朗科自产DDR5内存高清图赏:将冲击10GHz
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今年底,Intel Alder Lake 12代酷睿平臺將會首發(fā)支持DDR5內(nèi)存,因此,2021年將成為DDR5內(nèi)存啟動的元年。
這段時間,DDR5領域開始異常活躍,從顆粒廠商到模組廠商都在積極備戰(zhàn),加速研發(fā)新產(chǎn)品,各大主板廠商也紛紛投身其中。
國產(chǎn)存儲品牌朗科科技日前宣布,DDR5內(nèi)存已經(jīng)進入研發(fā)階段,來自美光的首批DDR5 DRAM內(nèi)存顆粒已抵達研發(fā)總部。
最新消息稱,朗科已經(jīng)完成自產(chǎn)DDR5內(nèi)存模組階段,正在與華碩、微星等主板廠商合作驗證兼容性測試,進展順利,已成功開機并運行至操作系統(tǒng)。
據(jù)悉,朗科DDR5內(nèi)存模組單根、單面規(guī)格容量為16GB,時序40-40-40,標準頻率4800MHz,電壓1.1V,采用美光的R5顆粒,編號為Z9ZSB ES,搭配最新黑板PCB,板號為KO-8802A-5。
這一顆粒采用1znm工藝制造,F(xiàn)BGA 82-ball封裝,長寬尺寸分別為11×9毫米。
朗科還宣稱,將會投入研發(fā)頻率達到甚至超過10GHz的DDR5內(nèi)存產(chǎn)品,
總結
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