美光科技在 6 月 29 日（本周一）公布了第三季度的財報，美光首席執行官 Sanjay Mehrotra 指出：“展望 2020 下半年的市場趨勢，有三個關鍵點。首先，希望數據中心的前景廣闊；第二，希望智能手機和消費者終端設備的銷售情況繼續改善，從而加速整個供應鏈中的庫存消耗；第三，希望新的游戲機推動更多的 DRAM 和 NAND 需求。”

　　最新的數據顯示，美光科技在 DRAM 的出貨量和 NAND ASP（平均售價）增長方面超過了其競爭對手三星和 SK Hynix。五年前，我國清華紫光擬收購美光科技以加強 DRAM 和 NAND 閃存實力，但最終并未成功，到目前為止，DRAM 和 NAND 依然是我國缺少的關鍵半導體組件之一。

　　我國半導體存儲芯片的現狀如何？與美光科技等存儲芯片巨頭的差距還有多遠呢？

　　國產芯片供需缺口較大

　　我國一直在努力減少對國外半導體制造公司的依賴，根據《中國大陸的半導體和設備市場：分析與制造趨勢》報告顯示， 2019 年我國在集成電路上的進口 4451.3 億塊集成電路，同比增長 6.6%，進口額為 3055.5 億美元，同比下降 2.1%。集成電路出口 2187 億塊，同比增長 0.7%，出口額為 1015.8 億美元，同比增長 20%。

　　目前，中國 OEM 廠商生產電子設備所需的半導體設備需求與中國內部制造供應之間在存在著較大的缺口，盡管中國自主制造的芯片數量逐年上漲，但需求量也逐年升高，預計到 2022 年供應量達到 4 千億，需求量達到 7.5 億，供需差距 3.5 億片。

　　盡管在 2019 年受到貿易限制的影響，但中國的半導體進口量增速不減，2020 年新冠疫情下，中國半導體進口量的增長速度甚至更快。

　　在這樣的情況下，過去九個季度里中國的兩家制造存儲芯片公司，生產 3D NAND 的長江存儲技術（YMIC）和生產 DRAM 的長鑫存儲技術有限公司（CXMT）分別購買了 30 億美元的生產設備。

　　國內存儲芯片發展現狀

　　在中國的存儲芯片市場上，許多公司都在加緊部署新的晶圓廠，無論是從資金上，還是技術上，都馬力十足。

　　長鑫存儲

　　長鑫存儲的第一家晶圓廠已經宣布了 19nm 技術的計劃，總產能 12 萬片/月，產能從兩萬片每月提升到三萬片，推遲了一年多，于 2019 年底開始生產。長鑫存儲計劃在其 Fab 1 附近再增加兩個晶圓廠。

　　此外，長鑫存儲也定下了下一步目標，預計在未來2-3 年時間推進 LPDDR5 DRAM 產品開發，工藝升級到 17nm 以下。

　　長江存儲

　　長江存儲在武漢的第一個工廠是一座單層建筑，每月產能為 12 萬片晶圓。利用其全資子公司武漢新芯（XMC）現有的 12 英寸工廠，長江存儲于 2017 年成功設計并制造了首款 32 層 NAND 閃存芯片。

　　2019 年 9 月 2 日，長江存儲宣布 64 層 NAND 閃存芯片已投入生產，基于 Xtacking 架構的 256Gb TLC 3D NAND 閃存已投入量產 。

　　2020 年 4 月 13 日，長江存儲宣布通過與多個控制器合作伙伴的合作，其 128 層 1.33Tb QLC 3D NAND 閃存芯片 X2-6070 通過了 SSD 平臺上的示例驗證。

　　據悉，長江存儲的母公司清華紫光集團計劃在武漢的第一家晶圓廠旁建造第二家晶圓廠，原定于 2020 底開始，但目前進度已經加快了。盡管清華紫光集團沒有透露該工廠的年產能以及投資金額，但該公司正在考慮在十年內對其 DRAM 業務進行總計 8000 億元人民幣的投資。

　　重慶清華紫光

　　清華紫光集團于 8 月 27 日宣布，已與重慶市政府簽署協議，成立研發中心和 DRAM 晶圓廠。該晶圓廠預計于 2022 年完工，每月生產 10 萬片晶圓。該晶圓廠最初計劃于去年開始建設，但因為貿易限制以及新冠疫情而推遲了。

　　兆易創新

　　兆易創新于 2020 年 4 月宣布，計劃通過非公開發行新股籌集 43.2 億元人民幣，為進軍 DRAM 存儲市場提供資金。除了自己的 DRAM 計劃，兆易創新還將投資長鑫存儲。

　　長江存儲 128 層 NAND 即將投入生產，僅落后美光兩個季度

　　2019 年，長鑫存儲的 DRAM 落后領先的 DRAM 制造商至少兩代，到 2021 年，長鑫存儲將落后美光、三星和 SK Hynix 三代。

　　2018 年，長江存儲的 32 層 NAND 落后世界領先的 NAND 制造商三代，但隨著長江存儲路線圖的加速，在 2020 年宣布推出了 128 層 NAND，計劃于 2020 年第四季度投入生產，這意味著長江存儲的新 NAND 將僅僅落后美光和 SK Hynix 兩個季度，與 Kioxia/Western Digital（WDC）112 層 NAND 不相上下。

　　值得一提的是，長江存儲的第二個 NAND 晶圓廠的建設計劃將提前。長江存儲的 NAND 器件使用的是 DUV 浸沒式光刻技術制造，即便是沒有 ASML 的 EUV，也能夠生產 3D NAND 芯片。

　　因此，我們在追趕美光的過程中，并沒有太多設備上的障礙，這場存儲芯片追擊戰，有信心取得勝利。

　　雷鋒網(公眾號：雷鋒網)小結

　　我國本土的存儲芯片制造企業雖然數量少、規模小、產品技術也較領先企業落后一些，但長江存儲、長鑫存儲的發展勢頭迅猛，陸續修建新的晶圓廠，開發出新的產品，這讓我們有理由相信，中國的 DRAM 和 NAND 存儲芯片終有一日能夠突出重圍，同美光科技等存儲芯片公司展開競爭。

　　2020 年 8 月 7 日至 8 月 9 日，2020 年全球人工智能與機器人大會（CCF-GAIR 2020）將在深圳隆重舉行，今年的主題是 AI 新基建產業新機遇，設置了針對新基建學術的 AI 前沿專場、機器人前沿專場、聯邦學習專場 3 大專場，針對新基建產業的 AI 芯片專場、智能駕駛專場、AIoT 專場等的 11 大專場。AI 芯片專場的學術大咖和重要企業技術 VP 將共同探討如何用創新的指令集、架構以及商業模式抓住新基建給 AI 芯片帶來的絕佳機遇。

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　　詳細信息請查看官網。

　　本文編譯自 https://seekingalpha.com/article/4356649-micron-technology-china-competitors-stepping-on-accelerator-pedal

　　封面圖來自長江存儲官網

總結

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