2018-1-3

按照ROM的定義而言，一旦注入了原始信息即不能改變，但是隨著用戶的需要，我們總希望能任意改變ROM內的原始信息。這便出現了PROM，EPROM，EEPROM等。

對于半導體ROM而言，基本器件分為兩種：MOS型與TTL型。

1.掩模ROM
（Masked ROM）
我們可以根據行，列交叉處是否有MOS管來判斷輸出。若行，列交叉處有MOS管，則因其導通使得列線輸出為低電平，經放大器反向為高電平，輸出為”1”。由于此ROM制作成后不能改變原行，列交叉處的MOS管是否存在，所以，這是不可編程的ROM。

2.PROM
（Programmable ROM）
我們可以根據熔絲斷和未斷來區別其所存信息為“1”或“0”。若欲存“0”，則置耦合元件大電流，將熔絲燒斷。若欲存“1”，則耦合處不置大電流，熔絲不斷。當被選中，熔絲斷處將讀出“0”，未斷處將讀出“1”。由于已斷的熔絲是無法再恢復的，所以，這種ROM往往只能實現一次編程，不得再修改。

3.EPROM
（Erasable Programmable ROM）
我們根據能否形成浮動柵即MOS管能否正常導通判斷“1”或“0”的狀態。EPROM的改寫可用兩種方法，一種用紫外線照射，但是擦除時間比較長，而且不能對個別需要改寫的單元進行單獨擦除或重寫。另一種方法用電氣方法將存儲內容擦除，再重寫。
在聯機條件下，用電擦除方式或頁擦除方式，既可局部擦寫，又可全部擦寫，這種EPROM就是EEPROM。

EEPROM（Electrically Erasable Programmable ROM）
閃速存儲器（Flash Memory），

總結

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