11 月 28 日消息，根據韓媒 Business Korea 報道，SK 海力士計劃明年發布“2.5D fan-out”集成存儲芯片封裝方案，實現兩個芯片之間的端到端連接。

這種封裝方案是將兩個 DRAM 芯片水平并排放置，然后將它們組合成一個芯片。這種方案的優勢是由于芯片下方沒有添加基板，可以讓成品微電路更薄。

援引該韓媒報道，臺積電自 2016 年以來一直使用類似的安排來集成不同的芯片，并應用于蘋果的處理器生產中，不過存儲廠商此前并未關注過這項技術。

HBM 型存儲芯片的垂直集成固然可以顯著增加接口帶寬，但成本高昂，而 SK 海力士研發的“2.5D fan-out”，能有效降低生產 DRAM 芯片成本，預估會在游戲顯卡的 GDDR 顯存中使用。

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總結

以上是生活随笔為你收集整理的显存技术重大突破，消息称 SK 海力士明年将推 2.5D fan-out 封装方案的全部內容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。

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