ARM与美国防高级研究计划局签订三年合作协议
集微網消息(文/隱德萊希)英國芯片設計公司ARM官方網站8月20宣布,ARM已與美國國防高級研究計劃局(DARPA)簽訂了為期三年的合作協議。
圖源:eenewseurope
這份協議也是美國電子復興計劃(ERI)的一部分。該計劃啟動于2017年,目的是將產業界和學術界的合作伙伴聚集在一起,促進微電子產業的四個關鍵領域:開發用于芯片制造的新材料、通過通硅孔垂直整合多個器件、創建芯片的定制應用以及確保芯片安全和設計的最新知識。
Arm知識產權產品部總裁Rene Haas說接受采訪時說:“擴大與DARPA合作伙伴關系,將使他們能夠使用最廣泛的Arm技術,目標是開發由全球最大的軟件生態系統支持的計算解決方案。”
業內人士普遍認為,以ERI計劃為突破口,該協議將加速ARM入美出售談判。
根據合作關系,ARM 公司的所有商業芯片設計架構和知識產權都可用于 DARPA 項目。二者還將在依靠低功耗使用的傳感器等工作上進行合作,以實現持續監測。在昨天召開的 ERI 峰會上,ARM 首席執行官 Simon Segars 重點討論了物聯網(IoT)范疇的設備,以及這些設備與下一代5G 網絡的連接。
ARM 和 DARPA 還針對屬于近零功率射頻和傳感器操作(N-Zero)計劃的傳感器進行合作。通過該計劃,ARM 將為1000名 DARPA 員工提供訪問其知識產權的機會。N-Zero 計劃專門用于軍事用途的產品,它的目標是開發能夠在低功耗狀態下檢測光、聲音和運動并長期保持休眠狀態的傳感器。
總結
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