12 月 1 日消息，近日，深圳佰維存儲(chǔ)科技股份有限公司的晶圓級(jí)先進(jìn)封測(cè)制造項(xiàng)目正式落地東莞松山湖高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開(kāi)發(fā)區(qū)，簽約儀式在東莞市成功舉辦。

據(jù)介紹，晶圓級(jí)先進(jìn)封測(cè)系介于前道晶圓制造與后道封裝測(cè)試之間的半導(dǎo)體制造中道工序，采用光刻、刻蝕、電鍍、PVD、CVD、CMP、Strip 等前段晶圓制造工序，以實(shí)現(xiàn)凸塊（Bumping）、重布線（RDL）、扇入（Fan-in）、扇出（Fan-out）、硅通孔（TSV）等工藝技術(shù)，不僅可以將芯片直接封裝在晶圓上，節(jié)省物理空間，還能夠?qū)⒍鄠€(gè)芯片集成在同一個(gè)晶圓上，實(shí)現(xiàn)更高的集成度。

佰維存儲(chǔ)表示，落地晶圓級(jí)先進(jìn)封測(cè)項(xiàng)目有利于公司產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)更大的帶寬、更高的速度、更靈活的異構(gòu)集成以及更低的能耗，賦能移動(dòng)消費(fèi)電子、高端超級(jí)計(jì)算、游戲、人工智能和物聯(lián)網(wǎng)等應(yīng)用領(lǐng)域的客戶。

佰維存儲(chǔ)還透露，公司已掌握 16 層疊 Die、30~40μm 超薄 Die、多芯片異構(gòu)集成等先進(jìn)封裝工藝，為 NAND、DRAM 芯片和 SiP 封裝產(chǎn)品的創(chuàng)新力及大規(guī)模量產(chǎn)提供支持。

深圳佰維存儲(chǔ)科技股份有限公司成立于 2010 年，專注于存儲(chǔ)芯片研發(fā)與封測(cè)制造，是國(guó)家高新技術(shù)企業(yè)，國(guó)家級(jí)專精特新小巨人企業(yè)，并獲得國(guó)家大基金戰(zhàn)略投資。

據(jù)此前報(bào)道，佰維已推出 UFS 3.1 高速閃存，寫(xiě)入速度最高可達(dá) 1800MB/s，是上一代通用閃存存儲(chǔ)的 4 倍以上，讀取速度達(dá) 2100MB/s，容量達(dá) 256GB（未來(lái)將推出 512GB、1TB 容量），尺寸為 11.5×13.0×1.0mm，用于旗艦智能手機(jī)產(chǎn)品。

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總結(jié)

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