中芯国际7nm制程工艺取得突破 首款芯片成功流片!
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中芯国际7nm制程工艺取得突破 首款芯片成功流片!
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據《珠海特區報》報道,日前,IP和定制芯片企業芯動科技完成全球首個基于中芯國際FinFET N+1先進工藝的芯片流片和測試,所有IP全自主國產,功能一次測試通過。這也意味著中芯國際在7nm制程工藝上取得突破。
《珠海特區報》報道
觀察者網援引中科院半導體所專業人士介紹,成功“流片”指在實驗室得到性能達到指標的器件,而要實現真正量產,還需要在器件可靠性、退化機制等方面得到大量的數據支持和反復檢驗。
手機中國獲悉,中芯國際FinFET N+1先進工藝在功率和穩定性方面與7nm制程工藝非常相似,且不需要光刻機。該工藝和中芯國際現有的14nm工藝相比,性能提升了20%,功耗降低了57%,邏輯面積縮小了63%,SoC面積減少了55%。不過其性能提升依然不夠,因此主要面向低功耗應用領域。
中芯國際
中芯國際此前證實遭遇美國出口限制,并表示正在評估該事件對公司經營造成的影響。相關公告顯示,美國向中芯國際出口的部分美國設備、配件及原物料會受到美國出口管制規定的進一步限制,須事前申請出口許可證后才能向中芯國際繼續供貨。在這樣的背景下,中芯國際7nm制程工藝取得突破一事就顯得意義非凡了。
總結
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