存儲(chǔ)器按其存儲(chǔ)介質(zhì)特性主要分為“易失性存儲(chǔ)器”和“非易失性存儲(chǔ)器”兩大類。其中的“易失/非易失”是指存儲(chǔ)器斷電后， 它存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)內(nèi)容是否會(huì)丟失的特性。由于一般易失性存儲(chǔ)器存取速度快，而非易失性存儲(chǔ)器可長(zhǎng)期保存數(shù)據(jù)， 它們都在計(jì)算機(jī)中占據(jù)著重要角色。在計(jì)算機(jī)中易失性存儲(chǔ)器最典型的代表是內(nèi)存，非易失性存儲(chǔ)器的代表則是硬盤。

易失性存儲(chǔ)器

1、RAM（Random Access Memory）：隨機(jī)存儲(chǔ)器。可隨意讀取存儲(chǔ)器內(nèi)部任意地址的數(shù)據(jù)，所需時(shí)間與數(shù)據(jù)所在位置無關(guān)，時(shí)間都是相同的。

根據(jù)RAM的存儲(chǔ)機(jī)制，又分為動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器DRAM(Dynamic RAM)以及靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器SRAM(Static RAM)兩種。

DRAM：動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。存儲(chǔ)單元以電容的電荷來表示數(shù)據(jù)，有電荷代表1，無電荷代表0。但隨著時(shí)間延長(zhǎng)，代表1的電容會(huì)放電，代表0的電容會(huì)吸收電荷，因此它需要定期刷新操作，即“動(dòng)態(tài)(Dynamic)“的特性。 刷新操作會(huì)對(duì)電容進(jìn)行檢查，若電量大于滿電量的1/2，則認(rèn)為其代表1，并把電容充滿電；若電量小于1/2，則認(rèn)為其代表0，并把電容放電，藉此來保證數(shù)據(jù)的正確性。

根據(jù)DRAM的通訊時(shí)是否需要使用時(shí)鐘信號(hào)，又分為同步和異步兩種。

SDRAM（Synchronous DRAM）：使用時(shí)鐘同步的通訊，速度更快，在時(shí)鐘的上升沿表示有效數(shù)據(jù)。

DDR SDRAM（Double Data Rate SDRAM）：可以在時(shí)鐘的上升沿和下降沿各表示一個(gè)數(shù)據(jù)，即一個(gè)時(shí)鐘周期可以表示2位數(shù)據(jù)，在時(shí)鐘頻率相同的情況下，與SDRAM相比速度提高了一倍。至于DDRII和DDRIII，它們的通訊方式?jīng)]有區(qū)別，主要是通訊同步時(shí)鐘的頻率提高了。

2、SRAM：靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。存儲(chǔ)單元以鎖存器存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，不需要定時(shí)刷新充電就能保持狀態(tài)。SRAM根據(jù)其通訊方式也分為同步(SSRAM)和異步SRAM，相對(duì)來說，異步SRAM用得比較廣泛。

3、DRAM和SRAM比較

DRAM的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單得多，所以生產(chǎn)相同容量的存儲(chǔ)器，DRAM的成本要更低，且集成度更高。 而DRAM中的電容結(jié)構(gòu)則決定了它的存取速度不如SRAM。所以在實(shí)際應(yīng)用場(chǎng)合中，SRAM一般只用于CPU內(nèi)部的高速緩存(Cache)，而外部擴(kuò)展的內(nèi)存一般使用DRAM。?

非易失性存儲(chǔ)器

1、ROM（Read Only Memory）：只讀存儲(chǔ)器。一般用于指代非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器。

MASK ROM：掩膜只讀存儲(chǔ)器。內(nèi)部存儲(chǔ)數(shù)據(jù)不可修改，大批量生產(chǎn)時(shí)成本低。

OTPROM（One Time Programmable ROM）：一次可編程存儲(chǔ)器。用戶可以使用專用編程器自己寫入資料，但只能寫入一次，寫入后內(nèi)容不可修改。

EPROM（Erasable Programmable ROM）：可重復(fù)擦寫的存儲(chǔ)器。使用紫外線照射芯片內(nèi)部擦除數(shù)據(jù)，擦除和寫入需要專用設(shè)備。

EEPROM（Electrically Erasable Programmable ROM）：電可擦拆存儲(chǔ)器。EEPROM可以重復(fù)擦寫，它的擦除和寫入都是直接使用電路控制， 不需要再使用外部設(shè)備來擦寫。而且可以按字節(jié)為單位修改數(shù)據(jù)，無需整個(gè)芯片擦除。

2、FLASH存儲(chǔ)器：閃存。可重復(fù)擦寫的存儲(chǔ)器，容量一般比EEPROM大得多， 且在擦除時(shí)，一般以多個(gè)字節(jié)為單位。

根據(jù)存儲(chǔ)單元電路的不同， FLASH存儲(chǔ)器又分為NOR FLASH和NAND FLASH。

NOR與NAND的共性是在數(shù)據(jù)寫入前都需要有擦除操作，而擦除操作一般是以“扇區(qū)/塊”為單位的。 而NOR與NAND特性的差別，主要是由于其內(nèi)部“地址/數(shù)據(jù)線”是否分開導(dǎo)致的。

NOR的地址線和數(shù)據(jù)線分開，可以按“字節(jié)”讀寫數(shù)據(jù)，符合CPU的指令譯碼執(zhí)行要求，所以假如NOR上存儲(chǔ)了代碼指令， CPU給NOR一個(gè)地址，NOR就能向CPU返回一個(gè)數(shù)據(jù)讓CPU執(zhí)行，中間不需要額外的處理操作。

而NAND的數(shù)據(jù)和地址線共用，只能按“塊”來讀寫數(shù)據(jù)，假如NAND上存儲(chǔ)了代碼指令，CPU給NAND地址后， 它無法直接返回該地址的數(shù)據(jù)，所以不符合指令譯碼要求。若代碼存儲(chǔ)在NAND上，可以把它先加載到RAM存儲(chǔ)器上，再由CPU執(zhí)行。所以在功能上可以認(rèn)為NOR是一種斷電后數(shù)據(jù)不丟失的RAM， 但它的擦除單位與RAM有區(qū)別，且讀寫速度比RAM要慢得多。

另外，FLASH的擦除次數(shù)都是有限的(現(xiàn)在普遍是10萬(wàn)次左右)，當(dāng)它的使用接近壽命的時(shí)候，可能會(huì)出現(xiàn)寫操作失敗。 由于NAND通常是整塊擦寫，塊內(nèi)有一位失效整個(gè)塊就會(huì)失效（壞塊），而且由于擦寫過程復(fù)雜，從整體來說NOR壞塊更少， 壽命更長(zhǎng)。由于可能存在壞塊，所以FLASH存儲(chǔ)器需要“探測(cè)/錯(cuò)誤更正(EDC/ECC)”算法來確保數(shù)據(jù)的正確性。

由于兩種FLASH存儲(chǔ)器特性的差異，NOR FLASH一般應(yīng)用在代碼存儲(chǔ)的場(chǎng)合，如嵌入式控制器內(nèi)部的程序存儲(chǔ)空間。 而NAND FLASH一般應(yīng)用在大數(shù)據(jù)量存儲(chǔ)的場(chǎng)合，包括SD卡、U盤以及固態(tài)硬盤等，都是NAND FLASH類型的。

總結(jié)

以上是生活随笔為你收集整理的常用存储器分类介绍的全部?jī)?nèi)容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。

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