【TechWeb】據(jù)臺灣媒體報道，臺積電沖刺先進制程，在2nm研發(fā)有重大突破，已成功找到路徑，將切入環(huán)繞式柵極技術(shù)(gate-all-around，簡稱GAA)技術(shù)。

臺媒稱，三星已決定在3nm率先導入GAA技術(shù)，并宣稱要到2030年超過臺積電，取得全球邏輯芯片代工龍頭地位，臺積電研發(fā)大軍一刻也不敢松懈，積極投入2nm研發(fā)，并獲得技術(shù)重大突破，成功找到切入GAA路徑。

臺積電負責研發(fā)的資深副總經(jīng)理羅唯仁，還為此舉辦慶功宴，感謝研發(fā)工程師全心投入。

臺積電3nm制程預計明年上半年在南科18廠P4廠試產(chǎn)、2022年量產(chǎn)，業(yè)界以此推斷，臺積電2nm推出時間將在2023年到2024年間。

臺積電今年4月曾表示，3nm仍會沿用FinFET（鰭式場效應晶體管）技術(shù)，主要考慮是客戶在導入5nm制程后，采用同樣的設(shè)計即可導入3nm制程，可以持續(xù)帶給客戶有成本競爭力、效能表現(xiàn)佳的產(chǎn)品 。

總結(jié)

以上是生活随笔為你收集整理的台媒：台积电2nm制程研发取得突破 将切入GAA技术的全部內(nèi)容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。

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