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三星下一代 3nm / 4nm 节点有望明年下半年量产

發(fā)布時(shí)間:2023/11/4 windows 52 传统文化
生活随笔 收集整理的這篇文章主要介紹了 三星下一代 3nm / 4nm 节点有望明年下半年量产 小編覺得挺不錯(cuò)的,現(xiàn)在分享給大家,幫大家做個(gè)參考.

11 月 3 日消息,三星電子本周向投資者透露,近期將過渡和推進(jìn)光刻技術(shù),計(jì)劃 2024 年下半年向市場(chǎng)推出采用第二代 3nm 工藝技術(shù)(SF3)以及量產(chǎn)版 4nm 工藝(SF4X)的產(chǎn)品。

圖源:三星電子

該公司一份聲明中寫道:

我們計(jì)劃今年下半年啟動(dòng)第二代 3nm 工藝、以及用于 HPC 的第 4 代 4nm 工藝的量產(chǎn),進(jìn)一步增強(qiáng)我們的技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)力。

由于移動(dòng)需求的反彈和 HPC 需求的持續(xù)增長(zhǎng),預(yù)計(jì)市場(chǎng)將轉(zhuǎn)向增長(zhǎng)。

注:三星即將推出的 SF3 工藝技術(shù)是對(duì)其現(xiàn)有 SF3E 生產(chǎn)節(jié)點(diǎn)的重大升級(jí),根據(jù)目前公布的信息,該節(jié)點(diǎn)僅用于制造用于加密貨幣挖礦的小型芯片。

三星聲稱,SF3 將提供更大的設(shè)計(jì)多功能性,可以在相同的單元類型中,為不同的全柵極 (GAA) 晶體管提供不同的納米片通道寬度。

盡管三星沒有直接比較 SF3 和 SF3E,但三星表示 SF3 比 SF4(4LPP、4nm 級(jí)、低功耗)有重大改進(jìn):包括在相同功率和復(fù)雜性下性能提高 22%,或者在相同頻率和晶體管數(shù)量下功耗降低 34%,以及邏輯面積減少 21%。

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總結(jié)

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