網易科技訊，5 月 9 日消息，據 Anandtech 報道，在美國當地時間 8 日舉行的英特爾投資者日上，該公司首席執行官鮑勃·斯旺（Bob Swan）和總裁穆爾西·蘭德奇塔拉(Murthy Renduchintala)談到了英特爾的芯片開發路線圖。

　　英特爾歷來在執行其工藝技術方面能力超強，但其推出 10nm 制程工藝數次延遲顯然引發了許多質疑，而且這種情況已經持續了數年。兩位英特爾高管詳細介紹了英特爾在此期間所做的事情，以及其從這些事件中吸取了哪些教訓。

　　早在 2013 年，英特爾就設想通過提供 2.7 倍密度的自對準四軸圖形(SAQP)、有源柵極上接觸(COAG)、Cobolt 互連以及 EMIB 和 Foveros 等新封裝技術，利用 10nm 芯片取代 14nm 芯片。

　　英特爾承認，這是個雄心勃勃的計劃，但由于該公司沒有與相關團隊明確界定目標，導致該計劃最終變得過于復雜，且沒有以理想的方式加以管理。

　　這最終致使 10nm 工藝的推出被延遲。在這種情況下，英特爾將 10nm 制程工藝推持到 2019 年，并以 14+ 和 14++ 填補了空白。

　　自該計劃實施以來，英特爾的 14+ 和 14++ 工藝已經獲得了超過 20% 的性能提升。因此，英特爾不僅為將來的節點內優化做好了準備，而且實際上還調整了路線圖來完善它。

　　蘭德奇塔拉明確表示，英特爾希望在新工藝開始時引入類似摩爾定律式的增益，并在該工藝結束時引入另一種類似的增益。

　　英特爾表示，其 10nm 產品系列將從今年年中開始上市，客戶端平臺(筆記本電腦)將配置 Ice Lake。

　　英特爾將在 2019 年和 2020 年推出多種 10nm 產品，包括在 2020 年上半年推出基于 10nm 的服務器。

　　此外，英特爾表示將在 2021 年生產并推出一款 7nm 產品。

　　對于一家開發 10nm 工藝都存在問題的公司來說，這個時間表聽起來顯得十分激進。在英特爾路線圖中，10nm (以及 10+ 和 10++)的生命周期比 14nm 系列短得多。

　　考慮到這一點，英特爾的 7nm 產品將成為該公司從 14nm 和 10nm 系列產品中吸取教訓的結合體。英特爾希望實現 2 倍擴展(摩爾定律)，但是計劃將節點內優化作為路線圖的一部分。

　　英特爾也在減少其設計規則的數量，這應該有助于執行新的路線圖計劃。7nm 也將是英特爾與 EUV 交叉的領域，并將引入下一代 Foveros 和 EMIB 封裝技術。

　　英特爾還展示了以個人電腦為中心的單片芯片和基于 Foveros 和 EMIB 的多模數據中心芯片。英特爾芯片和封裝團隊表示，我們將看到 Foveros 和 EMIB 出現在新產品上，特別是 GPU。

　　英特爾宣布其領先的 7nm 產品將是基于 Xe 圖形架構的新 GPGPU。該公司表示，其 Xe 產品將有兩個不同的微體系結構（從移動端 GPGPU），其中一個架構稱為北極聲音（Arctic Sound）。

　　英特爾將在 2020 年發布首個分離式 GPU 技術，然而 7nm GPGPU 將等到 2021 年推出。（小小）

總結

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