按照業內預判，2025年前后半導體在微縮層面將進入埃米尺度（Å，angstrom，1埃 = 0.1納米），其中2025對應A14（14Å=1.4納米）。

除了新晶體管結構、2D材料，還有很關鍵的一環就是High NA（高數值孔徑）EUV光刻機。根據ASML（阿斯麥）透露的最新信息，第一臺原型試做機2023年開放，預計由imec（比利時微電子研究中心）裝機，2025年后量產，第一臺預計交付Intel。

Gartner分析師Alan Priestley稱，0.55NA下一代EUV光刻機單價將翻番到3億美元。

那么這么貴的機器，到底能實現什么呢？

ASML發言人向媒體介紹，更高的光刻分辨率將允許芯片縮小1.7倍、同時密度增加2.9倍。未來比3nm更先進的工藝，將極度依賴高NA EUV光刻機。

當然，ASML并不能獨立做出高NA EUV光刻機，還需要德國蔡司以及日本光刻膠涂布等重要廠商的支持。

ASML現售的0.33NA EUV光刻機擁有超10萬零件，需要40個海運集裝箱或者4架噴氣貨機才能一次性運輸完成，單價1.4億美元左右。

去年ASML僅僅賣了31臺EUV光刻機，今年數量提升到超100臺。

總結

以上是生活随笔為你收集整理的ASML介绍新一代高NA EUV光刻机：芯片缩小1.7倍、密度增加2.9倍的全部內容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。

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