1. 電腦內(nèi)存條怎么看?

常用的兩種方法，一種是進(jìn)入筆記本bios，另外一種就是借助電腦硬件檢測(cè)工具，檢測(cè)一下就知道了。介紹下方法：

方法一：在bios中查看筆記本內(nèi)存型號(hào)

如果覺(jué)得在電腦中查看筆記本內(nèi)存型號(hào)比較麻煩的話，還可以進(jìn)入電腦bios中查看，具體需要重啟電腦，然后進(jìn)入bios中，去查看相關(guān)硬件信息，在開(kāi)機(jī)的時(shí)候，會(huì)進(jìn)行硬件自檢，從開(kāi)機(jī)界面中也可以查看到內(nèi)存型號(hào)信息。

方法二：借助硬件檢測(cè)軟件查看筆記本內(nèi)存條型號(hào)

電腦硬件檢測(cè)軟件有很多，以魯大師為例查看筆記本內(nèi)存型號(hào)方法。

在筆記本電腦中下載安裝魯大師軟件，安裝之后，打開(kāi)運(yùn)行，然后進(jìn)入到硬件檢測(cè)界面，這里就可以看到，筆記本的內(nèi)存型號(hào)了。

2. 電腦內(nèi)存條怎么看型號(hào)

如果內(nèi)存條在電腦中可以用魯大師、CPU-Z等軟件查看內(nèi)存情況，如“DDR3L”，帶L標(biāo)示的為低電壓版內(nèi)存條，可以通過(guò)購(gòu)買(mǎi)電腦時(shí)的配置說(shuō)明書(shū)，查看該款筆記本電腦的內(nèi)存條具體品牌與型號(hào)，然后再上網(wǎng)對(duì)照查詢，可以知道它是低壓還是標(biāo)壓如果內(nèi)存條是拆下來(lái)，然后觀察內(nèi)存條的內(nèi)存顆粒（集成電路芯片，很小的）上的型號(hào)標(biāo)識(shí)（如PC3L，帶L標(biāo)示的是低電壓版），或者再根據(jù)標(biāo)識(shí)到網(wǎng)上查詢，也可以知道它是低壓還是標(biāo)壓的

3. 電腦內(nèi)存條怎么看幾g

1G=1024MB是一個(gè)電腦存儲(chǔ)的基本單位(字節(jié)),1個(gè)英文字符是1個(gè)字節(jié),也就是1B，1個(gè)漢字為2個(gè)字符，也就是2B。K是千的意思，KB也就是1000字節(jié)，但計(jì)算機(jī)的運(yùn)算和數(shù)學(xué)有所不同，是1024字節(jié)為1KB，所以說(shuō)1024B=1KBM是兆的意思，運(yùn)算也是類(lèi)似，以1024進(jìn)一位，也就是說(shuō)1024KB=1MB依此類(lèi)推，1024MB=1GBB——比特KB——千比特MB——兆比特（一般計(jì)算機(jī)的內(nèi)存條都是用此來(lái)計(jì)算單位的）GB——吉比特（一般計(jì)算機(jī)的CPU都是用此來(lái)計(jì)算單位的）KB千字節(jié)MB兆字節(jié)GB吉字節(jié)

4. 電腦內(nèi)存條怎么看正反

有區(qū)別。因?yàn)橐话銇?lái)說(shuō)，內(nèi)存條只有一面是有讀取芯片的設(shè)置的，所以要正

5. 電腦內(nèi)存條怎么看幾代

在操作系統(tǒng)內(nèi)是無(wú)法分辨的，需要借助另外一款軟件來(lái)進(jìn)行查詢。在網(wǎng)上搜尋一個(gè)驅(qū)動(dòng)大師,點(diǎn)擊下載 下載完成后,會(huì)在桌面生成一個(gè)360驅(qū)動(dòng)大師,雙擊進(jìn)入點(diǎn)擊硬件信息 在基本硬件展示里,只需要查看內(nèi)存的信息就可以查到了，另外其他硬件也可以查詢到。

6. 電腦內(nèi)存條怎么看多大g

容量為256g的固態(tài)硬盤(pán)在電腦中顯示的容量為238.4185791GB。 計(jì)算方法如下: 硬盤(pán)廠商在計(jì)算容量方面是以每1000為一進(jìn)制的。 256G=256000MB=256000000KB=256000000000B。

7. 電腦內(nèi)存條怎么看ddr幾

可通過(guò)操作系統(tǒng)或是頻率來(lái)確定內(nèi)存條是DDR幾的，在操作系統(tǒng)中，我們通過(guò)資源管理器可以查看內(nèi)存的代數(shù)，另外，我們通過(guò)內(nèi)存的頻率也能判斷出它的代數(shù)，比如說(shuō)1333到1666之間為DDR 3，他之下的為DDR 2，他知道2666之間DDR 4這個(gè)之上ddR5

8. 電腦內(nèi)存條怎么看品牌

一種參數(shù)，一般存儲(chǔ)在內(nèi)存條的SPD上。2-2-2-8 4個(gè)數(shù)字的含義依次為：CAS Latency（簡(jiǎn)稱(chēng)CL值）內(nèi)存CAS延遲時(shí)間，他是內(nèi)存的重要參數(shù)之一，某些牌子的內(nèi)存會(huì)把CL值印在內(nèi)存條的標(biāo)簽上。RAS－to－CAS Delay（tRCD），內(nèi)存行地址傳輸?shù)搅械刂返难舆t時(shí)間。Row－precharge Delay（tRP），內(nèi)存行地址選通脈沖預(yù)充電時(shí)間。Row－active Delay（tRAS），內(nèi)存行地址選通延遲。這是玩家最關(guān)注的4項(xiàng)時(shí)序調(diào)節(jié)，在大部分主板的BIOS中可以設(shè)定，內(nèi)存模組廠商也有計(jì)劃的推出了低于JEDEC認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)的低延遲型超頻內(nèi)存模組，在同樣頻率設(shè)定下，最低“2-2-2-5”這種序列時(shí)序的內(nèi)存模組確實(shí)能夠帶來(lái)比“3-4-4-8”更高的內(nèi)存性能，幅度在3至5個(gè)百分點(diǎn)。

在一些技術(shù)文章里介紹內(nèi)存設(shè)置時(shí)序參數(shù)時(shí)，一般數(shù)字“A-B-C-D”分別對(duì)應(yīng)的參數(shù)是“CL-tRCD-tRP-tRAS”，現(xiàn)在你該明白“2-3-3-6”是什么意思了吧？！^_^下面就這幾個(gè)參數(shù)及BIOS設(shè)置中影響內(nèi)存性能的其它參數(shù)逐一給大家作一介紹：

一、內(nèi)存延遲時(shí)序“CL-tRCD-tRP-tRAS”的設(shè)置

首先，需要在BIOS中打開(kāi)手動(dòng)設(shè)置，在BIOS設(shè)置中找到“DRAM Timing Selectable”，BIOS設(shè)置中可能出現(xiàn)的其他描述有：Automatic Configuration、DRAM Auto、Timing Selectable、Timing Configuring By SPD等，將其值設(shè)為“Menual”（視BIOS的不同可能的選項(xiàng)有：On/Off或Enable/Disable），如果要調(diào)整內(nèi)存時(shí)序，應(yīng)該先打開(kāi)手動(dòng)設(shè)置，之后會(huì)自動(dòng)出現(xiàn)詳細(xì)的時(shí)序參數(shù)列表：

Command Per Clock(CPC)

可選的設(shè)置：Auto，Enable(1T)，Disable(2T)。

Command Per Clock(CPC：指令比率，也有翻譯為：首命令延遲)，一般還被描述為DRAM Command Rate、CMD Rate等。由于目前的DDR內(nèi)存的尋址，先要進(jìn)行P-Bank的選擇（通過(guò)DIMM上CS片選信號(hào)進(jìn)行），然后才是L-Bank/行激活與列地址的選擇。這個(gè)參數(shù)的含義就是指在P-Bank選擇完之后多少時(shí)間可以發(fā)出具體的尋址的L-Bank/行激活命令，單位是時(shí)鐘周期。

顯然，也是越短越好。但當(dāng)隨著主板上內(nèi)存模組的增多，控制芯片組的負(fù)載也隨之增加，過(guò)短的命令間隔可能會(huì)影響穩(wěn)定性。因此當(dāng)你的內(nèi)存插得很多而出現(xiàn)不太穩(wěn)定的時(shí)間，才需要將此參數(shù)調(diào)長(zhǎng)。目前的大部分主板都會(huì)自動(dòng)設(shè)置這個(gè)參數(shù)。

該參數(shù)的默認(rèn)值為Disable(2T)，如果玩家的內(nèi)存質(zhì)量很好，則可以將其設(shè)置為Enable(1T)。

CAS Latency Control(tCL)

可選的設(shè)置：Auto，1，1.5，2，2.5，3，3.5，4，4.5。

一般我們?cè)诓殚唭?nèi)存的時(shí)序參數(shù)時(shí)，如“3-4-4-8”這一類(lèi)的數(shù)字序列，上述數(shù)字序列分別對(duì)應(yīng)的參數(shù)是“CL-tRCD-tRP-tRAS”。這個(gè)3就是第1個(gè)參數(shù)，即CL參數(shù)。

CAS Latency Control(也被描述為tCL、CL、CAS Latency Time、CAS Timing Delay)，CAS latency是“內(nèi)存讀寫(xiě)操作前列地址控制器的潛伏時(shí)間”。CAS控制從接受一個(gè)指令到執(zhí)行指令之間的時(shí)間。因?yàn)镃AS主要控制十六進(jìn)制的地址，或者說(shuō)是內(nèi)存矩陣中的列地址，所以它是最為重要的參數(shù)，在穩(wěn)定的前提下應(yīng)該盡可能設(shè)低。

內(nèi)存是根據(jù)行和列尋址的，當(dāng)請(qǐng)求觸發(fā)后，最初是tRAS（Activeto Precharge Delay），預(yù)充電后，內(nèi)存才真正開(kāi)始初始化RAS。一旦tRAS激活后，RAS（Row Address Strobe ）開(kāi)始進(jìn)行需要數(shù)據(jù)的尋址。首先是行地址，然后初始化tRCD，周期結(jié)束，接著通過(guò)CAS訪問(wèn)所需數(shù)據(jù)的精確十六進(jìn)制地址。期間從CAS開(kāi)始到CAS結(jié)束就是CAS延遲。所以CAS是找到數(shù)據(jù)的最后一個(gè)步驟，也是內(nèi)存參數(shù)中最重要的。

這個(gè)參數(shù)控制內(nèi)存接收到一條數(shù)據(jù)讀取指令后要等待多少個(gè)時(shí)鐘周期才實(shí)際執(zhí)行該指令。同時(shí)該參數(shù)也決定了在一次內(nèi)存突發(fā)傳送過(guò)程中完成第一部分傳送所需要的時(shí)鐘周期數(shù)。這個(gè)參數(shù)越小，則內(nèi)存的速度越快。必須注意部分內(nèi)存不能運(yùn)行在較低的延遲，可能會(huì)丟失數(shù)據(jù)，因此在提醒大家把CAS延遲設(shè)為2或2.5的同時(shí)，如果不穩(wěn)定就只有進(jìn)一步提高它了。而且提高延遲能使內(nèi)存運(yùn)行在更高的頻率，所以需要對(duì)內(nèi)存超頻時(shí)，應(yīng)該試著提高CAS延遲。

該參數(shù)對(duì)內(nèi)存性能的影響最大，在保證系統(tǒng)穩(wěn)定性的前提下，CAS值越低，則會(huì)導(dǎo)致更快的內(nèi)存讀寫(xiě)操作。CL值為2為會(huì)獲得最佳的性能，而CL值為3可以提高系統(tǒng)的穩(wěn)定性。注意，WinbondBH-5/6芯片可能無(wú)法設(shè)為3。

RAS# to CAS# Delay(tRCD)

可選的設(shè)置：Auto，0，1，2，3，4，5，6，7。

該值就是“3-4-4-8”內(nèi)存時(shí)序參數(shù)中的第2個(gè)參數(shù)，即第1個(gè)4。RAS# to CAS# Delay(也被描述為：tRCD、RAS to CAS Delay、Active to CMD)，表示"行尋址到列尋址延遲時(shí)間"，數(shù)值越小，性能越好。對(duì)內(nèi)存進(jìn)行讀、寫(xiě)或刷新操作時(shí)，需要在這兩種脈沖信號(hào)之間插入延遲時(shí)鐘周期。在JEDEC規(guī)范中，它是排在第二的參數(shù)，降低此延時(shí)，可以提高系統(tǒng)性能。建議該值設(shè)置為3或2，但如果該值設(shè)置太低，同樣會(huì)導(dǎo)致系統(tǒng)不穩(wěn)定。該值為4時(shí)，系統(tǒng)將處于最穩(wěn)定的狀態(tài)，而該值為5，則太保守。

如果你的內(nèi)存的超頻性能不佳，則可將此值設(shè)為內(nèi)存的默認(rèn)值或嘗試提高tRCD值。

Min RAS# Active Timing(tRAS)

可選的設(shè)置：Auto，00，01，02，03，04，05，06，07，08，09，10，11，12，13，14，15。

該值就是該值就是“3-4-4-8”內(nèi)存時(shí)序參數(shù)中的最后一個(gè)參數(shù)，即8。Min RAS# Active Time (也被描述為：tRAS、Active to Precharge Delay、Row Active Time、Precharge Wait State、Row Active Delay、Row Precharge Delay、RAS Active Time)，表示“內(nèi)存行有效至預(yù)充電的最短周期”，調(diào)整這個(gè)參數(shù)需要結(jié)合具體情況而定，一般我們最好設(shè)在5－10之間。這個(gè)參數(shù)要根據(jù)實(shí)際情況而定，并不是說(shuō)越大或越小就越好。

如果tRAS的周期太長(zhǎng)，系統(tǒng)會(huì)因?yàn)闊o(wú)謂的等待而降低性能。降低tRAS周期，則會(huì)導(dǎo)致已被激活的行地址會(huì)更早的進(jìn)入非激活狀態(tài)。如果tRAS的周期太短，則可能因缺乏足夠的時(shí)間而無(wú)法完成數(shù)據(jù)的突發(fā)傳輸，這樣會(huì)引發(fā)丟失數(shù)據(jù)或損壞數(shù)據(jù)。該值一般設(shè)定為CAS latency + tRCD + 2個(gè)時(shí)鐘周期。如果你的CAS latency的值為2，tRCD的值為3，則最佳的tRAS值應(yīng)該設(shè)置為7個(gè)時(shí)鐘周期。為提高系統(tǒng)性能，應(yīng)盡可能降低tRAS的值，但如果發(fā)生內(nèi)存錯(cuò)誤或系統(tǒng)死機(jī)，則應(yīng)該增大tRAS的值。

如果使用DFI的主板，則tRAS值建議使用00，或者5-10之間的值。

Row Precharge Timing(tRP)

可選的設(shè)置：Auto，0，1，2，3，4，5，6，7。

該值就是“3-4-4-8”內(nèi)存時(shí)序參數(shù)中的第3個(gè)參數(shù)，即第2個(gè)4。Row Precharge Timing (也被描述為：tRP、RAS Precharge、Precharge to active)，表示"內(nèi)存行地址控制器預(yù)充電時(shí)間"，預(yù)充電參數(shù)越小則內(nèi)存讀寫(xiě)速度就越快。

tRP用來(lái)設(shè)定在另一行能被激活之前，RAS需要的充電時(shí)間。tRP參數(shù)設(shè)置太長(zhǎng)會(huì)導(dǎo)致所有的行激活延遲過(guò)長(zhǎng)，設(shè)為2可以減少預(yù)充電時(shí)間，從而更快地激活下一行。然而，想要把tRP設(shè)為2對(duì)大多數(shù)內(nèi)存都是個(gè)很高的要求，可能會(huì)造成行激活之前的數(shù)據(jù)丟失，不能順利地完成讀寫(xiě)操作。對(duì)于桌面計(jì)算機(jī)來(lái)說(shuō)，推薦預(yù)充電參數(shù)的值設(shè)定為2個(gè)時(shí)鐘周期，這是最佳的設(shè)置。如果比此值低，則會(huì)因?yàn)槊看渭せ钕噜従o接著的bank將需要1個(gè)時(shí)鐘周期，這將影響DDR內(nèi)存的讀寫(xiě)性能，從而降低性能。只有在tRP值為2而出現(xiàn)系統(tǒng)不穩(wěn)定的情況下，將此值設(shè)定為3個(gè)時(shí)鐘周期。

如果使用DFI的主板，則tRP值建議2-5之間的值。值為2將獲取最高的性能，該值為4將在超頻時(shí)獲取最佳的穩(wěn)定性，同樣的而該值為5，則太保守。大部分內(nèi)存都無(wú)法使用2的值，需要超頻才可以達(dá)到該參數(shù)。

Row Cycle Time(tRC)

可選的設(shè)置：Auto，7-22，步幅值1。

Row Cycle Time(tRC、RC)，表示“SDRAM行周期時(shí)間”，它是包括行單元預(yù)充電到激活在內(nèi)的整個(gè)過(guò)程所需要的最小的時(shí)鐘周期數(shù)。

其計(jì)算公式是：row cycle time (tRC) = minimum row active time(tRAS) + row precharge time(tRP)。因此，設(shè)置該參數(shù)之前，你應(yīng)該明白你的tRAS值和tRP值是多少。如果tRC的時(shí)間過(guò)長(zhǎng)，會(huì)因在完成整個(gè)時(shí)鐘周期后激活新的地址而等待無(wú)謂的延時(shí)，而降低性能。然后一旦該值設(shè)置過(guò)小，在被激活的行單元被充分充電之前，新的周期就可以被初始化。

在這種情況下，仍會(huì)導(dǎo)致數(shù)據(jù)丟失和損壞。因此，最好根據(jù)tRC = tRAS + tRP進(jìn)行設(shè)置，如果你的內(nèi)存模塊的tRAS值是7個(gè)時(shí)鐘周期，而tRP的值為4個(gè)時(shí)鐘周期，則理想的tRC的值應(yīng)當(dāng)設(shè)置為11個(gè)時(shí)鐘周期。

Row Refresh Cycle Time(tRFC)

可選的設(shè)置：Auto，9-24，步幅值1。

Row Refresh Cycle Time(tRFC、RFC)，表示“SDRAM行刷新周期時(shí)間”，它是行單元刷新所需要的時(shí)鐘周期數(shù)。該值也表示向相同的bank中的另一個(gè)行單元兩次發(fā)送刷新指令(即：REF指令)之間的時(shí)間間隔。tRFC值越小越好，它比tRC的值要稍高一些。

如果使用DFI的主板，通常tRFC的值不能達(dá)到9，而10為最佳設(shè)置，17-19是建議值。建議從17開(kāi)始依次遞減來(lái)測(cè)試該值。大多數(shù)穩(wěn)定值為tRC加上2-4個(gè)時(shí)鐘周期。

Row to Row Delay(RAS to RAS delay)(tRRD)

可選的設(shè)置：Auto， 0-7，每級(jí)以1的步幅遞增。

Row to Row Delay，也被稱(chēng)為RAS to RAS delay (tRRD)，表示"行單元到行單元的延時(shí)"。該值也表示向相同的bank中的同一個(gè)行單元兩次發(fā)送激活指令(即：REF指令)之間的時(shí)間間隔。tRRD值越小越好。

延遲越低，表示下一個(gè)bank能更快地被激活，進(jìn)行讀寫(xiě)操作。然而，由于需要一定量的數(shù)據(jù)，太短的延遲會(huì)引起連續(xù)數(shù)據(jù)膨脹。于桌面計(jì)算機(jī)來(lái)說(shuō)，推薦tRRD值設(shè)定為2個(gè)時(shí)鐘周期，這是最佳的設(shè)置，此時(shí)的數(shù)據(jù)膨脹可以忽視。如果比此值低，則會(huì)因?yàn)槊看渭せ钕噜従o接著的bank將需要1個(gè)時(shí)鐘周期，這將影響DDR內(nèi)存的讀寫(xiě)性能，從而降低性能。只有在tRRD值為2而出現(xiàn)系統(tǒng)不穩(wěn)定的情況下，將此值設(shè)定為3個(gè)時(shí)鐘周期。

如果使用DFI的主板，則tRRD值為00是最佳性能參數(shù)，4時(shí)能達(dá)到最高的頻率。通常2是最合適的值，00看上去很奇怪，但有人也能穩(wěn)定運(yùn)行在00-260MHz。

Write Recovery Time(tWR)

可選的設(shè)置：Auto，2，3。

Write Recovery Time (tWD)，表示“寫(xiě)恢復(fù)延時(shí)”。該值說(shuō)明在一個(gè)激活的bank中完成有效的寫(xiě)操作及預(yù)充電前，必須等待多少個(gè)時(shí)鐘周期。這段必須的時(shí)鐘周期用來(lái)確保在預(yù)充電發(fā)生前，寫(xiě)緩沖中的數(shù)據(jù)可以被寫(xiě)進(jìn)內(nèi)存單元中。同樣的，過(guò)低的tWD雖然提高了系統(tǒng)性能，但可能導(dǎo)致數(shù)據(jù)還未被正確寫(xiě)入到內(nèi)存單元中，就發(fā)生了預(yù)充電操作，會(huì)導(dǎo)致數(shù)據(jù)的丟失及損壞。

如果你使用的是DDR200和266的內(nèi)存，建議將tWR值設(shè)為2；如果使用或DDR400，則將tWD值設(shè)為3。如果使用DFI的主板，則tWR值建議為2。

Write to Read Delay(tWTR)

可選的設(shè)置：Auto，1，2。

Write to Read Delay (tWTR)，表示“讀到寫(xiě)延時(shí)”。三星公司稱(chēng)其為“TCDLR (last data in to read command)”，即最后的數(shù)據(jù)進(jìn)入讀指令。它設(shè)定向DDR內(nèi)存模塊中的同一個(gè)單元中，在最后一次有效的寫(xiě)操作和下一次讀操作之間必須等待的時(shí)鐘周期。

tWTR值為2在高時(shí)鐘頻率的情況下，降低了讀性能，但提高了系統(tǒng)穩(wěn)定性。這種情況下，也使得內(nèi)存芯片運(yùn)行于高速度下。換句話說(shuō)，增加tWTR值，可以讓內(nèi)容模塊運(yùn)行于比其默認(rèn)速度更快的速度下。如果使用DDR266或DDR333，則將tWTR值設(shè)為1；如果使用DDR400，則也可試著將tWTR的值設(shè)為1，如果系統(tǒng)不穩(wěn)定，則改為2。

Refresh Period(tREF)

可選的設(shè)置：Auto， 0032-4708，其步進(jìn)值非固定。

Refresh Period (tREF)，表示“刷新周期”。它指內(nèi)存模塊的刷新周期。

先請(qǐng)看不同的參數(shù)在相同的內(nèi)存下所對(duì)應(yīng)的刷新周期(單位：微秒，即：一百萬(wàn)分之一秒)。?號(hào)在這里表示該刷新周期尚無(wú)對(duì)應(yīng)的準(zhǔn)確數(shù)據(jù)。

1552= 100mhz　　2064= 133mhz　　2592= 166mhz　　3120= 200mhz　　---------------------

3632= 100mhz　　4128= 133mhz

4672= 166mhz

0064= 200mhz

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0776= 100mhz　　1032= 133mhz　　1296= 166mhz　　1560= 200mhz

---------------------

1816= 100mhz　　2064= 133mhz　　2336= 166mhz　　0032= 200mhz　　---------------------

0388= 100mhz(15.6us)

0516= 133mhz(15.6us)

0648= 166mhz(15.6us)

0780= 200mhz(15.6us)

---------------------

0908= 100mhz(7.8us)

1032= 133mhz(7.8us)

1168= 166mhz(7.8us)

0016= 200mhz(7.8us)

---------------------

1536= 100mhz(3.9us)

2048= 133mhz(3.9us)

2560= 166mhz(3.9us)

3072= 200mhz(3.9us)

---------------------

3684= 100mhz(1.95us)

4196= 133mhz(1.95us)

4708= 166mhz(1.95us)

0128= 200mhz(1.95us)

如果采用Auto選項(xiàng)，主板BIOS將會(huì)查詢內(nèi)存上的一個(gè)很小的、名為“SPD”(Serial Presence Detect )的芯片。SPD存儲(chǔ)了內(nèi)存條的各種相關(guān)工作參數(shù)等信息，系統(tǒng)會(huì)自動(dòng)根據(jù)SPD中的數(shù)據(jù)中最保守的設(shè)置來(lái)確定內(nèi)存的運(yùn)行參數(shù)。如過(guò)要追求最優(yōu)的性能，則需手動(dòng)設(shè)置刷新周期的參數(shù)。一般說(shuō)來(lái)，15.6us適用于基于128兆位內(nèi)存芯片的內(nèi)存（即單顆容量為16MB的內(nèi)存），而7.8us適用于基于256兆位內(nèi)存芯片的內(nèi)存（即單顆容量為32MB的內(nèi)存）。注意，如果tREF刷新周期設(shè)置不當(dāng)，將會(huì)導(dǎo)致內(nèi)存單元丟失其數(shù)據(jù)。

另外根據(jù)其他的資料顯示，內(nèi)存存儲(chǔ)每一個(gè)bit，都需要定期的刷新來(lái)充電。不及時(shí)充電會(huì)導(dǎo)致數(shù)據(jù)的丟失。DRAM實(shí)際上就是電容器，最小的存儲(chǔ)單位是bit。陣列中的每個(gè)bit都能被隨機(jī)地訪問(wèn)。但如果不充電，數(shù)據(jù)只能保存很短的時(shí)間。因此我們必須每隔15.6us就刷新一行。每次刷新時(shí)數(shù)據(jù)就被重寫(xiě)一次。正是這個(gè)原因DRAM也被稱(chēng)為非永久性存儲(chǔ)器。一般通過(guò)同步的RAS-only的刷新方法（行刷新），每行每行的依次刷新。早期的EDO內(nèi)存每刷新一行耗費(fèi)15.6us的時(shí)間。因此一個(gè)2Kb的內(nèi)存每列的刷新時(shí)間為15.6?s x2048行=32ms。

9. 電腦內(nèi)存條怎么看頻率

1、首先打開(kāi)電腦，按“win+R”鍵打開(kāi)運(yùn)行，在運(yùn)行輸入“cmd”，點(diǎn)擊回車(chē)。

2、進(jìn)去命令提示符之后，輸入“wmicmemorychip”，點(diǎn)擊確定。

3、最后按回車(chē)鍵，就可以看到內(nèi)存條的頻率了。

4、內(nèi)存條頻率是指內(nèi)存主頻，是指內(nèi)存所能達(dá)到的最高工作頻率，有兩種表示方法，分別是工作頻率和等效頻率，工作頻率是內(nèi)存顆粒實(shí)際的工作頻率，等效頻率不同，DDR內(nèi)存等效頻率是工作頻率的兩倍，DDR2等效頻率是工作頻率的四倍。

10. 電腦內(nèi)存條怎么看內(nèi)存大小

1打開(kāi)電腦管家，點(diǎn)擊工具箱-硬件檢測(cè)

2進(jìn)入硬件檢測(cè)頁(yè)面，點(diǎn)擊內(nèi)存信息，看到內(nèi)存頻率，1600MHZ的是第三代內(nèi)存條

第一代內(nèi)存條:200/266/300/400MHZ 第二代內(nèi)存條:533/667/800MHZ

第三代內(nèi)存條:1066/1600/2133/1333MHZ

第四代內(nèi)存條:3000/2666/3200/2400MHZ

總結(jié)

以上是生活随笔為你收集整理的电脑内存条辨认方法(电脑内存条怎么看?)的全部?jī)?nèi)容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問(wèn)題。

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