? ? 都有說STM32的內部Flash可以像EPROM一樣操作，單個字節單個字節的寫入。根據本人的拙見，其實也就僅僅是“像”而已。原因有以下幾點：

1.首先Flash這種東西，其寫入數據的原理是便是將1變成0，所以你的某地址Flash一旦已經寫過數據而且不為0，則當你再次需要向該地址寫數據時，必須要先擦除，即把該地址先全部變成1，否則你將數據寫入該地址后，基本上該地址里面的值已經不是你寫入的值了。

2.STM32對內部Flash有頁（1k或者2K）擦除指令，也就是STM32不能單獨對某一個或者某幾個字節進行擦除。而擦除操作并不需要大量內存。

3.如果要像EPROM一樣操作Flash，其原理是先把該一頁里面的數據全部讀到一個buf里面，如果你希望整頁的數據不丟失，那么buf的大小至少應該和頁大小一樣，即為1K或者2K（大小視MCU型號而定）。然后對整頁進行擦除，再把要寫入的數據先寫到之前的buf里面（用要寫入的數據替換buf里相應位置的原來的數據），再把整個buf寫到Flash里面。如此便實現了任意數據長度的數據寫入Flash。

4.正如第3點，如果你跑的是系統，諸如（UCOS，RTX，FRERTOS）等，那么你進行此操作的task的堆棧至少應該為1K+N或者2K+N。否則直接堆棧溢出而進hard fault。我想這是我們大家所不能忍受的。

? ? ? 當然，對于上述問題有一些變通的方法，如果你要寫入的數據比較少，比如幾十個Byte，那么你可以將buf改小，只要大于等于你要保存的數據數量就可以了，這樣便可以大大減小內存。另外，STM32支持字（4Byte）或者半字（2Byte）寫入，所以你的buf應該為偶數。如果你要寫入的數量為奇數，buf也應該為偶數，不足的在buf里補0或任意一個數就好。因為，如果你的buf為奇數的話，在寫入最后一個數據時，系統會在內存中隨便抓一個地址里的數據，寫進去，這可能出問題。（究竟有沒問題我沒有試過）。

總結

以上是生活随笔為你收集整理的关于STM32像EPROM一样可以单字节写内部Flash的理解的全部內容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。

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