在進(jìn)入20nm節(jié)點(diǎn)之后，內(nèi)存工業(yè)也面臨著CPU工藝一樣的制造難題，微縮越來越困難，制造工藝復(fù)雜，導(dǎo)致內(nèi)存成本居高不下。如今7nm以下的處理器用上了EUV光刻機(jī)，內(nèi)存很快也要跟進(jìn)了，SK海力士計(jì)劃在韓國M16工廠引入EUV工藝。

與目前大量在用的DUV光刻相比，EUV光刻機(jī)可以減少多重曝光工藝，提供工藝精度，從而可以減少生產(chǎn)時(shí)間、降低成本，并提高性能。

內(nèi)存用上EUV工藝之后，內(nèi)存顆粒的制造成本理論上是會(huì)下降的，這也為內(nèi)存降價(jià)奠定基礎(chǔ)，不過EUV初期來說就很難了，因?yàn)镋UV光刻機(jī)售價(jià)將近10億元人民幣，新建EUV產(chǎn)線的成本是非常高的，需要時(shí)間消化。

據(jù)韓國媒體報(bào)道，SK海力士已經(jīng)成立了專門的研究小組攻克EUV工藝，從去年就開始投資EUV中可能用到的TF材料，相關(guān)研究由副總裁鄭泰佑負(fù)責(zé)，他是蝕刻技術(shù)的專家，曾參與SK海力士首個(gè)10nm DRAM“Arius”的開發(fā)項(xiàng)目以及下一代NAND閃存的研發(fā)。

SK海力士也在推進(jìn)建設(shè)EUV DRAM內(nèi)存生產(chǎn)線的建設(shè)，預(yù)計(jì)在韓國利川市的M16工廠中開始引入。

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總結(jié)

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