分立器件成品參數
平面高壓MOS
SVF28N50PN是N溝道增強型高壓功率MOS場效應晶體管，采用士蘭微電子的F-CellTM平面高壓VDMOS工藝技術制造。先進的工藝及條狀的原胞設計結構，使得該產品具有較低的導通電阻，優越的開關性能及很高的雪崩擊穿耐量。
該產品可廣泛應用于AC-DC開關電源，DC-DC電源轉換器，高壓H橋PWM馬達驅動。

主要特點
? 28A，500V，RDS(on)(典型值)=0.15W@VGS=10V
? 低柵極電荷量
? 低反向傳輸電容
? 開關速度快
? 提升了dv/dt能力
? 100%雪崩測試
? 無鉛管腳鍍層
? 符合RoHS環保標準
技術文檔

200A，650V IGBT模塊
SGM200HF6A1TFD模塊性能優良，適用于不間斷電源，交流變頻驅動器，電焊機等。
主要特點
? 200A，650V，VCE(sat)(典型值) =1.60V@IC=200A
? VCE(sat)帶正溫度系數
? 高抗短路能力
? 低開關損耗
? 絕緣銅底板，采用DBC技術
產品規格分類

內部框圖

技術文檔

封裝外形圖

SU0504A6G/SAG
SU0504A6G/SAG是四通道電壓軌鉗位型大電流瞬態電壓抑制器件，其每個通道都包含有一對ESD放電電流導向二極管，分別將正向和負向的靜電放電電流引導到正向鉗位電壓端和負向鉗位電壓端。另外，在該器件內部，還集成了一個穩壓管。一般在應用時，SU0504A6G/SAG的負向鉗位端與被保護電路的地線相接，這樣，正向的放電電流通過內置的穩壓管流到地線，保護了被保護電路的電源端。
SU0504A6G/SAG適合USB2.0以及數據傳輸線的ESD保護。
主要特點
? 四通道ESD保護結構；
? 滿足IEC61000-4-2(ESD) ：±30KV（空氣放電）
±30KV（接觸放電）；
? 輸入端對地不大于5.0pF的超低電容結構；
? I/O通道之間的電容不大于3.0pF；
? 很低的鉗位電壓；
? 較高的峰值電流；
? 可靠的硅器件雪崩擊穿結構；
? SOT-23-6L/ SOP-8-225-1.27封裝外形；
? 5V的低工作電壓。
技術文檔

封裝外形圖

SFR20F60F2
超快速恢復二極管
SFR20F60F2是一款超快恢復二極管器件，采用了先進的硅外延平面工藝制作，在工藝參數和圖形結構上都進行了精心的設計，使得該系列產品具有較低的正向壓降和超快的反向恢復時間。
精確的外延摻雜控制，先進的平面結終端保護結構以及鉑摻雜控制少子壽命保證了該產品具有最佳的綜合參數，很高的耐用性和可靠性指標。
該產品可廣泛應用于開關電源，UPS以及PFC等領域。
主要特點
? 35ns的超快恢復時間
? 低的正向壓降
? 漏電流小
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SJT0281NPN
NPN型硅三極管
SJT0281NPN NPN型低頻大功率管，采用士蘭微電子先進的硅平面工藝制造，三重擴散，超低密度晶體缺陷，聚酰亞胺鈍化，小于200微米的薄芯片等先進技術的使用使得SJT0281NPN具有熱阻低，耗散功率大，可靠性好的特點。優化的芯片結構設計和封裝設計提升了器件的抗二次擊穿能力。
該產品主要應用于家用電器，AV器材，專業音響設備，汽車音響等音頻功率放大器的功率輸出級，具有線性范圍寬，失真度低的特點。
SJT0281NPN三極管采用TO-3P封裝外形。
與SJT0281NPN配對的互補PNP管：SJT0302PPN。
主要特點
? 較高的擊穿電壓余量。
? 非常低的漏電電流。
? 高輸出功率：150W；
? 較高的二次擊穿耐量和可靠性。
技術文檔

封裝外形圖

肖特基二極管(SBD)
SBT20UL45AR6是采用Trench結構制作而成的肖特基整流二極管，廣泛應用于開關電源，保護電路等各類電子線路中。
主要特點
? 高電流沖擊能力
? 低功耗，高效率
? 正向壓降低
技術文檔

參考鏈接：
http://www.sinyang.com.cn/product/6/

總結

以上是生活随笔為你收集整理的分立器件成品参数的全部內容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。

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