不論是 NAND 閃存還是 DRAM 內存，國內市場幾乎都是 100% 依賴進口，去年進口的存儲芯片價值超過 1000 億美元，所以國內近年來集中力量發展存儲芯片。

在國內布局的三大存儲芯片基地中，紫光旗下的長江存儲 240 億美元的投資主要是 NAND 閃存，DRAM 內存有福建晉華以及合肥長鑫，前者跟聯電合作，因為跟美光產生了專利糾紛被美國制裁，發展前景并不樂觀。

　　國內 DRAM 內存的希望就剩下了合肥長鑫了，該公司 2016 年成立，官網資料很有限，只是提到“長鑫存儲致力于成為全球領先的半導體 IDM 企業，不斷引進先進的半導體設施，并研發行業頂尖技術。”

　　不過媒體報道稱，2017 年合肥長鑫投資 72 億美元興建 12 寸晶圓廠以發展 DRAM 產品，未來完成后，預計最大月產將高達 12.5 萬片規模。

　　此外，2017 年 10 月份兆易創新宣布與合肥市產業投資控股（集團）有限公司合作開展工藝制程 19nm 存儲器的 12 英寸晶圓存儲器（含 DRAM 等）研發項目，總投資 180 億元，合作主體也是合肥產投下屬的長鑫公司。

　　根據長鑫公司之前公布的計劃，合肥長鑫的一廠廠房已經于 2018 年 1 月建設完成，設備也開始安裝。根據計劃，長鑫將于 2018 年年底推出 8Gb DDR4 工程樣品，2019 年三季度推出 8Gb LPDDR4，到 2019 年年底，產能將達到 2 萬片一個月。從 2020 年開始，公司則開始規劃二廠，2021 年則完成 17nn 的研發。

　　長鑫發展 DRAM 內存的關鍵不是資金，而是人才及技術，在三星美光 SK 海力士等公司壟斷了全球主要的內存產能及技術之后，長鑫的 DRAM 內存技術來源是哪里呢？

　　今天在上海舉辦的 GSA 峰會上，長鑫存儲的董事長兼 CEO 朱一明發表了《中國存儲技術發展與解決方案》主題演講，其中就提到了長鑫 DRAM 內存的技術來源。

　　根據朱一明所說，長鑫從成立開始，就與國內外技術領先的合作伙伴廣泛開展研發合作，如 ASML、KLA-Tencor、Lam Research、TEL、Applied Material 和 TechInsight 等，不過 DRAM 內存技術重要原來則是已經破產的奇夢達。

　　奇夢達公司是英飛凌半導體剝離出來成立的 DRAM 芯片公司，早些年還可以在某些顯卡上看到他們的 GDDR 顯存，不過奇夢達已經破產多年，但這主要是因為經營不善，奇夢達在 DRAM 上還是有自己的技術的。

　　朱一明表示長鑫存儲通過與其合作，將一千多萬份有關 DRAM 的技術文件及 2.8TB 數據收歸囊中，這也是公司最初的技術來源之一。長鑫存儲在所接收技術和國際合作的基礎上，利用專用研發線，展開世界速度的快速迭代研發，已持續投入晶圓超過 15000 片。

總結

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