Intel 今天舉行了兩年來的第一次投資者會(huì)議，新任 CEO 司睿博親自上陣，向投資者們披露了大量未來產(chǎn)品和技術(shù)規(guī)劃。

　　首先是工藝方面，Intel 承認(rèn)在 10nm 工藝上冒險(xiǎn)太大，設(shè)置了過高的技術(shù)指標(biāo)，導(dǎo)致一再延期，未來會(huì)在新工藝開發(fā)中重新定義預(yù)期指標(biāo)，不一味過高追求。

　　具體來說，14nm 工藝(對(duì)標(biāo)臺(tái)積電 10nm)會(huì)繼續(xù)充實(shí)產(chǎn)能，滿足市場(chǎng)需求。10nm 工藝(對(duì)標(biāo)臺(tái)積電 7nm)消費(fèi)級(jí)產(chǎn)品今年年底購物季上架，服務(wù)器端明年上半年。

　　Intel 7nm 工藝將對(duì)標(biāo)臺(tái)積電 5nm，目前的計(jì)劃是 2021 年就投產(chǎn)并發(fā)布相關(guān)產(chǎn)品。

　　這距離 10nm 量產(chǎn)上架還不到兩年時(shí)間，顯然是大大加速了，看起來 Intel 真的充分汲取了 10nm 上的教訓(xùn)，應(yīng)該對(duì) 7nm 進(jìn)行了調(diào)整，以加速上市。

　　同時(shí)，Intel 會(huì)持續(xù)像現(xiàn)在的 14nm 一樣，對(duì)每一代新工藝持續(xù)進(jìn)行優(yōu)化，也就是會(huì)繼續(xù)出現(xiàn)很多+++版本，但會(huì)不像臺(tái)積電、三星那樣改進(jìn)一下就是新名字(11nm/8nm/6nm)。

　　10nm 今年上陣，明后年將接連出現(xiàn) 10nm+、10nm++；7nm 2021 年登場(chǎng)，2022 年、2023 年則連續(xù)推出 7nm+、7nm++。

　　7nm 工藝上 Intel 會(huì)第一次使用 EVU 極紫外光刻，但不確定是初代就加入，還是類似臺(tái)積電等待改進(jìn)版的第二代。

　　接下來一段時(shí)間，Intel 將有大量重磅產(chǎn)品陸續(xù)發(fā)布，包括至強(qiáng)處理器、GPGPU 通用加速處理器、AI 推理、FPGA、5G/網(wǎng)絡(luò)等，尤其是備受期待的 10nm Ice Lake 將在 6 月份開始出貨，當(dāng)然都是筆記本型的。

　　除了繼續(xù)宣傳 Ice Lake 的性能提升，包括圖形性能 2 倍于現(xiàn)在、AI 性能 2.5-3 倍、視頻編碼性能 2 倍、無線性能 3 倍，Intel 還第一次公開了 Ice Lake 的架構(gòu)圖，可以看到會(huì)首次原生支持 USB Type-C，同時(shí)還有個(gè)不知何物的 IPU。

　　在 Ice Lake 之后，2020 年 Intel 還會(huì)推出第二款 10n 處理器 Tiger Lake，CPU 架構(gòu)也是全新的，不過它應(yīng)該還是 Sunny Cove 核心，但 GPU 架構(gòu)在 Tiger Lake 上會(huì)有重大變化，使用全新的X圖形引擎，猜測(cè)應(yīng)該是跟 Xe 獨(dú)顯架構(gòu)一個(gè)體系的。

　　Tiger Lake 處理器還會(huì)在顯示技術(shù)、I/O技術(shù)上作出創(chuàng)新，Intel 沒有提及詳情，不過 2020 年是時(shí)候支持 PCIe 4.0、DDR5 內(nèi)存了，否則明年會(huì)大幅落后給 AMD 了。

　　說起來現(xiàn)在的 10nm 處理器斷代跟之前的不同了，實(shí)際上第一代 10nm 工藝是前兩年的 Cannonlake，但是只出了一款酷睿 i3-8121U 處理器之外就放棄了，現(xiàn)在的 Ice Lake、Tiger Lake 應(yīng)該是第二代、第三代 10nm 處理器了，但因?yàn)?Cannonlake 被廢，Ice Lake 變成了真正量產(chǎn)的第一代 10nm 處理器，Tiger Lake 則是第二代。

　　那么，Intel 2021 年的首款 7nm 工藝產(chǎn)品是什么呢？不是 CPU 處理器，而是 GPU 顯卡，確切地說是基于 Xe 架構(gòu)、采用 EMIB 2D 整合封裝和 Foveros 3D 混合封裝、面向數(shù)據(jù)中心 AI 和高性能計(jì)算的 GPGPU 通用計(jì)算加速卡。

　　Intel 曾經(jīng)一再公開表示會(huì)在 2020 年發(fā)布時(shí)首款獨(dú)立顯卡產(chǎn)品，不過明年首發(fā)的是 10nm 產(chǎn)品，后年上 7nm，并沒有推遲。

　　Intel 還強(qiáng)調(diào)，除了不斷研發(fā)新工藝，封裝技術(shù)方面也會(huì)持續(xù)演進(jìn)，并針對(duì)不同應(yīng)用劃分，比如PC 領(lǐng)域主要還是一種工藝通吃所有產(chǎn)品，單芯片封裝，而數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域會(huì)針對(duì)不同 IP 優(yōu)化不同工藝，并且注重多芯片封裝。

　　上任 CEO 科再奇的任期內(nèi) Intel 就在謀劃戰(zhàn)略轉(zhuǎn)型，主要目標(biāo)就是從 PC 為中心轉(zhuǎn)向市場(chǎng)空間更龐大的數(shù)據(jù)中心為主導(dǎo)業(yè)務(wù)。

　　根據(jù) Intel 公布的信息，他們的轉(zhuǎn)型現(xiàn)在已經(jīng)進(jìn)行到中期了，2013 年及之前都是 PC 為中心的公司，2017 到 2021 年則是數(shù)據(jù)中心為中心的公司，2021 年之后他們的目標(biāo)是“Intel 推動(dòng)世界”（Intel Power The World）。

　　在這個(gè)戰(zhàn)略目標(biāo)中，英特爾的發(fā)展機(jī)遇依然來自 PC 及數(shù)據(jù)中心，但后兩者的 TAM（可尋址市場(chǎng)空間）會(huì)大幅擴(kuò)大，2018 年的時(shí)候 PC CPU 市場(chǎng)空間只有 350 億美元，服務(wù)器 CPU 市場(chǎng)空間只有 170 億美元，2023 年數(shù)據(jù)中心為代表的市場(chǎng)空間將增長到 2200 億美元，PC 為代表的市場(chǎng)空間也會(huì)增長到 680 億美元。

　　在制程工藝上，Intel 這兩年因?yàn)?10nm 工藝難產(chǎn)而備受煎熬，被臺(tái)積電等公司超越，以致于很多人認(rèn)為 Intel 工藝不行了，這一次 Intel 也給出了強(qiáng)力反擊，指出在半導(dǎo)體工藝上他們依然是領(lǐng)導(dǎo)者。

　　總的來說，Intel 的目標(biāo)就是未來幾年里將營收及盈利做大，2022 到 2023 財(cái)年的營收目標(biāo)是 850 億美元，而 2018 年的營收是 708 億美元，未來三年要增長 20%。

　　此外，在 EPS 盈利方面，每股收益要從目前的 4.58 美元增長到三年后的 6 美元，意味著 Intel 未來的盈利能力也要大幅增加。

　　哦對(duì)了，說起新工藝，不得不順便提一下我們的中芯國際(SMIC)。

　　在半導(dǎo)體制造工藝上，國內(nèi)量產(chǎn)的最先進(jìn)工藝還是 28nm，與臺(tái)積電/三星量產(chǎn)的 7nm 差了至少兩三代。不過國內(nèi)廠商面臨的一個(gè)機(jī)遇是摩爾定律逐漸失效，10nm 及以下工藝面臨瓶頸，給了國產(chǎn)半導(dǎo)體廠商追趕的機(jī)會(huì)。

　　不過在晶圓代工市場(chǎng)上，國內(nèi)最大的公司是中芯國際，其與全球第一大半導(dǎo)體代工廠臺(tái)積電的差距還是很大的，營收規(guī)模只有后者的十分之一左右。

　　中芯國際今天下午發(fā)布了 2019 年 Q1 季度財(cái)報(bào)，當(dāng)季營收 6.7 億美元，環(huán)比下滑 15.1%，同比下滑 19.5%，毛利潤 1.22 億美元，環(huán)比下滑 16.3%，同比下滑 44.6%，歸屬于股東的凈利潤 1227 萬美元，環(huán)比下滑 53.7%，同比下滑 58.2%，不過算上非控制權(quán)益的話，當(dāng)季凈利潤 2438 萬元，環(huán)比增長了 124%，同比下滑了 10%。

　　與市場(chǎng)預(yù)期巨虧 4400 多萬美元相比，中芯國際 Q1 季度的表現(xiàn)要好于預(yù)期。

　　此外，中芯國際聯(lián)席 CEO 趙海軍、梁孟松也分別針對(duì)運(yùn)營及技術(shù)發(fā)表了看法。“過去兩年以來，公司處于調(diào)整期。透過優(yōu)化和改革，提升內(nèi)在實(shí)力，研發(fā)顯著提速。我們積蓄的能量和競(jìng)爭力，將加速我們接下來追趕產(chǎn)業(yè)發(fā)展新趨勢(shì)的步伐，迎合宏觀市場(chǎng)機(jī)會(huì)的到來，有望走出調(diào)整期，加速我們的成長。”

　　中芯國際聯(lián)席首席執(zhí)行官，趙海軍說：“我們看到一季度為今年?duì)I收低谷，產(chǎn)業(yè)庫存周期調(diào)整結(jié)束，中芯努力耕耘的新成熟工藝平臺(tái)也準(zhǔn)備就緒，模擬與電源管理芯片，CMOS 射頻與物聯(lián)網(wǎng)芯片等新應(yīng)用帶動(dòng)業(yè)績成長。二季度收入預(yù)計(jì)環(huán)比上升 17% 至 19%。”

　　中芯國際聯(lián)席首席執(zhí)行官，梁孟松說：“FinFET 研發(fā)進(jìn)展順利，12nm 工藝開發(fā)進(jìn)入客戶導(dǎo)入階段，下一代 FinFET 研發(fā)在過去積累的基礎(chǔ)上進(jìn)度喜人。上海中芯南方 FinFET 工廠順利建造完成，開始進(jìn)入產(chǎn)能布建。我們將為快速契合客戶的技術(shù)遷移做好準(zhǔn)備，以面對(duì)日新月異的行業(yè)環(huán)境。”

　　值得注意就是梁孟松公布的國產(chǎn)半導(dǎo)體制造工藝的進(jìn)步，12nm 工藝也進(jìn)入了客戶導(dǎo)入階段，另外新一代 FinFET 工藝研發(fā)進(jìn)度喜人，看起來進(jìn)展很順利。

　　盡管中芯國際沒有明確新一代 FinFET 工藝具體是什么，但此前中芯國際在 28nm 到 14nm 節(jié)點(diǎn)中跳過了 20nm 工藝，在 14nm 到未來工藝中應(yīng)該也會(huì)跳過 10nm 工藝，因?yàn)楹笳卟⒎歉咝阅芄に嚕?nm FinFET 工藝才是下一代的重點(diǎn)工藝，而此前他們也斥巨資購買了 ASML 的 EUV 光刻機(jī)研發(fā) 7nm 工藝。

　　即便中芯國際不跳過 10nm FinFET 工藝，這也意味著國產(chǎn)的 10nm FinFET 工藝進(jìn)展良好，這依然是最頂尖的制造工藝之一。

總結(jié)

以上是生活随笔為你收集整理的Intel官宣！7nm工艺后年闪电上市 Xe独立显卡首发的全部內(nèi)容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。

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