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電容式TP的動作原理

????????PS:電容式TP動作原理是利用人體電流感應來進行的，當人的手指觸摸在TP上，與Panle上的ito電路形成一個耦合電容（電容效應），於是手指從觸控點上吸走了一個微小的電流，經由ITO線路將電流值回傳給搭配IC的運算，就能計算出觸控點所在的位置.

物理電容解讀

1.電容器定義：任何兩個彼此絕緣又相隔很相近的導體，組成一個電容器。電容器符號： ? ， 最簡單的電容器--平行板電容器：在兩個正對的平行電極板間夾上一層電介質（絕緣體)

2.電容：描述電容器容納電荷本領大小的物理量。?

3.電容公式：C=Q/U=εs/4πkd (ε:絕緣介質的介電常數，s:正對面積，k：靜電力常量k=9.0×109N·m2/C2 ，π：圓周率， d：極板間的距離，Q：極板上帶的電荷量，U：極板兩端電壓)

4.電容公式意義：平行板電容器的電容C跟介電常數ε成正比，輿正對面積s成正比，跟極板間的距離d成反比.

5.當觸摸TP時，手指與TP就組成了一個平行板電容器：

電容式TP的工作原理?

1.當觸摸TP時，手指與TP就組成了一個平行板電容器：

上極板：手指

絕緣體介質:LENS

下極板：ITO

2.此電容器的電容 C =εS／4kπd，因為ε，k，π，d都是固定值，所以實際上此電容可以簡化為C =AS，（這裡A=ε／4kπd，是固定值）

3. C =AS：意味著電容跟觸點面積S成正比。手觸TP，手與ITO間產生了電容。

4. 再看公式 C = Q／U，U是由IC給定，當觸摸TP產生電容，電壓U不變，C增大，則Q增大，因此ITO出現了電荷的增加，電荷的變化產生了電流I （I=△Q/ △t ）

5. 受觸的ITO線路將此電流值回傳給搭配IC的運算，IC就計算出哪一條ITO的電流值，就能計算出觸控點所在的位置.

觸摸屏位置中心座標算法

例如：觸點覆蓋ITO線路4,5,6，電容值：P4=10K,P5=15K,P6=6K

那麼算出的觸點座標X=（10K*4+15K*5+6K*6）/(10K+15K+6K)=4.87

G+F 結構

用于單點+手勢/虛擬兩點/多點

搭配芯片： 單點+手勢： MSG2133A ? FT6206 ??

? ? ? ? ? ? ? ? ? ?分區兩點： ? ?FT6306，FT6336 MSG2138A，MSG2238

? ? ? ? ? ? ? ? ? ? 單層多點：GT9147/GT9157

G+F 結構Sensor

G+F+F 結構

用于雙層多點搭配芯片：GT9157 ?FT5336 ? 等?

G+F+F 結構Sensor

CG 工藝介紹

SENSOR 主要工藝介紹

SENSOR 前段工藝介紹

SENSOR 后段工藝介紹

SENSOR ?黃光工藝介紹

FPC工藝介紹一

FPC主要材料

FPC結構介紹

OZ=T=0.0034287厘米=34.287um 1 ?MIL=25.4um

設計介紹

CG設計介紹

CG倒角外R最小R0.3，內R最小R0.6 ?MID開孔最小R0.6

絲印最小間距0.15mm

蓋板設計外形以及開孔盡量正反對稱，若有MID孔盡量偏一邊

玻璃選材：康寧: 0.55/0.70/1.00mm

? ? ? ? ? ? ? ? ? 旭硝子:0.55/0.70/0.95/1.10mm

厚度設計介紹

機殼設計注意：

1.保證TP離上表面0.15-0.2mm跌落破裂風險較小

2.單層TP與LCD距離0.3mm以上.

電氣/光學性能介紹

??電氣性能項目	規格		備注
	G+F	G+F+F
?反應時間	<35ms	<25ms	需確認客戶平臺
刷新頻率	70-120HZ	80-100HZ	不同IC存在差異
電壓/電流	參照具體IC型號	參照具體IC型號
操作功能	單點+手勢/多點	多點（5點）
PIN角定義	依項目圖紙為準	依項目圖紙為準
分位確認	依最新分位確認表為準	依最新分位確認表為準
工作原理	參照具體IC型號	參照具體IC型號

??光學性能項目	測試標準	數量	備注
透光	1.中心點?>85% 2.IR:?550nm:?10±5%;?850nm?>70%;? 3按鍵區:?550nm:?40±5%. 4.根據具體項目要求執行.	3PCS	550為可見光 850為紅外光
霧化率	<3%	3PCS

主要測試項目介紹

測試項目	測試標準	影響因素	????備注
落球測試	1、50g，70cm?或130g，30cm 中心點跌落三次無破損	DOL??CS
線性度	所有報點需要滿足如下規格： 雙層ITO結構：+/-2.0mm; 單層ITO結構+/-2.5mm	IC性能 ITO方阻大小及阻抗均勻性 靜電干擾.	直徑8mm銅棒分別畫橫線、豎線、交叉線
精準度	所有報點需要滿足如下規格： 雙層CTP?ITO結構： 中心點：+/-1.5mm; 邊緣點：+/-2.0mm 單層CTP?ITO結構： 中心點：+/-2.0mm; 邊緣點：+/-2.5mm?	IC性能 ITO??Pitch ITO??GAP 靜電干擾

TP異常處理方向

A.無動作可以從以下方面檢測：

? ?a.連接器連接是否OK，是否有短路問題. （整面）

? ?b.FPC走線區是否有折傷/斷裂. （整面）

? ?c.組裝時ITO層刮傷. （區域）

? ?d.FPC受拉力過大，把TP的壓合區拉傷. （整面或區域）

? ?e.IC或其它元器件受擠壓，造成原器件松動或脫落. （整面)

? ?f.TP分辨率是否設定OK（區域）

B.線性度/靈敏度：

? ?a.主要取決于ITO PITCH及ITO GAP值, ：

? ?b.降低ITO PITCH及ITO GAP值,增加通道數提升相應性能.

? ?c.抗干擾設計防護可以保證固有線性度、靈敏度.

C.為避免測試功能后非法斷電導致IC的Flash數據損壞；

? ? 建議在測試完后，先斷測試工具的電源后再拔取TP；

TP防ESD注意事項

• FPC邊緣與機殼的孔或縫隙的距離盡量大于3mm，避免ESD直接對FPC放電；

• 客戶端機殼，盡量選用金屬接地外殼，防ESD效果會更好一些；

• 裝配作業中注意作業臺面/測試設備/作業人員需進行靜電接地.

• 增加屏蔽膜（ITO-FILM)抗干擾（但結構不理想）.

• IC加貼絕緣膠帶.

如何進行抗干擾設計？

按鍵下方的金屬框面積不可太大，避免此處的按鍵寄生電容太大，而造成按鍵的信號干擾！

LCD上表面到TP下表面距離需保留0.30mm~0.50mm，減少LCD對TP的干擾；

LCD FPC 與 TP FPC不可重疊放置；

4、電源干擾：電源干擾的噪聲實際上是一個共模噪聲；

? ? ? 解決辦法：A、采用共模濾波輸出電源；

? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? B、調整TP的掃描頻率，及調整TP的敏感度；

5、電磁干擾：是干擾電纜信號并降低信號完好性的電子噪音，EMI通 ?

? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? 常由電磁輻射發生源如馬達和機器產生的。

? ? ? 解決辦法：在FPC上非元件區加貼電磁膜，以屏蔽外界的

? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ?電磁干擾；

TP結構介紹-G+G

Dito結構

反應更敏捷，且防雜訊效果好，APPLE此結構。

Sito結構（搭橋、地通）

多采用搭橋制程

?OGS 結構

Touch Panel相關材料名詞解釋

ACF：異方性導電膜(Anisotropic Conductive Film) ?

PMMA:聚甲基丙烯酸甲酯(俗稱壓克力Poly Methy Mech-Acryl）

FPC：軟性印刷電路板(Flexible Printed Circuit）?

PSA:光學感壓膠(Pressure-Sensitive Adhesive)

OCA:光學透明膠(Optically Clear Adhesives）

AF ：抗指紋膜(AF-Coating)

AR ：抗反射膜(Anti-Reflection)

ITO：氧化銦錫　ndium-Tin-Oxide

Sito：單面ITO（Single-ito）

Dito：雙面ITO（Double-ito）

FIP/SENSOR：電場感應PAD( Field Induce Pad)

ATT(OGS)：進階觸控技術( Advanced Touch Technology)

總結

以上是生活随笔為你收集整理的技术贴：触摸屏（TP）技术交流的全部內容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。

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