台积电宣布3nm工艺2021年风险量产 晶体管密度提升70%
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台积电宣布3nm工艺2021年风险量产 晶体管密度提升70%
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臺積電兩年前量產了7nm工藝,今年要量產5nm工藝了,已經被華為、蘋果搶先預定了大部分產能,現在3nm工藝也定了,官方宣布2021年風險量產,2020年下半年正式量產。
此外,臺積電還透露了3nm工藝的技術指標,相比今年的5nm工藝,3nm工藝的晶體管密度提升15%,性能提升10-15%,能效提升20-25%。
之前傳聞臺積電在3nm節點會放棄FinFET晶體管工藝轉向GAA環繞柵極晶體管,不過最新消息稱臺積電研發成功2nm工藝,使用的是GAA晶體管技術,這意味著臺積電3nm節點還會采用傳統的FinFET工藝。
據外媒報道,臺積電將如期推出iPhone和iPad的蘋果A16芯片,該芯片將采用臺積電的3nm工藝,并于2022年上市。
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總結
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