1.存儲器的分類

按存取的方式分類：

可讀寫的：隨機存儲器RAM，順序存儲器SAM，直接存儲器DAM

只讀存儲器ROM

按存儲介質分類：

磁性材料存儲器

半導體存儲器

光存儲器

按功能與存取速度分類：

寄存器型存儲器

高速緩沖存儲器

主存儲器

外存儲器

按信息保存時間分類

易失型存儲器

非易失型存儲器

2.存儲器技術指標

存儲容量

存取速度

可靠性

?? 如果是嵌入式系統，那么功耗也是一項重要的技術指標

3. 主存中數據的存放

存儲字長與數據字長的概念：
存儲字長：主存的一個存儲單元所存儲的二進制位數
數據字長：計算機一次能處理的二進制位數

大端與小端的存放方式
大端：數據的高位字節存放在主存低地址單元（常用）
小端：數據的低位字節存放在主存的低地址單元

32位整數：0x12345678 主存中按字節的存放順序： 大端：12 34 56 78 小端：78 56 34 12

邊界對其的數據存放方式

現代的計算機中，內存空間都是按照字節編址的，理論上講任何類型的變量（任何變量在內存中所占大小都是以字節為單位）的訪問都可以從任何地址開始，但實際情況則是訪問特定類型變量時經常在特定的內存地址訪問，這就需要各種類型數據按照一定規則在空間上排序，而不是一個接一個的存放，這就是對齊原則。

雙字數據起始地址最末三位為000（8字節的整數倍）
單字數據起始地址最末兩位為00（4字節的整數倍）
半字數據起始地址最末一位為0（2字節的整數倍）
字節的數據存放按照單字數據處理

4. 存儲系統的層次結構與主存的基本結構

1. 存儲系統三級結構

2.主存結構

5.半導體存儲器的結構與使用

1. 靜態MOS存儲器（SRAM）

靜態MOS存儲單元

靜態MOS存儲器結構

2. 動態MOS存儲器（DRAM）

動態MOS存儲單元

刷新操作
這是動態MOS存儲單元與靜態MOS存儲單元最大的區別之一
動態存儲單元中，信息以電荷的形式存在于T1或T2管的柵級電容C1、C2上，由于電容容量小，電荷容易泄漏（ms級時間內），所以為了信息能長時間保存，需要及時補充電荷，這個操作被稱為刷新

集中式刷新：讀寫時不受刷新操作影響，存儲器速度快，但是存在‘死時間’，在死時間內CPU不能訪問存儲器

分散刷新方式：不存在死時間，但嚴重影響系統效率

異步刷新方式：既不存在死時間，又能保證系統效率

3. 只讀存儲器

MROM：Mask ROM 掩膜ROM
PROM: One-Time Programmable ROM 一次可編程ROM
EPROM: Erasable and Programmable ROM 可擦除可編程ROM
E²PROM: Electrical Erasable and Programmable ROM 電可擦除可編程ROM
Flash: 閃存 快速擦寫，不揮發性，可在線擦除重寫，非易失性，高密度低功耗的存儲器

6. 主存與CPU的連接

如果存儲芯片的容量與CPU所要求的容量不匹配時，我們需要對存儲器進行擴展，擴展方式有字擴展、位擴展、字位同時擴展

位擴展：

只有數據位不足時使用位擴展

比如說你的計算機是32位的，有32根數據總線，一次可處理4個字節的數據，但是這個存儲芯片數據總線DB只有8位，那么就需要4片這樣的存儲芯片并聯

字擴展

只有地址位不足時使用字擴展

比如說你的計算機地址總線是32位的，可以尋址4G的內存空間，但是這個存儲芯片地址總線AD只有30位，也就是1G，那么就需要4片存儲芯片串聯

訪問哪一段內存使用哪一片存儲器，這就需要片選信號決定，片選方式有 線選法、全譯碼法、部分譯碼法

字位同時擴展

當數據位與地址位均不足時

7.存儲器接口

存儲器與CPU外部數據線的連接問題，由于存儲器按字節編址，當存儲器的數據位數大于8時，CPU可能讀取一個規整字，也可能讀取它的一部分
8位：直接訪問
16位：由A0和BHE（高字節允許）控制訪問
32位：由BE3-BE0控制
64位：由A0-A3和BE7-BE0控制

8. 并行主存

期末周了，有空更

9. 高速緩沖器

期末周了，有空更

10. 虛擬存儲器

期末周了，有空更

11. 輔助存儲器

期末周了，有空更

總結

以上是生活随笔為你收集整理的计算机的存储系统，全方面、最详细的全部內容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。

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