颗粒厂加速推进百层3D闪存量产:大肚SSD将越发亲民
SSD 的“上車(chē)”紅利期已經(jīng)持續(xù)了一年多的時(shí)間,隨著 QLC(4bit/cell)、3D/4D 堆疊技術(shù)、PCIe 4.0 標(biāo)準(zhǔn)的成熟和推進(jìn),其對(duì)傳統(tǒng) HDD(機(jī)械硬盤(pán))的替代率無(wú)疑將越來(lái)越高。
據(jù) Digitimes 報(bào)道,閃存廠商們正全力在 120/128 層 3D 閃存上攻堅(jiān),預(yù)計(jì) 2020 年早期將陸續(xù)規(guī)模量產(chǎn)。
其中,SK Hynix 已經(jīng)在今年 3 月試樣 96 層 4D Nand(高集成外圍 CMOS,稱(chēng)為 4D),東芝和西部數(shù)據(jù)早就規(guī)劃了 128 層閃存路線圖,且基于 TLC 顆粒。
雖然堆疊層數(shù)的增加對(duì)可靠性提出了新挑戰(zhàn),但同時(shí)帶來(lái)的容量倍增以及單位容量存儲(chǔ)價(jià)格的下降則也是實(shí)實(shí)在在的福利。
按照此前集邦的資料,今年,512GB 將成為市售包括 OEM 采購(gòu) SSD 的主力容量,照此態(tài)勢(shì),希捷、西數(shù)未來(lái)機(jī)械硬盤(pán)的出貨量將在可見(jiàn)的未來(lái)繼續(xù)暴跌。
總結(jié)
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