據快科技報道，臺積電正式披露了其最新 3nm 工藝的細節詳情，其晶體管密度達到了 2.5 億/mm²。作為參考，采用臺積電 7nm EUV 工藝的麒麟 990 5G 尺寸 113.31mm²，晶體管密度 103 億，平均下來是 0.9 億/mm²，3nm 工藝晶體管密度是 7nm 的 3.6 倍。

　　性能提升上，臺積電 5nm 較 7nm 性能提升 15%，能耗提升 30%，而 3nm 較 5nm 性能提升7%，能耗提升 15%。

　　此外臺積電還表示，3nm 工藝研發符合預期，并沒有受到疫情影響，預計在 2021 年進入風險試產階段，2022 年下半年量產。

　　工藝上，臺積電評估多種選擇后認為現行的 FinFET 工藝在成本及能效上更佳，所以 3nm 首發依然會是 FinFET 晶體管技術。

總結

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