? ? ?RAM（random access memory）隨機存儲器。存儲單元的內(nèi)容可按需隨意取出或存入，且存取的速度與存儲單元的位置無關(guān)的存儲器。這種存儲器在斷電時將丟失其存儲內(nèi)容，故主要用于存儲短時間使用的程序。 按照存儲信息的不同，隨機存儲器又分為靜態(tài)隨機存儲器（Static RAM,SRAM)和動態(tài)隨機存儲器（Dynamic RAM,DRAM)。

特點

隨機存取

　　所謂“隨機存取”，指的是當存儲器中的數(shù)據(jù)被讀取或?qū)懭霑r，所需要的時間與這段信息所在的位置無關(guān)。相對的，讀取或?qū)懭腠樞蛟L問（Sequential Access）存儲設(shè)備中的信息時，其所需要的時間與位置就會有關(guān)系（如磁帶）。

易失性

　　當電源關(guān)閉時RAM不能保留數(shù)據(jù)。如果需要保存數(shù)據(jù)，就必須把它們寫入

靜態(tài)隨機存取存儲器

一個長期的存儲設(shè)備中（例如硬盤）。RAM和ROM相比，兩者的最大區(qū)別是RAM在斷電以后保存在上面的數(shù)據(jù)會自動消失，而ROM不會。

高訪問速度

　　現(xiàn)代的隨機存取存儲器幾乎是所有訪問設(shè)備中寫入和讀取速度最快的，取存延遲也和其他涉及機械運作的存儲設(shè)備相比，也顯得微不足道。

需要刷新

　　現(xiàn)代的隨機存取存儲器依賴電容器存儲數(shù)據(jù)。電容器充滿電后代表1(二進制)，未充電的代表0。由于電容器或多或少有漏電的情形，若不作特別處理，數(shù)據(jù)會漸漸隨時間流失。刷新是指定期讀取電容器的狀態(tài)，然后按照原來的狀態(tài)重新為電容器充電，彌補流失了的電荷。需要刷新正好解釋了隨機存取存儲器的易失性。

對靜電敏感

　　正如其他精細的集成電路，隨機存取存儲器對環(huán)境的靜電荷非常敏感。靜電會干擾存儲器內(nèi)電容器的電荷，引致數(shù)據(jù)流失，甚至燒壞電路。故此觸碰隨機存取存儲器前，應(yīng)先用手觸摸金屬接地。

區(qū)別

隨機存儲器

　　rom -read only memory 只讀存儲器

　　①簡單地說，在計算機中，RAM 、ROM都是數(shù)據(jù)存儲器。RAM 是隨機存取存

動態(tài)隨機存取存儲器

儲器，它的特點是易揮發(fā)性，即掉電失憶。ROM 通常指固化存儲器(一次寫入，反復(fù)讀取)，它的特點與RAM 相反。ROM又分一次性固化、光擦除和電擦除重寫兩種類型。舉個例子來說也就是，如果突然停電或者沒有保存就關(guān)閉了文件，那么ROM可以隨機保存之前沒有儲存的文件但是RAM會使之前沒有保存的文件消失。

內(nèi)存

　　在計算機的組成結(jié)構(gòu)中，有一個很重要的部分，就是存儲器。存儲器是用來存儲程序和數(shù)據(jù)的部件，對于計算機來說，有了存儲器，才有記憶功能，才能保證正常工作。存儲器的種類很多，按其用途可分為主存儲器和輔助存儲器，主存儲器又稱內(nèi)存儲器（簡稱內(nèi)存），輔助存儲器又稱外存儲器（簡稱外存）。外存通常是磁性介質(zhì)或光盤，像硬盤，軟盤，磁帶，CD等，能長期保存信息，并且不依賴于電來保存信息，但是由機械部件帶動，速度與CPU相比就顯得慢的多。內(nèi)存指的就是主板上的存儲部件，是CPU直接與之溝通，并用其存儲數(shù)據(jù)的部件，存放當前正在使用的（即執(zhí)行中）的數(shù)據(jù)和程序，它的物理實質(zhì)就是一組或多組具備數(shù)據(jù)輸入輸出和數(shù)據(jù)存儲功能的集成電路，內(nèi)存只用于暫時存放程序和數(shù)據(jù)，一旦關(guān)閉電源或發(fā)生斷電，其中的程序和數(shù)據(jù)就會丟失。

　　從一有計算機開始，就有內(nèi)存。內(nèi)存發(fā)展到今天也經(jīng)歷了很多次的技術(shù)改進，從最早的DRAM一直到FPMDRAM、EDODRAM、SDRAM等，內(nèi)存的速度一直在提高且容量也在不斷的增加。今天，服務(wù)器主要使用的是什么樣的內(nèi)存呢？目前，IA架構(gòu)的服務(wù)器普遍使用的是REGISTERED

快速周期隨機存取存儲器

ECCSDRAM。

　　既然內(nèi)存是用來存放當前正在使用的（即執(zhí)行中）的數(shù)據(jù)和程序，那么它是怎么工作的呢？我們平常所提到的計算機的內(nèi)存指的是動態(tài)內(nèi)存（即DRAM），動態(tài)內(nèi)存中所謂的“動態(tài)”，指的是當我們將數(shù)據(jù)寫入DRAM后，經(jīng)過一段時間，數(shù)據(jù)會丟失，因此需要一個額外設(shè)電路進行內(nèi)存刷新操作。具體的工作過程是這樣的：一個DRAM的存儲單元存儲的是0還是1取決于電容是否有電荷，有電荷代表1，無電荷代表0。但時間一長，代表1的電容會放電，代表0的電容會吸收電荷，這就是數(shù)據(jù)丟失的原因；刷新操作定期對電容進行檢查，若電量大于滿電量的1/2，則認為其代表1，并把電容充滿電；若電量小于1/2，則認為其代表0，并把電容放電，藉此來保持數(shù)據(jù)的連續(xù)性。

RAM存儲單元

1．靜態(tài)存儲單元（SRAM）

　　●存儲原理：由觸發(fā)器存儲數(shù)據(jù)

　　●單元結(jié)構(gòu)：六管NMOS或OS構(gòu)成

　　●優(yōu)點：速度快、使用簡單、不需刷新、靜態(tài)功耗極低；常用作Cache

　　●缺點：元件數(shù)多、集成度低、運行功耗大

　　●常用的SRAM集成芯片：6116(2K×8位)，6264(8K×8位)，62256(32K×8位)，2114(1K×4位)

2．動態(tài)存儲單元（DRAM）

　　●存貯原理：利用MOS管柵極電容可以存儲電荷的原理，需刷新（早期：三管基本單元；現(xiàn)在：單管基本單元）

　　●刷新(再生)：為及時補充漏掉的電荷以避免存儲的信息丟失，必須定時給柵極電容補充電荷的操作

　　●刷新時間：定期進行刷新操作的時間。該時間必須小于柵極電容自然保持信息的時間（小于2ms）。

　　●優(yōu)點： 集成度遠高于SRAM、功耗低，價格也低

　　●缺點：因需刷新而使外圍電路復(fù)雜；刷新也使存取速度較SRAM慢，所以在計算機中，DRAM常用于作主存儲器。

　　盡管如此，由于DRAM^[1]存儲單元的結(jié)構(gòu)簡單，所用元件少，集成度高，功耗低，所以目前已成為大容量RAM的主流產(chǎn)品。

轉(zhuǎn)載于:https://www.cnblogs.com/zhanghtt/archive/2012/02/18/RAM.html

總結(jié)

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