碳化硅（Sic）功率器件的耐高壓、耐高溫、低損耗、體積小等性能優(yōu)勢可滿足新能源行業(yè)的發(fā)展需求，直擊電動車的“里程焦慮”與“充電焦慮”兩大痛點，也被譽為替代IGBT的最佳人選。

日前，意法半導(dǎo)體中國宣布，正式推出第三代STPOWER碳化硅(SiC) MOSFET晶體管，推進在電動汽車動力系統(tǒng)功率設(shè)備的前沿應(yīng)用，及在其他以高功率密度、高能效、高可靠性為重要目標(biāo)的場景應(yīng)用。

隨著電動汽車市場加速發(fā)展，許多整車廠商和配套供應(yīng)商都在采用 800V驅(qū)動系統(tǒng)，以加快充電速度，幫助減輕電動汽車重量，新的800V系統(tǒng)能夠幫助整車制造商生產(chǎn)行駛里程更長的汽車。

官方表示，新一代產(chǎn)品還適合工業(yè)應(yīng)用，可提高驅(qū)動電機、可再生能源轉(zhuǎn)換器和儲能系統(tǒng)、電信電源、數(shù)據(jù)中心電源等應(yīng)用的能效。

意法半導(dǎo)體目前已完成第三代SiC技術(shù)平臺相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)認證，從該技術(shù)平臺衍生的大部分產(chǎn)品預(yù)計在2021年底前達到商用成熟度。標(biāo)稱電壓650V、750V至1200V的器件將上市，為設(shè)計人員研發(fā)從市電取電，到電動汽車高壓電池和充電機供電的各種應(yīng)用提供更多選擇。首批上市產(chǎn)品是有650V的SCT040H65G3AG和750V 裸片形式的SCT160N75G3D8AG。

總結(jié)

以上是生活随笔為你收集整理的IGBT不香了！意法半导体推出第三代碳化硅功率器件的全部內(nèi)容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。

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