10 月 12 日消息，臺積電正加速邁向 2nm。根據 MoneyDJ 報道，位于新竹寶山的臺積電工廠預計于 2024 年第 2 季度開始安裝設備，預計 2025 年第 4 季度量產，初期月產量約 3 萬片晶圓。

臺積電的高雄工廠目前也正在積極“備戰”，預估將會在 N2 工藝登場 1 年后，采用背面供電技術，量產 N2P（2nm 加強版）工藝。

此前報道，臺積電此前透露信息，在 N2 工藝上擴展背面電源軌（backside power rail）解決方案，減少紅外衰減和改善信號，性能可以提高 10% 至 12%，并讓邏輯面積減少 10% 至 15%。

臺積電計劃 2025 年下半年向客戶交付背面電源軌樣品，并與 2026 年量產。

三星此前公布的半導體規劃，2025 年大規模量產 2nm，2027 年量產 1.4nm；而英特爾方面，預估 2024 年上半年量產 l 采用 Gate All Around（GAA）技術 RibbonFET 電晶體架構的 20A，2025 年量產 18A。

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總結

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