新纳米结构能加快电子设备运行
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俄羅斯國家研究型核大學(xué)國立核能研究大學(xué)莫斯科工程物理學(xué)院(MEPhI)的學(xué)者與俄羅斯科學(xué)院西伯利亞分院金屬物理研究所的專家合作,研發(fā)出一種能夠提高高頻微型電路操作速率的納米結(jié)構(gòu)。
??? 該納米結(jié)構(gòu)是一種由常用半導(dǎo)體組成的層狀材料。研究人員挑選了制造新型納米結(jié)構(gòu)的適宜條件:過渡層結(jié)構(gòu)、厚度和活躍層的成分,因此,結(jié)構(gòu)質(zhì)量非常高。在提高材料“活躍”導(dǎo)電層中銦含量的情況下,有助于降低結(jié)構(gòu)中的電子質(zhì)量,提高它們的速度,因此電子儀器的運(yùn)行也能加快。
??? 不過,鄰層晶格的機(jī)械壓力將因此增強(qiáng)。物理學(xué)家們?cè)谥饾u增加活躍層中銦含量的同時(shí),也增加了厚實(shí)的過渡層,由此解決了上述問題。
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總結(jié)
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