜情況下，此字段無效。電纜長度寄存器必須用于確定非斷開/短路（匹配）條件下的電纜長度。有關(guān)更多信息，請參見第3.8.9節(jié)“電纜診斷”。 | R/WNASR | 00h |
4.2.17 符號錯誤計數(shù)器寄存器
索引（十進制）： 26
大小： 16位
| 15:0 | 符號錯誤計數(shù)器（SYM_ERR_CNT） 當(dāng)無效時，此基于100BASE-TX接收器的錯誤計數(shù)器將遞增 收到的代碼符號包括IDLE符號。即使接收的數(shù)據(jù)包包含多個符號錯誤，每個數(shù)據(jù)包計數(shù)器也只會遞增一次。此字段最多可計數(shù)65,536，如果超出最大值，則翻轉(zhuǎn)為0。 注意 ： 該寄存器在復(fù)位時被清除，但不能通過讀取寄存器來清除。在10BASE-T模式下不會遞增。 | RO | 0000h |
4.2.18 特殊控制/狀態(tài)指示寄存器
索引（十進制）： 27
大小： 16位
| 15 | AMDIXCTRL HP Auto-MDIX控件： 0 = 啟用自動MDIX 1 = 禁用Auto-MDIX（使用27.13控制通道） | R/WNASR | 0b |
| 14 | 保留的 | RO | - |
| 13 | CH_SELECT 手動頻道選擇： 0 = MDI（TX發(fā)送，RX接收） 1 = MDIX（TX接收，RX發(fā)送） | R/WNASR | 0b |
| 12 | 保留的 | RO | - |
| 11 | SQEOFF 禁用SQE測試（心跳）： 0 = 啟用SQE測試 1 = 禁用SQE測試 | R/WNASR | 0b |
| 10:5 | 保留的 | RO | - |
| 4 | XPOL 10BASE-T的極性狀態(tài)： 0 = 正常極性 1 = 極性相反 | RO | 0b |
| 3:0 | 保留的 | RO | - |
4.2.19 電纜長度寄存器
索引（十進制）： 28
大小： 16位
| 15:12 | 電纜長度（CBLN） 該四位值指示電纜長度。請參閱第3.8.9.2節(jié)， “匹配的電纜診斷”提供有關(guān)此字段用法的更多信息。 **注意：**此字段指示沒有電纜斷開/短路的100BASE-TX鏈接設(shè)備的電纜長度。要確定電纜的打開/短路狀態(tài)，必須使用TDR模式/延遲控制寄存器和TDR控制/狀態(tài)寄存器。10BASE-T鏈接不支持電纜長度。有關(guān)更多信息，請參見第3.8.9節(jié)“電纜診斷”。 | RO | 0000b |
| 11:0 | 保留的 | RO | - |
4.2.20 中斷源標(biāo)志寄存器
索引（十進制）： 29
大小： 16位
| 15:9 | 保留的 | RO | - |
| 8 | INT8 0 = 沒有中斷源 1 = 檢測到局域網(wǎng)喚醒（WoL）事件 | RO/LH | 0b |
| 7 | INT7 0 = 沒有中斷源 1 = 產(chǎn)生能量 | RO/LH | 0b |
| 6 | INT6 0 = 沒有中斷源 1 = 自動協(xié)商完成 | RO/LH | 0b |
| 5 | INT5 0 = 沒有中斷源 1 = 檢測到遠程故障 | RO/LH | 0b |
| 4 | INT4 0 = 沒有中斷源 1 = 鏈接斷開（鏈接狀態(tài)否定） | RO/LH | 0b |
| 3 | INT3 0 = 沒有中斷源 1 = 自動協(xié)商LP確認 | RO/LH | 0b |
| 2 | INT2 0 = 沒有中斷源 1 = 并行檢測故障 | RO/LH | 0b |
| 1 | INT1 0 =沒有中斷源 1 = 收到自動協(xié)商頁面 | RO/LH | 0b |
| 0 | 保留的 | RO | 0b |
4.2.21 中斷掩碼寄存器
索引（十進制）： 30
大小： 16位
| 15:9 | 保留的 | RO | - |
| 8:1 | 屏蔽位 這些位屏蔽了中斷源標(biāo)志中的相應(yīng)中斷 寄存器。 0 = 屏蔽中斷源。 1 = 使能中斷源。 | R/W | 00000000b |
| 0 | 保留的 | RO | - |
4.2.22 PHY特殊控制/狀態(tài)寄存器
索引（十進制）： 31
大小： 16位
| 15:13 | 保留的 | RO | - |
| 12 | 自動完成 自動協(xié)商完成指示： 0 = 未完成或禁用自動協(xié)商（或未激活）。 1 = 自動協(xié)商完成。 | RO | 0b |
| 11:5 | 保留-寫為0000010b，讀時忽略。 | R/W | 0000010b |
| 4:2 | 速度指示 HCDSPEED值： 001 = 10BASE-T半雙工 101 = 10BASE-T全雙工 010 = 100BASE-TX半雙工 110 = 100BASE-TX全雙工 | RO | XXXb |
| 1:0 | 保留的 | RO | - |
4.3 MDIO可管理設(shè)備（MMD）寄存器
設(shè)備MMD寄存器符合IEEE 802.3-2008 45.2 MDIO接口寄存器規(guī)范。MMD寄存器未映射到內(nèi)存。這些寄存器可通過MMD訪問控制寄存器和MMD訪問地址/數(shù)據(jù)寄存器間接訪問。支持的MMD設(shè)備地址為3（PCS）和30（特定于供應(yīng)商）。表4-3“ MMD寄存器”詳細介紹了每個MMD器件內(nèi)支持的寄存器。
表4-3：MMD寄存器
| 3（PCS） | 5 | PCS MMD設(shè)備存在1個寄存器 |
| 6 | PCS MMD設(shè)備存在2個寄存器 | |
| 32784 | 喚醒控制和狀態(tài)寄存器（WUCSR） | |
| 32785 | 喚醒濾波器配置寄存器A（WUF_CFGA） | |
| 32786 | 喚醒過濾器配置寄存器B（WUF_CFGB） | |
| 32801 | 喚醒過濾器字節(jié)掩碼寄存器（WUF_MASK） | |
| 32802 | ||
| 32803 | ||
| 32804 | ||
| 32805 | ||
| 32806 | ||
| 32807 | ||
| 32808 | ||
| 32865 | MAC接收地址A寄存器（RX_ADDRA） | |
| 32866 | MAC接收地址B寄存器（RX_ADDRB） | |
| 32867 | MAC接收地址C寄存器（RX_ADDRC） | |
| 32868 | 雜項配置寄存器（MCFGR） | |
| 30 （特定于供應(yīng)商） | 2 | 供應(yīng)商特定的MMD 1設(shè)備ID 1寄存器 |
| 3 | 供應(yīng)商特定的MMD 1設(shè)備ID 2寄存器 | |
| 5 | 供應(yīng)商特定的1 MMD設(shè)備存在1注冊 | |
| 6 | 供應(yīng)商特定的1 MMD設(shè)備存在2注冊 | |
| 8 | 供應(yīng)商特定的MMD 1狀態(tài)寄存器 | |
| 11 | TDR匹配閾值寄存器 | |
| 12 | TDR短/開門限寄存器 | |
| 14 | 供應(yīng)商特定的MMD 1軟件包ID 1寄存器 | |
| 15 | 供應(yīng)商特定的MMD 1軟件包ID 2寄存器 |
要讀取或?qū)懭隡MD寄存器，必須遵循以下步驟：
4.3.1 PCS MMD設(shè)備當(dāng)前1個寄存器
索引（十進制）： 3.5
大小： 16位
| 15:8 | 保留的 | RO | - |
| 7 | 自動協(xié)商存在 0 = 包中不存在自動協(xié)商 1 = 包中包含自動協(xié)商 | RO | 1b |
| 6 | TC存在 0 = 包裝中不存在TC 1 = 包裝中的TC | RO | 0b |
| 5 | DTE XS存在 0 =軟件包中不包含DTE XS 1 = 封裝中包含DTE XS | RO | 0b |
| 4 | PHY XS存在 0 =封裝中不包含PHY XS 1 = 封裝中包含PHY XS | RO | 0b |
| 3 | PCS存在 0 = PCS不存在于包裝中 1 = 包裝中包含PCS | RO | 1b |
| 2 | WIS存在 0 = WIS不在包裝中 1 = 包裝中存在WIS | RO | 0b |
| 1 | PMD / PMA當(dāng)前 0 = PMD / PMA不存在于包裝中 1 = 包裝中存在PMD / PMA | RO | 0b |
| 0 | 條款22注冊 0 = 軟件包中不存在第22條寄存器 1 = 包裝中包含第22條寄存器 | RO | 0b |
4.3.2 PCS MMD設(shè)備當(dāng)前2寄存器
索引（十進制）： 3.6
大小:16位
| 15 | 供應(yīng)商特定設(shè)備2存在 0 = 封裝中沒有供應(yīng)商特定的設(shè)備2 1 = 包裝中包含供應(yīng)商特定的設(shè)備2 | RO | 0b |
| 14 | 供應(yīng)商特定設(shè)備1存在 0 = 封裝中沒有供應(yīng)商專用設(shè)備1 1 = 包裝中包含供應(yīng)商特定的設(shè)備1 | RO | 1b |
| 13 | 第22條擴展存在 0 = 包裝中不存在第22條擴展 1 = 包裝中存在第22條擴展 | RO | 0b |
| 12:0 | 保留的 | RO | - |
4.3.3 喚醒控制和狀態(tài)寄存器（WUCSR）
索引（十進制）： 3.32784
大小： 16位
| 15 | 接口禁用 0 =使能RMII接口 1 =禁用RMII接口。輸出驅(qū)動為低電平，輸入被忽略。 | R/WNASR | 0b |
| 14:13 | LED1功能選擇 00 = LED1用作鏈接/活動。 01 = LED1用作nINT。 10 = LED1用作nPME。 11 = LED1用作鏈接速度。 注意： 有關(guān)更多信息，請參見第3.8.1節(jié)“ LED”。 | R/WNASR | 0b |
| 12:11 | LED2功能選擇 00 = LED2用作鏈接速度。 01 = LED2用作nINT。 10 = LED2用作nPME。 11 = LED2用作鏈接/活動。 注意： 有關(guān)更多信息，請參見第3.8.1節(jié)“ LED”。 | R/WNASR | 0b |
| 10 | 保留的 | RO | - |
| 9 | nPME自清除 0 = nPME引腳未自清除。 1 = nPME引腳自清除。 注意： 置位時，nPME信號的解除置位延遲由其他配置寄存器（MCFGR）的nPME置位延遲位控制。有關(guān)更多信息，請參見第3.8.4節(jié)“ LAN喚醒（WoL）”。 | R/WNASR | 0b |
| 8 | WoL已配置 配置WoL寄存器后，可以通過軟件將該位置1。這個 粘滯位（以及所有其他與WoL相關(guān)的寄存器位）僅通過重新上電或引腳復(fù)位來復(fù)位，從而允許軟件響應(yīng)于WoL事件而跳過對WoL寄存器的編程。 注意： 有關(guān)更多信息，請參見第3.8.4節(jié)“ LAN喚醒（WoL）”。 | R/W/ NASR | 0b |
| 7 | 收到完美的DA幀（PFDA_FR） MAC在收到帶有目標(biāo)地址的有效幀后將其設(shè)置為該位 與物理地址匹配。 | R / WC / NASR | 0b |
| 6 | 接收遠程喚醒幀（WUFR） MAC在收到有效的遠程喚醒幀后會設(shè)置該位。 | R / WC / NASR | 0b |
| 5 | 收到魔術(shù)包（MPR） MAC在收到有效的魔術(shù)包后將該位置1。 | R / WC / NASR | 0b |
| 4 | 收到廣播幀（BCAST_FR） MAC在收到有效的廣播幀后將該位置1。 | R / WC / NASR | 0b |
| 3 | 完善的DA喚醒啟用（PFDA_EN） 設(shè)置后，將啟用遠程喚醒模式，并且MAC能夠喚醒 接收到目標(biāo)地址與設(shè)備的物理地址匹配的幀。物理地址存儲在MAC接收地址A寄存器（RX_ADDRA），MAC接收地址B寄存器（RX_ADDRB）和MAC接收地址C寄存器（RX_ADDRC）中。 | R/W/ NASR | 0b |
| 2 | 喚醒幀啟用（WUEN） 設(shè)置后，將啟用遠程喚醒模式，并且MAC具有以下功能： 按照喚醒過濾器中的程序設(shè)置喚醒幀。 | R/W/ NASR | 0b |
| 1 | 魔術(shù)包啟用（MPEN） 置位時，啟用魔術(shù)包喚醒模式。 | R/W/ NASR | 0b |
| 0 | 廣播喚醒啟用（BCST_EN） 設(shè)置后，將啟用遠程喚醒模式，并且MAC能夠喚醒 從廣播幀開始。 | R/W/ NASR | 0b |
4.3.4 喚醒濾波器配置寄存器A（WUF_CFGA）
索引（十進制）： 3.32785
大小： 16位
| 15 | 篩選器啟用 0 = 禁用過濾器 1 = 啟用過濾器 | R/W/ NASR | 0b |
| 14 | 過濾觸發(fā) 0 = 未觸發(fā)過濾器 1 = 觸發(fā)過濾器 | R / WC / NASR | 0b |
| 13:11 | 保留的 | RO | - |
| 10 | 地址匹配啟用 設(shè)置后，目標(biāo)地址必須與編程的地址匹配。 清除后，將接受任何單播數(shù)據(jù)包。有關(guān)更多信息，請參見第3.8.4.4節(jié)“喚醒幀檢測”。 | R/W/ NASR | 0b |
| 9 | 過濾任何多播啟用 設(shè)置后，除廣播以外的任何多播數(shù)據(jù)包都會導(dǎo)致地址 比賽。有關(guān)更多信息，請參見第3.8.4.4節(jié)“喚醒幀檢測”。 注意： 該位的優(yōu)先級高于該寄存器的位10。 | R/W/ NASR | 0b |
| 8 | 過濾廣播啟用 設(shè)置后，任何廣播幀都將導(dǎo)致地址匹配。請參閱部分 3.8.4.4，“喚醒幀檢測”以獲取更多信息。 注意： 該位的優(yōu)先級高于該寄存器的位10。 | R/W/ NASR | 0b |
| 7:0 | 濾鏡圖案偏移 指定在其上進行CRC檢查的幀中第一個字節(jié)的偏移量 開始進行喚醒幀識別。偏移量0是傳入幀的目標(biāo)地址的第一個字節(jié)。 | R/W/ NASR | 00h |
4.3.5 喚醒濾波器配置寄存器B（WUF_CFGB）
索引（十進制）： 3.32786
大小： 16位
| 15:0 | 過濾器CRC-16 該字段為過濾器指定了預(yù)期的16位CRC值 通過使用模式偏移和為濾波器編程的字節(jié)掩碼獲得。將該值與在傳入幀上計算的CRC進行比較，并且匹配項表示接收到喚醒幀。 | R/W/ NASR | 0000h |
4.3.6 喚醒過濾器字節(jié)掩碼寄存器（WUF_MASK）
索引（十進制）： 3.32801
大小： 16位
| 15:0 | 喚醒過濾器字節(jié)掩碼[127：112] | R/W/ NASR | 0000h |
索引（十進制）： 3.32802
大小： 16位
| 15:0 | 喚醒過濾器字節(jié)掩碼[111：96] | R/W/ NASR | 0000h |
索引（十進制）： 3.32803
大小： 16位
| 15:0 | 喚醒過濾器字節(jié)掩碼[95:80] | R/W/ NASR | 0000h |
索引（十進制）： 3.32804
大小： 16位
| 15:0 | 喚醒過濾器字節(jié)掩碼[79:64] | R/W/ NASR | 0000h |
索引（十進制）： 3.32805
大小： 16位
| 15:0 | 喚醒過濾器字節(jié)掩碼[63:48] | R/W/ NASR | 0000h |
索引（十進制）： 3.32806
大小： 16位
| 15:0 | 喚醒過濾器字節(jié)掩碼[47:32] | R/W/ NASR | 0000h |
索引（十進制）： 3.32807
大小： 16位
| 15:0 | 喚醒過濾器字節(jié)掩碼[31:16] | R/W/ NASR | 0000h |
索引（十進制）： 3.32808
大小： 16位
| 15:0 | 喚醒過濾器字節(jié)掩碼[15：0] | R/W/ NASR | 0000h |
4.3.7 MAC接收地址A寄存器（RX_ADDRA）
索引（十進制）： 3.32865
大小： 16位
| 15:0 | 物理地址[47:32] | R/W/ NASR | FFFFh |
注意 ：必須以正確的字節(jié)順序?qū)AC地址加載到RX_ADDRA，RX_ADDRB和RX_ADDRC寄存器中。例如，應(yīng)按如下所示將MAC地址12：34：56：78：9A：BC加載到這些寄存器中：
RX_ADDRA = BC9Ah
RX_ADDRB = 7856h
RX_ADDRC = 3412h
4.3.8 MAC接收地址B寄存器（RX_ADDRB）
索引（十進制）： 3.32866
大小： 16位
| 15:0 | 物理地址[31:16] | R/W/ NASR | FFFFh |
注意 ：必須以正確的字節(jié)順序?qū)AC地址加載到RX_ADDRA，RX_ADDRB和RX_ADDRC寄存器中。例如，應(yīng)按如下所示將MAC地址12：34：56：78：9A：BC加載到這些寄存器中：
RX_ADDRA = BC9Ah
RX_ADDRB = 7856h
RX_ADDRC = 3412h
4.3.9 MAC接收地址C寄存器（RX_ADDRC）
索引（十進制）： 3.32867
大小： 16位
| 15:0 | 物理地址[15:0] | R/W/ NASR | FFFFh |
注意 ：必須以正確的字節(jié)順序?qū)AC地址加載到RX_ADDRA，RX_ADDRB和RX_ADDRC寄存器中。例如，應(yīng)按如下所示將MAC地址12：34：56：78：9A：BC加載到這些寄存器中：
RX_ADDRA = BC9Ah
RX_ADDRB = 7856h
RX_ADDRC = 3412h
4.3.10 其他配置寄存器（MCFGR）
索引（十進制）： 3.32868
大小： 16位
| 15:0 | nPME聲明延遲 當(dāng)nPME時，該寄存器控制nPME斷言時間的延遲。 喚醒控制和狀態(tài)寄存器（WUCSR）的自清除位被設(shè)置。每個計數(shù)等效于20 μs的延遲。最大延遲為1.31秒。時間=（寄存器值+ 1）x 20 μs。 | R/W/ NASR | 1000h |
4.3.11 供應(yīng)商特定的MMD 1設(shè)備ID 1寄存器
索引（十進制）： 30.2
大小： 16位
| 15:0 | 保留的 | RO | 0000h |
4.3.12 供應(yīng)商特定的MMD 1裝置ID 2寄存器
索引（十進制）： 30.3
大小： 16位
| 15:0 | 保留的 | RO | 0000h |
4.3.13 供應(yīng)商特定的1個MMD設(shè)備當(dāng)前1個寄存器
索引（十進制）： 30.5
大小： 16位
| 15:8 | 保留的 | RO | - |
| 7 | 自動協(xié)商存在 0 = 包中不存在自動協(xié)商 1 = 包中包含自動協(xié)商 | RO | 1b |
| 6 | TC存在 0 = 包裝中不存在TC 1 = 包裝中的TC | RO | 0b |
| 5 | DTE XS存在 0 = 軟件包中不包含DTE XS 1 = 封裝中包含DTE XS | RO | 0b |
| 4 | PHY XS存在 0 =封裝中不包含PHY XS 1 = 封裝中包含PHY XS | RO | 0b |
| 3 | PCS存在 0 = PCS不存在于包裝中 1 = 包裝中包含PCS | RO | 1b |
| 2 | WIS存在 0 = WIS不在包裝中 1 = 包裝中存在WIS | RO | 0b |
| 1 | PMD / PMA當(dāng)前 0 = PMD / PMA不存在于包裝中 1 = 包裝中存在PMD / PMA | RO | 0b |
| 0 | 條款22注冊 0 = 軟件包中不存在第22條寄存器 1 = 包裝中包含第22條寄存器 | RO | 0b |
4.3.14 供應(yīng)商特定的1 MMD設(shè)備當(dāng)前2寄存器
索引（十進制）： 30.6
大小： 16位
| 15 | 供應(yīng)商特定設(shè)備2存在 0 = 封裝中沒有供應(yīng)商特定的設(shè)備2 1 = 包裝中包含供應(yīng)商特定的設(shè)備2 | RO | 0b |
| 14 | 供應(yīng)商特定設(shè)備1存在 0 = 封裝中沒有供應(yīng)商專用設(shè)備1 1 = 包裝中包含供應(yīng)商特定的設(shè)備1 | RO | 1b |
| 13 | 第22條擴展存在 0 = 包裝中不存在第22條擴展 1 = 包裝中存在第22條擴展 | RO | 0b |
| 12:0 | 保留的 | RO | - |
4.3.15 供應(yīng)商特定的MMD 1狀態(tài)寄存器
索引（十進制）： 30.8
大小： 16位
| 15:14 | 設(shè)備存在 00 =該地址沒有設(shè)備響應(yīng) 01 =沒有設(shè)備在該地址響應(yīng) 10 =設(shè)備在該地址響應(yīng) 11 =沒有設(shè)備在該地址響應(yīng) | 10b | |
| 13:0 | 保留的 | RO | - |
4.3.16 TDR匹配閾值寄存器
索引（十進制）： 30.11
大小： 16位
| 15:10 | 保留的 | RO | - |
| 9:5 | TDR匹配高閾值 設(shè)置閾值以檢測匹配電纜。 | R/W | 5’h12 （請參閱注釋1） |
| 4:0 | TDR匹配下限閾值 設(shè)置下限閾值以檢測匹配電纜。 | R/W | 2009年5月5日 （請參閱注釋1） |
注釋1 ：軟件復(fù)位會將此寄存器的默認值置于不確定狀態(tài)。為了使TDR正常運行，必須將TDR短低閾值和TDR打開高閾值分別設(shè)置為5’h09和5’h12。
4.3.17 TDR短/開門限寄存器
索引（十進制）： 30.12
大小： 16位
| 15:10 | 保留的 | RO | - |
| 9:5 | TDR短低閾值 設(shè)置下限閾值以檢測電纜短路。 | R/W | 2009年5月5日 （請參閱注釋1） |
| 4:0 | TDR開放上限 設(shè)置檢測電纜斷線的上限閾值。 | R/W | 5’h12 （請參閱注釋1） |
注釋1 ：軟件復(fù)位會將此寄存器的默認值置于不確定狀態(tài)。為了使TDR正常運行，必須將TDR短低閾值和TDR打開高閾值分別設(shè)置為5’h09和5’h12。
4.3.18 供應(yīng)商特定的MMD 1軟件包ID 1寄存器
索引（十進制）： 30.14
大小： 16位
| 15:0 | 保留的 | RO | 0000h |
4.3.19 供應(yīng)商特定的MMD 1包裹ID 2寄存器
索引（十進制）： 30.15
大小： 16位
| 15:0 | 保留的 | RO | 0000h |
5.0 操作特性
5.1 絕對最大額定值*
電源電壓（VDDIO，VDD1A，VDD2A）（參見注釋1）
-0.5V- to +3.6V
數(shù)字內(nèi)核電源電壓（VDDCR）（參見注釋1）
-0.5V- to +1.5V
以太網(wǎng)磁性電源電壓
-0.5V- to +3.6V
輸入信號引腳上相對于地的正電壓（請參見注釋2）
VDDIO + 2.0 V
輸入信號引腳上的負電壓（相對于地）（請參見注釋3）
-0.5V
XTAL1 / CLKIN上的正電壓，相對于地
3.6V
儲存溫度…- 55oC至+ 150oC
引線溫度范圍…請參閱JEDEC規(guī)范。J-STD-020
HBM ESD性能JEDEC 3A級
**注釋1：**使用實驗室或系統(tǒng)電源為設(shè)備供電時，重要的是不要超過絕對最大額定值，否則可能導(dǎo)致設(shè)備故障。交流電源打開或關(guān)閉時，某些電源在其輸出上會出現(xiàn)電壓尖峰。此外，交流電源線上的電壓瞬變可能會出現(xiàn)在直流輸出上。如果存在這種可能性，建議使用鉗位電路。
注釋2: 此額定值不適用于以下引腳：XTAL1 / CLKIN，XTAL2，RBIAS。
注釋3: 此額定值不適用于以下引腳：RBIAS。
*超過本節(jié)所列的應(yīng)力可能會導(dǎo)致設(shè)備永久損壞。這僅是壓力等級。長時間暴露在絕對最大額定值條件下可能會影響設(shè)備的可靠性。不暗示在超過第5.2節(jié)“工作條件**”或本規(guī)范任何其他適用部分指出的條件下，設(shè)備的功能運行。請注意，除非另有說*明，*否則設(shè)備信號不能承受5.0V的電壓。
5.2 運行條件**
電源電壓（VDDIO）+1.62 V至+3.6 V
模擬端口電源電壓（VDD1A，VDD2A）+3.0 V至+3.6 V
數(shù)字內(nèi)核電源電壓（VDDCR）+1.14 V至+1.26 V
以太網(wǎng)磁性電源電壓+2.25 V至+3.6 V
靜止空氣（TA）中的環(huán)境工作溫度（請參見注釋1）
注1 ：商業(yè)版本為0°C至+ 70°C，工業(yè)版本為-40°C至+ 85°C。
注意： 在設(shè)備未通電的情況下，請勿驅(qū)動輸入信號。
5.3 封裝散熱規(guī)格
表5-1：包裝熱參數(shù)
| 熱阻 | ΘJA | 55.3 | 攝氏度/瓦 | 從模頭到周圍空氣的靜止空氣中測量 |
| 封裝頂部到結(jié)點 | ΨJT | 0.9 | 攝氏度/瓦 | 在靜止空氣中測量 |
注意： 根據(jù)JESD51，為多層2S2P PCB中的設(shè)備測量或估算熱參數(shù)。
5.4 能量消耗
本節(jié)詳細介紹了在各種工作條件下進行的設(shè)備功率測量。除非另有說明，否則所有測量均使用標(biāo)稱值（VDDIO，VDD1A，VDD2A = 3.3 V，VDDCR = 1.2 V）的電源進行。有關(guān)省電模式的說明，請參見第3.8.3節(jié)“省電模式”。
5.4.1 REF_CLK輸入模式
5.4.1.1 調(diào)節(jié)器禁用
表5-2： 電流消耗和功耗（REF_CLK IN，REG。已禁用）
| 復(fù)位 | 典型 | 9.8 | 11 | 9.8 | 50 |
| 100BASE-TX / W交通 | 典型 | 27 | 20 | 70 | 124 |
| 10BASE-T / W交通 | 典型 | 10 | 13 | 114 | 54 |
| 能源檢測掉電 | 典型 | 4.6 | 2.1 | 4.6 | 19 |
| 一般掉電 | 典型 | 0.8 | 1.9 | 0.7 | 5.3 |
5.4.1.2 穩(wěn)壓器已啟用
表5-3： 電流消耗和功耗（REF_CLK IN，REG。已啟用）
| 復(fù)位 | 典型 | 21 | 21 | 71 |
| 100BASE-TX / W交通 | 典型 | 50 | 92 | 163 |
| 10BASE-T / W交通 | 典型 | 24 | 129 | 81 |
| 能源檢測掉電 | 典型 | 6.8 | 6.9 | 23 |
| 一般掉電 | 典型 | 3.5 | 3.5 | 12 |
5.4.2 REF_CLK輸出模式
5.4.2.1 調(diào)節(jié)器禁用
表5-4： 電流消耗和功耗（REF_CLK OUT，REG。已禁用）
| 復(fù)位 | 典型 | 20 | 11 | 20 | 86 |
| 100BASE-TX / W交通 | 典型 | 37 | 20 | 79 | 160 |
| 10BASE-T / W交通 | 典型 | 20 | 13 | 124 | 88 |
| 能源檢測掉電 | 典型 | 4.5 | 1.7 | 4.4 | 18 |
| 一般掉電 | 典型 | 1.0 | 1.3 | 0.9 | 6.4 |
5.4.2.2 穩(wěn)壓器已啟用
表5-5： 電流消耗和功耗（REF_CLK OUT，REG。已啟用）
| 復(fù)位 | 典型 | 31 | 31 | 103 |
| 100BASE-TX / W交通 | 典型 | 59 | 102 | 195 |
| 10BASE-T / W交通 | 典型 | 34 | 139 | 112 |
| 能源檢測掉電 | 典型 | 6.5 | 6.4 | 21 |
| 一般掉電 | 典型 | 3.2 | 3.2 | 11 |
5.5 直流規(guī)格
表5-6詳細說明了非可變I / O緩沖區(qū)的特征。這些緩沖器類型不支持可變電壓操作。表5-7詳細列出了可變電壓I / O緩沖器的特性。提供了針對1.8 V，2.5 V和3.3 V VDDIO情況的典型值。
表5-6：不變的I / O緩沖區(qū)特征
| IS類型輸入緩沖器 | ||||||
| 低輸入電平 | VILI | -0.3 | V | |||
| 高輸入電平 | VIHI | 3.6 | V | |||
| 負向閾值 | VILT | 1.01 | 1.19 | 1.39 | V | 施密特觸發(fā)器 |
| 正向閾值 | VIHT | 1.39 | 1.59 | 1.79 | V | 施密特觸發(fā)器 |
| 施密特觸發(fā)器磁滯（VIHT-VILT） | VHYS | 336 | 399 | 459 | mV | |
| 輸入泄漏 （VIN = VSS或VDDIO） | IIH | -10 | 10 | uA | （請參閱注釋1） | |
| 輸入電容 | CIN | 2 | pF | |||
| O12型緩沖器 | ||||||
| 低輸出電平 | VOL | 0.4 | V | IOL = 12 mA | ||
| 高輸出電平 | VOH | VDD2A-0.4 | V | IOH = -12 mA | ||
| ICLK類型緩沖器（XTAL1輸入） | （見注釋2） | |||||
| 低輸入電平 | VILI | -0.3 | 0.35 | V | ||
| 高輸入電平 | VIHI | VDDCR-0.35 | 3.6 | V |
注1 ：該規(guī)范適用于所有輸入和三態(tài)雙向引腳。內(nèi)部下拉電阻和上拉電阻每引腳（典型值）增加±50μA。
注2 ：XTAL1 / CLKIN可以選擇由25 MHz單端時鐘振蕩器驅(qū)動。
表5-7： 可變的I / O緩沖區(qū)特征
| VIS類型輸入緩沖器 | ||||||||
| 低輸入電平 | VILI | -0.3 | V | |||||
| 高輸入電平 | VIHI | 3.6 | V | |||||
| 負閾值 | VILT | 0.64 | 0.83 | 1.15 | 1.41 | 1.76 | V | 施密特觸發(fā)器 |
| 正向閾值 | VIHT | 0.81 | 0.99 | 1.29 | 1.65 | 1.90 | V | 施密特觸發(fā)器 |
| 施密特觸發(fā)器滯后（VIHT-VILT） | VHYS | 102 | 158 | 136 | 138 | 288 | 毫伏 | |
| 輸入泄漏 （VIN = VSS或VDDIO） | IIH | -10 | 10 | 微安 | （請參閱注釋1） | |||
| 輸入電容 | CIN | 2 | F | |||||
| VO8型緩沖器 | ||||||||
| 低輸出電平 | VOL | 0.4 | V | IOL = 8 mA | ||||
| 高輸出水平 | VOH | VDDIO-0.4 | V | IOH = -8 mA | ||||
| VO8型緩沖器 | ||||||||
| 低輸出水平 | VOL | 0.4 | V | IOL = 8 mA |
注釋1：該規(guī)范適用于所有輸入和三態(tài)雙向引腳。內(nèi)部下拉電阻和上拉電阻每引腳（典型值）增加±50 μA。
表5-8： 100BASE-TX收發(fā)器特性
| 峰值差分輸出電壓高 | VPPH | 950 | - | 1050 | mVpk | （請參閱注釋1） |
| 峰值差分輸出電壓低 | VPPL | -950 | - | -1050 | mVpk | （請參閱注釋1） |
| 信號幅度對稱 | VSS | 98 | - | 102 | % | （請參閱注釋1） |
| 信號上升和下降時間 | TRF | 3.0 | - | 5.0 | ns | （請參閱注釋1） |
| 上升和下降對稱 | TRFS | - | - | 0.5 | ns | （請參閱注釋1） |
| 占空比失真 | DCD | 35 | 50 | 65 | % | （見注釋2） |
| 過沖和下沖 | VOS | - | - | 5 | % | |
| 抖動 | 1.4 | ns | （見注釋3） |
注釋1 ：在變壓器的線路側(cè)測量，線路被100Ω（±1％）電阻代替。
注釋2 ：在脈沖峰值的50％時從16 ns脈沖寬度偏移。
注釋3 ： 差分測量。
表5-9： 10BASE-T收發(fā)器特性
| 變送器峰值差分輸出電壓 | VOUT | 2.2 | 2.5 | 2.8 | V | （請參閱注釋1） |
| 接收器差分靜噪閾值 | VDS | 300 | 420 | 585 | mV |
注1 ：保證的最小/最大電壓是在100Ω電阻負載下測得的。
5.6 交流規(guī)格
本節(jié)詳細介紹了設(shè)備的各種交流時序規(guī)范。
5.6.1 等效測試負荷
除非另有說明，否則輸出時序規(guī)范假定等效測試負載為25 pF，如下圖5-1所示。
5.6.2 電源序列時序
該圖說明了設(shè)備電源排序的要求。VDDIO，VDD1A，VDD2A和電磁電源可以以任何順序打開，只要它們都在指定的時間段tpon內(nèi)達到工作電平即可。只要設(shè)備電源在指定時間段tpoff內(nèi)全部達到0伏，就可以以任何順序關(guān)閉電源。
VDD1A / VDD2A電源在VDDCR和VDDIO電源處于零伏的狀態(tài)下保持不超過750 ms的時間是可以接受的。在這種情況下，必須在VDDCR和/或VDDIO處于關(guān)閉狀態(tài)時斷言nRESET，并且必須在VDDCR和VDDIO電源達到工作電平后至少50 ms保持置位狀態(tài)。另外，VDDIO必須在VDDCR電源之后或之后提供。配置帶必須滿足第5.6.3節(jié)“開機nRST和配置帶時序”中指定的要求。
表5-10： 功率序列時序值
| pon | 電源開啟時間 | 50 | ms | ||
| tpoff | 電源關(guān)閉時間 | 500 | ms |
**注意：**禁用內(nèi)部穩(wěn)壓器時，VDDCR和3.3V電源之間存在上電排序關(guān)系。有關(guān)更多信息，請參見第3.7.3節(jié)“ REGOFF： 內(nèi)部+1.2 V穩(wěn)壓器配置”。
5.6.3 上電nRST和配置分段時序
該圖說明了與上電有關(guān)的nRST復(fù)位和配置帶時序要求。上電后需要進行硬件復(fù)位（nRST斷言）。為了正確運行，必須斷言nRST不小于trstia。可以隨時將nRST引腳置為有效，但是在所有外部電源都達到工作電平后，才可以在置位之前將nRST引腳置為無效。為了在上電時讀取有效的配置帶值，必須遵循tcss和tcsh時序約束。有關(guān)更多信息，請參見第3.8.6節(jié)“重置”。
圖5-3： 上電nRST和配置分段時序
表5-11：上電nRST和配置表帶時序值
| tpurstd | 外部電源在操作級別上達到nRST斷言 | 25 | ms | ||
| tpurstv | 處于操作級別且nRST有效的外部電源 | 0 | ns | ||
| trstia | nRST輸入斷言時間 | 100 | us | ||
| tcss | 配置表帶引腳設(shè)置為nRST無效 | 200 | ns | ||
| tcsh | nRST置低后，配置帶狀引腳保持固定 | 1 | ns | ||
| totaa | nRST斷言后輸出三態(tài) | 50 | ns | ||
| todad | nRST置低后的輸出驅(qū)動器 | 2 | 800 （請參閱注釋1） | ns |
注意：nRST斷言必須是單調(diào)的。
注意 ：由于nRST斷言，設(shè)備配置帶被鎖存。有關(guān)詳細信息，請參見第3.7節(jié)“配置帶”。配置帶只能拉高或拉低，并且不能作為輸入驅(qū)動。
注1 ：25 MHz時20個時鐘周期，或50 MHz時40個時鐘周期
5.6.4 RMII接口時序
5.6.4.1 RMII時序（REF_CLK輸出模式）
50 MHz REF_CLK OUT時序適用于將nINTSEL拉低的情況。在這種模式下，必須在XTAL1/CLKIN和XTAL2引腳上輸入25MHz的晶體或時鐘振蕩器。有關(guān)REF_CLK輸出模式的更多信息，請參見第3.7.4.2節(jié)“REF_CLK輸出模式”。
**注意：**CRS_DV引腳同時執(zhí)行載波偵聽和數(shù)據(jù)有效功能。由于與操作模式有關(guān)的標(biāo)準(zhǔn)，CRS_DV在檢測到載波時會被異步聲明。如果在初始取消激活CRS_DV之后PHY還有其他位要在RXD[1：0]上顯示，則器件將在REF_CLK的周期上聲明CRS_DV，這將提供每個半字節(jié)的第二位，并在REF_CLK的周期上聲明CRS_DV無效。表示半字節(jié)的第一個di位。有關(guān)更多信息，請參考RMII規(guī)范。
圖5-4： RMII時序（REF_CLK OUT MODE）
表5-12： RMII時序值（REF_CLK輸出模式）
| tclkp | REFCLKO周期 | 20 | ns | ||
| tclkh | REFCLKO高電平時間 | tclkp * 0.4 | tclkp * 0.6 | ns | |
| tclkl | REFCLKO低電平時間 | tclkp * 0.4 | tclkp * 0.6 | ns | |
| toval | 從REFCLKO的上升沿開始的RXD [1：0]，RXER，CRS_DV輸出有效 | 7.0 | ns | （請參閱注釋1） | |
| toinvld | 從REFCLKO的上升沿開始，RXD [1：0]，RXER，CRS_DV輸出無效 | 3.0 | ns | （請參閱注釋1） | |
| tsu | TXD [1：0]，TXEN建立時間到REFCLKO的上升沿 | 7.5 | ns | （請參閱注釋1） | |
| tihold | TXD [1：0]，REFCLKO的上升沿之后的TXEN輸入保持時間 | 2.0 | ns | （請參閱注釋1） |
注1 ：定時設(shè)計用于10 pf至25 pf的系統(tǒng)負載。
5.6.4.2 RMII時序（REF_CLK輸入模式）
50 MHz REF_CLK IN時序適用于nINTSEL懸空或拉高的情況。在此模式下，必須在CLKIN引腳上輸入50 MHz時鐘。有關(guān)REF_CLK模式的更多信息，請參見第3.7.4節(jié)“ nINTSEL：nINT / REFCLKO配置”。
**注意：**CRS_DV引腳同時執(zhí)行載波偵聽和數(shù)據(jù)有效功能。由于與操作模式有關(guān)的標(biāo)準(zhǔn)，CRS_DV在檢測到載波時會被異步聲明。如果在初始取消激活CRS_DV之后PHY還有其他位要在RXD [1：0]上顯示，則器件將在REF_CLK的周期上聲明CRS_DV，這將提供每個半字節(jié)的第二位，并在REF_CLK的周期上聲明CRS_DV無效。表示半字節(jié)的第一個di位。有關(guān)更多信息，請參考RMII規(guī)范。
圖5-5： RMII時序（REF_CLK IN MODE）
表5-13： RMII時序值（REF_CLK IN MODE）
| tclkp | 克金期 | 20 | ns | |||
| tclkh | CLKIN高時間 | tclkp * 0.35 | tclkp * 0.65 | ns | ||
| tclkl | CLKIN低時間 | tclkp * 0.35 | tclkp * 0.65 | ns | ||
| toval | RXD [1：0]，RXER，CRS_DV輸出 從CLKIN的上升沿開始有效 | 15.0 | ns | （請參閱注釋1） | ||
| toinvld | RXD [1：0]，RXER，CRS_DV輸出 從CLKIN的上升沿起無效 | 3.0 | ns | （請參閱注釋1） | ||
| tsu | TXD [1：0]，TXEN建立時間到CLKIN的上升沿 | 4.0 | ns | （請參閱注釋1） | ||
| tihold | TXD [1：0]，CLKIN上升沿之后的TXEN輸入保持時間 | 1.5 | ns | （請參閱注釋1） |
注1 ：時序設(shè)計用于10 pF至25 pF的系統(tǒng)負載。
5.6.4.3 RMII CLKIN要求
表5-14： RMII CLKIN（REF_CLK）時序值
| CLKIN 頻率 | 50 | MHz | |||
| CLKIN 頻率漂移 | ±50 | ppm | |||
| CLKIN 占空比 | 40 | 60 | % | ||
| CLKIN 抖動 | 150 | ps | p-p –不是RMS |
5.6.5 SMI時序
本節(jié)指定設(shè)備的SMI時序。有關(guān)更多詳細信息，請參見第3.5節(jié)“串行管理接口（SMI）”。
圖5-6： SMI 時序
表5-15： SMI時序值
| tclkp | MDC期間 | 400 | ns | |
| tclkh | MDC高時間 | 160 (80%) | ns | |
| t~clkl ~ | MDC低時間 | 160 (80%) | ns | |
| tval | 從MDC的上升沿有效的MDIO（從PHY讀取）輸出 | 300 | ns | |
| toinvld | MDIO的上升沿導(dǎo)致MDIO（從PHY讀取）輸出無效 | 0 | ns | |
| tsu | 到MDC上升沿的MDIO（寫入PHY）建立時間 | 10 | ns | |
| tihold | MDC上升沿之后的MDIO（寫入PHY）輸入保持時間 | 10 | ns |
5.7 時鐘電路
該器件可以接受25 MHz晶體或25 MHz單端時鐘振蕩器（±50ppm）輸入。如果采用單端時鐘振蕩器方法，則應(yīng)使XTAL2保持未連接狀態(tài)，并用標(biāo)稱0-3.3 V時鐘信號驅(qū)動XTAL1 / CLKIN。輸入時鐘占空比為最小40％，典型50％和最大60％。
建議將使用匹配并聯(lián)負載電容器的晶體用于晶體輸入/輸出信號（XTAL1 / XTAL2）。可以使用300 μW或100 μW的25 MHz晶體。第5.7.1節(jié)“ 300 μW 25 MHz晶體規(guī)范”中詳細介紹了300 μW 25 MHz晶體規(guī)范。第5.7.2節(jié)“ 100 μW 25 MHz晶體規(guī)范”中詳細介紹了100 μW 25 MHz晶體規(guī)范。
5.7.1 300 μW 25 MHZ晶體規(guī)格
當(dāng)使用300 μW 25 MHz晶振時，需要以下電路設(shè)計（圖5-7）和規(guī)格（表5-16），以確保正常工作。
圖5-7： 300 μW 25 MHZ晶體電路
表5-16：300 μW晶體規(guī)格
| 晶振切工 | AT，典型 | |||||
| 晶體振蕩模式 | 基本模式 | |||||
| 晶體校準(zhǔn)模式 | 并聯(lián)共振模式 | |||||
| 頻率 | Ffund | - | 25.000 | - | MHz | |
| 25 ℃時的頻率容限 | Ftol | - | - | ±50 | ppm | （請參閱注釋1） |
| 頻率溫度穩(wěn)定性 | Ftemp | - | - | ±50 | ppm | （請參閱注釋1） |
| 隨時間變化的頻率 | Fage | - | ±3至5 | - | ppm | （見注2） |
| 允許的PPM總預(yù)算 | - | - | ±50 | ppm | （見注3） | |
| 分流電容 | CO | - | 7 typ | - | pF | |
| 負載電容 | CL | - | 20 typ | - | pF | |
| 驅(qū)動等級 | PW | 300 | - | - | uW | |
| 等效串聯(lián)電阻 | R1 | - | - | 50 | ? | |
| 工作溫度范圍 | （見注4） | - | （見注5） | ℃ | ||
| XTAL1/CLKIN引腳電容 | - | 3 typ | - | pF | （見注6） | |
| XTAL2引腳電容 | - | 3typ | - | pF | （見注6） |
注釋1 ：頻率公差和頻率穩(wěn)定性的最大允許值取決于應(yīng)用。由于任何特定的應(yīng)用都必須滿足IEEE±50 ppm的總PPM預(yù)算，因此這兩個值的組合必須大約為±45 ppm（允許老化）。
注釋2 ：隨時間變化的頻率也稱為老化。
注釋3 ：發(fā)送器時鐘頻率的總偏差由IEEE 802.3u指定為 ±50 ppm。
注釋4 ：商業(yè)版本為0°C，工業(yè)版本為-40°C
注釋5 ： 商業(yè)版+ 70°C，工業(yè)版+ 85°C
注釋6 ：該數(shù)字包括焊盤，鍵合線和引線框。該值不包括PCB電容。需要XTAL1 /CLKIN引腳，XTAL2引腳和PCB電容值才能準(zhǔn)確計算兩個外部負載電容器的值。這兩個外部負載電容器確定25.000MHz頻率的精度。
5.7.2 100 μW 25 MHZ晶體規(guī)范
當(dāng)使用100 μW 25 MHz晶振時，需要以下電路設(shè)計（圖5-8）和規(guī)格（表5-17），以確保正常工作。
表5-17： 100 μW晶體規(guī)格
| 水晶切工 | AT，典型 | |||||
| 晶體振蕩模式 | 基本模式 | |||||
| 晶體校準(zhǔn)模式 | 并聯(lián)共振模式 | |||||
| 頻率 | Ffund | - | 25.000 | - | MHz | |
| 25oC時的頻率容限 | Ftol | - | - | ±50 | ppm | （請參閱注釋1） |
| 頻率溫度穩(wěn)定性 | Ftemp | - | - | ±50 | ppm | （請參閱注釋1） |
| 隨時間變化的頻率 | Fage | - | ±3至5 | - | ppm | （見注2） |
| 允許的PPM總預(yù)算 | - | - | ±50 | ppm | （見注3） | |
| 分流電容 | CO | - | - | 5 | pF | |
| 負載電容 | CL | 8 | - | 12 | pF | |
| 驅(qū)動等級 | PW | - | 100 | - | uW | （見注4） |
| 等效串聯(lián)電阻 | R1 | - | - | 80 | ? | |
| XTAL2系列電阻器 | RS | 495 | 500 | 505 | Ohm | |
| 工作溫度范圍 | （見注5） | - | （見注6） | ℃ | ||
| XTAL1/CLKIN引腳電容 | - | 3 typ | - | pF | （請參閱注釋7） | |
| XTAL2引腳電容 | - | 3 typ | - | pF | （請參閱注釋7） |
注釋1 ：頻率公差和頻率穩(wěn)定性的最大允許值取決于應(yīng)用。由于任何特定的應(yīng)用都必須滿足IEEE±50ppm的總PPM預(yù)算，因此這兩個值的組合必須大約為±45 ppm（允許老化）。
注釋2 ：隨時間變化的頻率也稱為老化。
注釋3 ：發(fā)送器時鐘頻率的總偏差由IEEE 802.3u指定為 ±50 ppm。
注釋4 ：晶振必須支持100 μW操作才能使用該電路。
注釋5 ：商業(yè)版本為0°C，工業(yè)版本為-40°C
注釋6 ： 商業(yè)版+ 70°C，工業(yè)版+ 85°C
注釋7 ：該數(shù)字包括焊盤，鍵合線和引線框。該值不包括PCB電容。需要XTAL1/CLKIN引腳，XTAL2引腳和PCB電容值才能準(zhǔn)確計算兩個外部負載電容器的值（圖5-8中的C1和C2）。外部負載電容器C1和C2確定25.000 MHz頻率的精度。
6.0 包裝概述
此處請自行查閱原數(shù)據(jù)手冊
總結(jié)
以上是生活随笔為你收集整理的LAN8742 教程(2) 数据手册 中文翻译(2)的全部內(nèi)容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。
- 上一篇： springboot+vue实现手机验证
- 下一篇： win7 svn客户端 不显示绿色小