（1）讀寫的基本單位

應用程序對NOR芯片操作以“字”為基本單位。為了方便對大容量NOR閃存的管理，通常將NOR閃存分成大小為128KB或者64KB的邏輯塊，有時候塊內還分成扇區。讀寫時需要同時指定邏輯塊號和塊內偏移。

應用程序對NAND芯片操作是以“塊”為基本單位。NAND閃存的塊比較小，一般是8KB，然后每塊又分成頁，頁的大小一般是512字節。要修改NAND芯片中一個字節，必須重寫整個數據塊。

（2）NOR閃存是隨機存儲介質，用于數據量較小的場合；NAND閃存是連續存儲介質，適合存放大的數據。?

（3）由于NOR地址線和數據線分開，所以NOR芯片可以像SRAM一樣連在數據線上。NOR芯片的使用也類似于通常的內存芯片，它的傳輸效率很高，可執行程序可以在芯片內執行( XI P, eXecute In Place)，這樣應用程序可以直接在flash閃存內運行，不必再把代碼讀到系統RAM中。由于NOR的這個特點，嵌入式系統中經常將NOR芯片做啟動芯片使用。而NAND共用地址和數據總線，需要額外聯結一些控制的輸入輸出，所以直接將NAND芯片做啟動芯片比較難。

（4）NAND閃存的容量比較大，目前最大容量己經達到8G字節。為了方便管理，NAND的存儲空間使用了塊和頁兩級存儲體系，也就是說閃存的存儲空間是二維的，比如K9F5608UOA閃存塊的大小為16K，每頁的大小是512字節，每頁還16字節空閑區用來存放錯誤校驗碼空間(有時也稱為out-of-band，OOB空間)；在進行寫操作的時候NAND閃存每次將一個字節的數據放入內部的緩存區，然后再發出“寫指令”進行寫操作。由于對NAND閃存的操作都是以塊和頁為單位的，所以在向NAND閃存進行大量數據的讀寫時，NAND的速度要快于NOR閃存。?

（5）NOR閃存的可靠性要高于NAND閃存，這主要是因為NOR型閃存的接口簡單，數據操作少，位交換操作少，因此可靠性高，極少出現壞區塊，因而一般用在對可靠性要求高的地方。相反的，NAND型閃存接口和操作均相對復雜，位交換操作也很多，關鍵性數據更是需安錯誤探測/錯誤更正〔EDC/ECC)算法來確保數據的完整性，因此出現問題的幾率要大得多，壞區塊也是不可避免的，而且由于壞區塊是隨機分布的，連糾錯也無法做到。

（6）NAND型閃存在擦、寫文件（特別是連續的大文件）時速度非常快，非常適用于順序讀取的場合，而NOR的讀取速度很快，在隨機存取的應用中有良好的表現。????????? ? ? NOR與NAND各有所長，但兩種優勢無法在一個芯片上得到體現。所以，設計人員在選用芯片時，只能趨其利而避其害，依照使用目的和主要功能在兩者之間進行適當的選擇。

總結：

NOR flash可靠性高，隨機存取好，可直接運行程序。

NAND flash存儲容量大，擦寫連續文件快，容易出現壞區塊。

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總結

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