以TF卡CLK為例進(jìn)行講解。

TF卡CLK接收端（彈片處）測(cè)到的波形如下。

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圖1 TF卡CLK接收端波形（彈片處） TF卡CLK通路串0Ω和50Ω，在彈片處測(cè)的幅度不變，則TF卡CLK的輸入阻抗是高阻。測(cè)試點(diǎn)與TF卡內(nèi)部DIE之間有一段彈片和TF卡金手指，則感性比較大。測(cè)試波形有回勾塌陷，伴有過沖，基本可以斷定是高負(fù)載+電感+電容這種情況。使用ADS進(jìn)行仿真，仿真圖與結(jié)果如下。

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圖2 TF卡CLK仿真圖（0Ω）

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圖3 TF卡CLK仿真結(jié)果（0Ω） 由上圖可以看出，源端串0Ω，內(nèi)部DIE有過沖無回勾，彈片處有回勾和過沖，源端有臺(tái)階、回勾和過沖。源端的臺(tái)階是高阻負(fù)載不匹配引起的，測(cè)量源端波形如下。

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圖4 TF卡CLK源端波形 源端測(cè)到的波形也有類似的臺(tái)階，與仿真結(jié)果基本一致。 TF卡內(nèi)部DIE只有過沖，可以在源端串個(gè)小電阻，增加源阻抗，減小向微帶線注入的電壓電流，即減弱源端驅(qū)動(dòng)力。這樣就可以減緩對(duì)電容的充電速度，防止電容過充而產(chǎn)生過沖。 經(jīng)過調(diào)試，源端串22Ω電阻，效果較好，如下圖。

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圖5 TF卡CLK接收端波形（彈片處）

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圖6 TF卡CLK仿真結(jié)果（22Ω） 由上圖彈片處的實(shí)測(cè)波形和標(biāo)紅的仿真波形（TF卡內(nèi)部DIE）可知，過沖基本沒有了。

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總結(jié)

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