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台积电正研发3nm和4nm工艺:功耗降低30%、2022年量产

發(fā)布時間:2023/11/23 综合教程 28 生活家
生活随笔 收集整理的這篇文章主要介紹了 台积电正研发3nm和4nm工艺:功耗降低30%、2022年量产 小編覺得挺不錯的,現(xiàn)在分享給大家,幫大家做個參考.

在臺積電第26屆技術(shù)研討會上,臺積電不僅確認(rèn)5nm、6nm已在量產(chǎn)中,且5nm還將在明年推出N5P增強版外,更先進的3nm、4nm也一并公布。

3nm是5nm的自然迭代,4nm理論上說是5nm的終極改良。

技術(shù)指標(biāo)方面,3nm(N3)將在明年晚些時候風(fēng)險試產(chǎn),2022年投入大規(guī)模量產(chǎn)。相較于5nm,3nm將可以帶來25~30%的功耗減少、10~15%的性能提升。

4nm(N4)同樣定于明年晚些時候風(fēng)險試產(chǎn),2022年量產(chǎn)。對于臺積電N5客戶來說,將能非常平滑地過渡到N4,也就是流片成本大大降低、進度大大加快。

當(dāng)然,臺積電不是唯一一家3nm廠商,三星的雄心更大,明年就想把3nm推向市場。而且在核心技術(shù)方面,三星的3nm將改用Gate-All-Around(GAA,環(huán)繞柵極晶體管),臺積電則是堅守FinFET(鰭式場效應(yīng)晶體管)。

三星比較雞賊,3nm對比的是7nm,號稱可將核心面積減少45%,功耗降低50%,性能提升35%。

總結(jié)

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