博世本周完成收购 TSI Semiconductors,旨在美国建立 SiC 芯片制造基地
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9 月 1 日消息,據彭博社采訪,博世將于本周完成對美國芯片制造商 TSI Semiconductors 的收購。據了解,該公司位于加利福尼亞州羅斯維爾,擁有 250 名員工,是一家專用集成電路(ASIC)的代工廠。
注意到,TSI Semiconductors 主要開發和生產大量 8 英寸硅片芯片,應用于移動、電信、能源和生命科學行業。未來幾年,博世計劃在羅斯維爾工廠投資超過 15 億美元,并將 TSI Semiconductors 制造設施改造為最先進的工藝。從 2026 年開始,第一批芯片將在基于創新材料碳化硅(SiC)的 8 英寸晶圓上生產。
通過這種方式,博世正在系統性地加強其半導體業務,并將在 2030 年底之前大幅擴展其全球 SiC 芯片產品組合。
“通過收購 TSI Semiconductors,我們正在一個重要的銷售市場建立 SiC 芯片的制造能力,同時也在全球范圍內增加我們的半導體制造。羅斯威爾現有的潔凈室設施和專家人員將使我們能夠更大規模地制造用于電動汽車的 SiC 芯片。”博世管理委員會主席 Stefan Hartung 博士說道。
羅斯威爾的新工廠將加強博世的國際半導體制造網絡。從 2026 年開始,經過重組階段后,首批 SiC 芯片將在 8 英寸晶圓上生產。博世早期就投資了 SiC 芯片的研發和生產。自 2021 年以來,該公司一直在斯圖加特附近的羅伊特林根工廠使用自有工藝進行批量生產。
到 2025 年底,該公司將把羅伊特林根的潔凈室面積從約 35000 平方米擴大到超過 44000 平方米。“SiC 芯片是電動汽車的關鍵組件。通過在國際上擴展我們的半導體業務,從而加強在重要電動汽車市場的本地影響力。”博世管理委員會成員兼移動解決方案業務部門主席 Markus Heyn 博士表示。
到 2025 年,博世預計每輛新車中將平均集成 25 顆芯片。
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總結
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