三、數(shù)據(jù)斷電存儲，工程必備

7.FLASH讀寫斷電存儲

? ? ? ?這個例程主要是說明怎么設(shè)計FPGA時序邏輯來實現(xiàn)FLASH的頁面數(shù)據(jù)擦除、讀寫等，例程本身有著非常深刻地學(xué)習(xí)價值，大家不妨回想一些嵌入式工作中的常見開發(fā)場景：1.做單片機STM32開發(fā)，KEIL編譯過后下載直接通過ST-LINK，J-LINK等把bin文件燒寫到單片機的內(nèi)部FLASH里，斷電重啟后STM32即運行剛才燒寫過的程序；2.同樣地我們也可以把一些希望斷電存儲的大批量數(shù)據(jù)保存到STM32內(nèi)部FLASH里，用到后面程序段未使用的扇區(qū)空間即可；3.STM32外掛一顆FLASH，把需要顯示的圖像二進(jìn)制數(shù)據(jù)預(yù)先存入FLASH里，上電后再把數(shù)據(jù)讀出，重新繪制到顯示屏的指定坐標(biāo)上即可；4.FPGA外掛一顆QSPI-FLASH，通過下載器把mcs文件燒寫到FLASH里，開機上電后FPGA即讀出FLASH的配置，再按照該配置去重新綜合其內(nèi)部的電路來達(dá)到預(yù)期設(shè)計等，所以毫不夸張地說掌握FLASH的讀寫在嵌入式開發(fā)中是一項必備技能。

? ? ? ?這里和朋友們簡單討論一些題外話，對于很多工程項目因為拆機不便，都會有著遠(yuǎn)程更新程序的現(xiàn)實性需求，例如上位機對STM32的IAP串口程序升級；4G網(wǎng)絡(luò)遠(yuǎn)程升級ARM LIUNX等，雖然具體的升級接口方式隨著硬件變化而變化，但其實核心內(nèi)容不變依舊是進(jìn)入Bootloader，通過各類通信協(xié)議接收到bin文件的二級制數(shù)據(jù)，逐一寫入FLASH的對應(yīng)扇區(qū)內(nèi)，最后從Bootloader跳轉(zhuǎn)到Application。

? ? ? ? 大家有沒有想過對FPGA而言，本身只是時序邏輯，那么它怎樣才能實現(xiàn)遠(yuǎn)程升級呢？這是一個很有意思也很有價值的問題，現(xiàn)實項目中如果需要對FPGA遠(yuǎn)程設(shè)計，一般需要通過上位機或者ARM端的協(xié)助，上位機可以通過常見的LAN、USB2.0、RS232等不同的外設(shè)接口把bin文件打報數(shù)據(jù)發(fā)送給FPGA，FPGA接收后按照時序邏輯去把數(shù)據(jù)寫入外掛QSPI-FLASH的對應(yīng)頁面（此時FPGA已上電從QSPI-FLASH中讀出電路配置內(nèi)容，按照程序給定的時序邏輯工作），也可以預(yù)先把FPGA的bin文件預(yù)先拷入U盤里，ARM或STM32通過移植FATS32，把U盤里的bin文件讀出并打報數(shù)據(jù)扔給FPGA，同樣的FPGA再去寫入數(shù)據(jù)到外掛的QSPI-FLASH里，這個例程先暫且不去討論具體FPGA遠(yuǎn)程升級的實現(xiàn)方案，而是提供一套擦除、讀寫FPGA外掛的鎂光QSPI-FLASH的設(shè)計方法，如圖1所示是豌豆開發(fā)板板載的一顆鎂光N25Q128芯片，利用這顆QSPI-FLASH芯片，既可以支持mcs文件燒寫即完成程序的斷電保存，也可以實現(xiàn)其他大批量數(shù)據(jù)的存儲記憶。

圖1 豌豆開發(fā)板Artix7上N25Q128電路

? ? ? ?談過FLASH的實戰(zhàn)背景意義后，在這個例程里，筆者想詳細(xì)地向大家介紹FPGA驅(qū)動IC設(shè)計的大體方法，只有當(dāng)理解并掌握一般性方法后，再去做其他相關(guān)IC驅(qū)動研發(fā)時才能舉一反三、靈活自如。但可能正應(yīng)了那句老話，一萬個讀者就有一萬個哈姆雷特，這里只是筆者的多年工作積累供參考，并沒有像數(shù)學(xué)考試一樣一個標(biāo)準(zhǔn)的答案，仁者見仁智者見智，可能不是最優(yōu)解，但確實是合理解。

? ? ? ?這里我們還是先來仔細(xì)閱讀N25Q128的芯片手冊，在提取程序設(shè)計中的用到關(guān)鍵信息后，再來和朋友們探討FPGA去驅(qū)動IC芯片的一般性方法！本例程的代碼是從轉(zhuǎn)產(chǎn)項目中摘錄的也具有很大參考價值，需要特殊說明的是QSPI-FLASH的引腳應(yīng)該接到Artix7芯片的固定IO上，否則無法用下載器下載mcs文件。

? ? ? ?寫到這里，筆者不由自主地想和大家分享一些親身研發(fā)經(jīng)歷，也是這個例程代碼的原型，當(dāng)時項目開發(fā)需要實現(xiàn)Artix7斷電存儲一些數(shù)據(jù)，XILINX官方手冊也推薦鎂光的外擴QSPI-FLASH芯片，PCB投板并焊接回來，卻發(fā)現(xiàn)QSPI-FLASH芯片不管怎么驅(qū)動都好像不工作，就不斷地用讀取ID號做測試始終沒任何反應(yīng)，因為物料是立創(chuàng)上面買的沒有懷疑，所以花了大量精力去排查其他地方，索性買來一塊低端外掛FLASH的Spartan6開發(fā)板，經(jīng)過測試讀取ID號成功了，但型號是W25Q128，所以仍舊無法確定具體原因，當(dāng)時感到束手無策，仔細(xì)核對了兩個FLASH的芯片手冊差別不大，但相同的邏輯代碼放在Artix7板上依舊不行，最后沒有辦法直接把Artix7板上的N25Q128芯片用烙鐵拆了，也把Spartan6開發(fā)板的W25Q128拆了換上鎂光的N25Q128芯片再試，結(jié)果再試居然好了！于是矛頭直指Artix7芯片，當(dāng)然現(xiàn)在看來確實走了很多彎路，因為過于相信XILINX下的ILA在線調(diào)試工具，實際沒有用示波器或邏輯分析儀去實際測量SPI總線協(xié)議上的信號，雖然在ILA下觀察SPI總線的時鐘一直作為輸出在線觀察有波形產(chǎn)生，但該引腳事實上沒有任何輸出只是被ILA調(diào)試欺騙，最后查閱了XILINX的官方手冊證明是連接該引腳的CCLK_0是特殊引腳，即使在.xdc文件里定義，也不能被直接驅(qū)動，需要參考XILINX手冊用特殊的原語去驅(qū)動該引腳！

? ? ? ?如圖2所示是芯片手冊上對N25Q128的引腳說明，大家可以對照圖1的電路來看，除了VCC和GND兩個引腳外，SO8W 封裝的N25Q128芯片，還有D0-D3，SCK時鐘信號和CS#片選信號六個引腳，朋友們可以注意到對于這顆QSPI-FLASH芯片有extended spi、dual spi、quad spi三種讀寫模式，即單線SPI、雙線SPI、四線SPI通信，其中單線SPI的一根數(shù)據(jù)線只用來發(fā)送，另一根數(shù)據(jù)線只用來接收，即為全雙工；雙線 SPI的兩根線都具有收發(fā)功能，但在同一時刻只能是發(fā)送或者是接收，即為半雙工；而四線 SPI與雙線 SPI相類似，只是數(shù)據(jù)線數(shù)量上有所區(qū)別，也為半雙工。

? ? ? ?其實筆者對單線SPI、雙線SPI、四線SPI通信模式下驅(qū)動N25Q128芯片都有嘗試過，平心而論單線SPI則更具有廣泛地實用性，因為一方面在雙線SPI、四線SPI通信中均為半雙工，即引腳需要定義成inout類型這也增加了程序設(shè)計的復(fù)雜性，另一方面芯片手冊對雙線SPI、四線SPI通信做了詳細(xì)說明，不難發(fā)現(xiàn)在這兩種模式下的命令發(fā)送和數(shù)據(jù)接收都有一些很容易大意的地方。

? ? ? ?當(dāng)然在這里也有朋友會反問，如果用雙線SPI、四線SPI通信不也提高了數(shù)據(jù)讀寫速度嗎？答案是肯定會有所提高，但大家想一想在整個設(shè)計，首先我們對SPI總線協(xié)議使用25Mhz的時鐘，對現(xiàn)實項目中讀寫FLASH數(shù)據(jù)的需求已經(jīng)完全可以滿足了；其次對FLASH的讀寫頻率不會很頻繁，不管是遠(yuǎn)程更新程序還是斷電記憶數(shù)據(jù)；再次在項目設(shè)計上，往往FPGA是作為計算、接口、采集后端的，而ARM作為顯示、工控、通信的前端，這時還需要通過各種總線、協(xié)議等把數(shù)據(jù)報文發(fā)送給FPGA，FPGA才會觸發(fā)讀寫FLASH操作，而通常情況下25Mhz的SPI通信相對于Modbus 485總線、CAN總線等通信來說，速度方面已經(jīng)足夠用了，即讀寫FLASH速度通常情況下要快于報文接收的速度，所以在這里再去糾結(jié)雙線SPI、四線SPI通信來提升FLASH讀寫速度，實際上現(xiàn)實意義并不大。

?圖2 N25Q128引腳的說明

? ? ? ?如圖3所示，是芯片手冊對N25Q128存儲空間的詳細(xì)描述，大家可以看到N25Q128標(biāo)明的是128Mb空間，即128*1024*1024=134217728位，也就是手冊中所寫的16777216字節(jié)，對FLASH以及下一個例程的SD卡里都有扇區(qū)的概念，手冊說明了一顆N25Q128芯片含有256個扇區(qū)，每個扇區(qū)是64K字節(jié)，即256*64*1024=16777216字節(jié)；含有4096個子扇區(qū)，每個子扇區(qū)是4K字節(jié)，即4096*4*1024=16777216字節(jié)；含有65536頁，每頁是256字節(jié)，即65536*256=16777216字節(jié)，所以要搞清楚這些基本概念，對于FLASH擦除、讀寫最小的操作是以頁為單位，當(dāng)然也能以扇區(qū)和子扇區(qū)為單位，在這個例程設(shè)計中我們以頁為操作的基本單位。

?圖3 N25Q128的存儲空間示意圖

? ? ? ?如下圖4所示是N25Q128芯片的操作指令表格，筆者把程序上常用的指令用紅圈標(biāo)注了出來。在表格中非常詳細(xì)地說明了Command具體內(nèi)容，Code對應(yīng)指令，是否支持Extended、Dual I/O、Quad I/O即單線SPI、雙線SPI、四線SPI通信和注意事項，這里因為程序設(shè)計中選擇了單線SPI，所以我們更加關(guān)注Extended欄中的項目。大家注意到表格下面的Notes，只需要看2、4、8三條即可，其中有的指令需要發(fā)送1字節(jié)的指令信息后再發(fā)送3字節(jié)的地址信息，有的指令則直接發(fā)送1字節(jié)的指令信息即可，有的指令還需要在發(fā)送前再發(fā)送write enable指令，下面我們結(jié)合芯片手冊上每種操作指令的時序邏輯圖，來為大家展開更加細(xì)致的說明，這些信息也關(guān)系到程序設(shè)計。

圖4 N25Q128芯片的操作指令表格

? ? ??筆者在這里按照芯片手冊的排版順序，為大家介紹程序設(shè)計上需要用到指令的時序邏輯，如圖5到圖10所示，分別是SPI單線模式下N25Q128芯片的讀取狀態(tài)寄存器指令、讀取ID指令、頁讀取指令、頁寫入指令、寫使能和寫禁止指令、頁擦除指令時序圖。

?圖5 SPI單線模式下N25Q128芯片的讀取狀態(tài)寄存器指令時序圖

?圖6 SPI單線模式下N25Q128芯片的讀取ID指令時序圖

?圖7 SPI單線模式下N25Q128芯片的頁讀取指令時序圖

圖8 SPI單線模式下N25Q128芯片的頁寫入指令時序圖

圖9 SPI單線模式下N25Q128芯片的寫使能和寫禁止指令時序圖

?圖10 SPI單線模式下N25Q128芯片的頁擦除指令時序圖

? ? ? ?如圖11所示是N25Q128芯片的狀態(tài)寄存器的說明，這里特別應(yīng)該去注意的是，在頁寫入和頁擦除操作后，需要輪詢地發(fā)送讀狀態(tài)寄存器指令以確定N25Q128是否執(zhí)行完成、準(zhǔn)備就緒，當(dāng)讀到一字節(jié)的狀態(tài)寄存器最低位是0時，即代表芯片準(zhǔn)備就緒可以執(zhí)行后續(xù)的其他操作，否則當(dāng)讀到最低位是1則代表尚未準(zhǔn)備就緒，這時再發(fā)送其他操作指令則會被視為無效操作，感興趣的同學(xué)可以在看看芯片手冊對其他寄存器的描述，N25Q128芯片確實有不止一個寄存器，例如有Status Register、Nonvolatile Configuration Register、Enhanced Volatile Configuration Register、Flag Status Register等，對這些寄存器的讀寫也會產(chǎn)生不同的效果，但在本例程中就用到最常見的一個即可。

?圖11 N25Q128芯片的狀態(tài)寄存器（Status Register）的說明

? ? ? ?如表1所示，是筆者總結(jié)的N25Q128芯片驅(qū)動指令列表，在這個列表中注明了指令的具體內(nèi)容和編號，和在各個指令下FPGA與FLASH通信時是否需要發(fā)送指令和地址內(nèi)容、是否需要在此后繼續(xù)讀寫數(shù)據(jù)等，在這里也定義了一個空指令CMD_NULL便于程序設(shè)計。（“√”代表該指令下通信需要發(fā)送命令、地址、寫數(shù)據(jù)或者接收數(shù)據(jù)等）搞清楚整個表格的內(nèi)容，對于flash_driver模塊的狀態(tài)機設(shè)計很有幫助。

commad	instruction	cmd	addr	rd	wr
CMD_RD_DEVICE_ID 讀芯片信息	9F	√		√
CMD_WR_DISABLE/WR_ENABLE 寫禁止/寫使能	04/06	√
CMD_PAGE_PROGRAM 頁編程（寫數(shù)據(jù)）	02	√	√		√
CMD_RD_DATA 讀數(shù)據(jù)	03	√	√	√
CMD_SECTOR_ERASE 扇區(qū)擦除	20	√	√
CMD_RD_STATUS_REGISTER 讀狀態(tài)寄存器	05	√		√
CMD_NULL 空指令	00

表1 N25Q128芯片驅(qū)動指令列表

? ? ? ?詳細(xì)閱讀過N25Q128芯片手冊并提取出關(guān)鍵信息后，就如前面所說筆者想通過這個例程和朋友們一起去探討使用FPGA驅(qū)動一顆IC芯片的一般性程序設(shè)計方法。這個例程中，我們?nèi)崿F(xiàn)如下功能：通過按下豌豆開發(fā)板上的按鍵，觸發(fā)一次讀寫FLASH的過程，為了驗證相關(guān)的操作指令，我們依次去進(jìn)行如下操作：讀取ID、寫禁止、寫使能、寫擦除、讀取狀態(tài)寄存器、寫使能、頁寫入、讀取狀態(tài)寄存器、頁讀取，為了方便測試，這里選擇在FLASH的頁地址（每頁是256字節(jié)）0下的，依次寫入0-255的256個字節(jié)數(shù)據(jù)，然后再去讀取頁地址0下的256個數(shù)據(jù)通過串口打印到上位機。

? ? ? 這時朋友們可以想一想應(yīng)該怎么去實現(xiàn)整個代碼設(shè)計，當(dāng)然FPGA設(shè)計本身具有很大的靈活性，可能每個人都有不同的看法，筆者在這里給大家分享一種一般性的驅(qū)動IC的方法，也是從多年工作經(jīng)驗中總結(jié)歸納而來的，比如在這個例程中，通過對例程功能的描述，對于操作FLASH則需要一個狀態(tài)機去實現(xiàn)指令之間的跳轉(zhuǎn)；通過對芯片手冊的分析，表3-3也詳細(xì)總結(jié)了不同指令下的數(shù)據(jù)發(fā)送和接收數(shù)量上不完全相同；通過對協(xié)議總線的學(xué)習(xí)，SPI底層還需要驅(qū)動邏輯的支持才能正常工作，這樣一想就會感覺整個設(shè)計起來會很復(fù)雜、很困難，那么我們應(yīng)該如何去化繁為簡呢？

? ? ? ?通過模塊劃分的思想，我們可以把很多復(fù)雜煩瑣的設(shè)計做得簡單明了，一般性地我們可以把FPGA對IC驅(qū)動細(xì)劃分成驅(qū)動層、控制層、邏輯層，比如在本例程中可以對應(yīng)地劃分成flash_driver、flash_control、qspi_flash_rw_top三個層，這樣就可以把很多東西簡化。驅(qū)動層實現(xiàn)對FLASH不同指令下的SPI總線上數(shù)據(jù)收發(fā)的時序邏輯；控制層則把驅(qū)動層例化到本模塊，根據(jù)工程需求實現(xiàn)操作FLASH指令之間的跳轉(zhuǎn)；邏輯層再把控制層例化過來，簡單修改就可以滿足整個代碼邏輯上對FLASH的控制，這樣就很大程度上減少編碼的復(fù)雜度，相反如果所有的驅(qū)動層、控制層、邏輯層的時序邏輯都放到一個模塊實現(xiàn)，那么肯定很復(fù)雜易出錯，而且也不易排查問題。

? ? ? ?其次這里還有個小技巧，細(xì)心的同學(xué)會發(fā)現(xiàn)幾乎大部分IC芯片都有支持讀取ID操作，用讀取ID來作為驗證驅(qū)動層時序邏輯設(shè)計是否正確，往往在實際項目中被證明是最為簡單快捷的驗證方法。

? ? ? ?如上表1所示，對于flash_driver驅(qū)動模塊，需要用到FLASH操作指令如下：讀取ID（9F）；寫禁止（04）；寫使能（06）；頁編程（02）；頁讀取（03）；頁擦除（20）；讀取狀態(tài)寄存器（05），對于這些指令操作，可以把它歸納成幾個步驟：發(fā)送CMD命令、發(fā)送ADDR地址、讀取數(shù)據(jù)和寫入數(shù)據(jù)，針對到具體指令操作有些步驟是跳過的，但不失一般性我們把flash_driver模塊劃分成6個狀態(tài)的狀態(tài)機，即IDLE、CMD_SEND、ADDR_SEND、RD_DATA、WR_DATA、DONE。

? ? ? ?flash_driver驅(qū)動模塊根據(jù)上游flash_control控制模塊發(fā)來的具體指令做狀態(tài)機的跳轉(zhuǎn)即可，如表2所示是flash_driver模塊信號列表，設(shè)計非常直觀明了給出詳細(xì)代碼供參考，對照代碼和說明很容易就可以動手還原出來，這里強調(diào)幾個設(shè)計上容易忽略的地方：

1. 對于FLASH的SPI時鐘的驅(qū)動設(shè)計，直接在本模塊從50Mhz時鐘分頻到25Mhz，但這里需要通過XILINX原語驅(qū)動CCLK_0引腳，CCLK_0引腳是特殊引腳，即使在xdc文件中定義也不生效；

2. 這個模塊中筆者使用的是單線SPI讀寫，感興趣的同學(xué)可以嘗試雙線SPI和四線SPI讀寫，從而結(jié)合具體工程練習(xí)，提高了FPGA的設(shè)計能力；

3. 市面上各種教程對于SPI總線的設(shè)計，其實很多是有些瑕疵的地方，筆者在項目當(dāng)中之前也參考別的代碼SPI設(shè)計，存在一些實際問題，在這個例程中也詳細(xì)分享給大家，確實很多細(xì)節(jié)真的需要自己靜下心來思考才能體會到。

? ? ? ? 通過第4個例程“ 串行DAC輸出模擬電壓控制LED亮度的學(xué)習(xí)實踐 ”，朋友們也都了解到SPI是有極性和相位一說的，即在上升沿和下降沿時接收或者發(fā)送數(shù)據(jù)，當(dāng)然接收和發(fā)送數(shù)據(jù)通過兩根獨立的數(shù)據(jù)線，即mosi和miso實現(xiàn)全雙工通信，對于SPI時序邏輯筆者見過主流的幾種設(shè)計方式：1. 從上游模塊產(chǎn)生一個SPI總線時鐘和一個相對偏移180度時鐘，再用這兩個時鐘的上升沿分別做數(shù)據(jù)的收發(fā)時鐘參考，這樣猛地一看貌似沒有問題，但實際增加了代碼的復(fù)雜度，同時因為兩個時鐘存在相位差，在和上游模塊進(jìn)行數(shù)據(jù)交互的時候，人為引入了跨時鐘域的問題；2. 直接用always模塊的posedge clk和negedge clk兩個時鐘去收發(fā)數(shù)據(jù)，因為FPGA里的D觸發(fā)器默認(rèn)是用時鐘上升沿，雖然語法上支持用時鐘下降沿的方法當(dāng)從底層配置上來說不太友好；3. 通過時序邏輯產(chǎn)生一個時鐘，再通過時序邏輯去向mosi總線上發(fā)送數(shù)據(jù)，因為時序邏輯是存在一拍的延時誤差，這樣做在分頻大的情況下，比如50Mhz分頻到6.25Mhz時，SPI的mosi和miso總線的建立和保持時間是足夠的，但在50Mhz分頻到25Mhz時，也是不可行的，所以筆者在flash_driver模塊中直接去產(chǎn)生SPI總線時鐘，并用組合邏輯從SPI總線上收發(fā)數(shù)據(jù)，這樣從代碼層面上就合理規(guī)避了可能出現(xiàn)的問題和人為增加的設(shè)計復(fù)雜度，如圖12所示是本模塊詳細(xì)代碼設(shè)計。

信號列表
信號名	I/O	位寬
clk	I	1
rst_n	I	1
flash_driver_en	I	1
flash_cmd	I	8
flash_addr	I	24
flash_dqout	I	1
flash_dqin	O	1
flash_cs	O	1
flash_cmd_done	O	1
flash_dout	O	8
flash_dout_vld	O	1

表2 flash_driver模塊信號列表

圖12 FLASH驅(qū)動模塊的代碼設(shè)計

? ? ? ? 在完成FLASH驅(qū)動模塊的編寫后，我們就需要再動手編寫FLASH控制模塊，前面也提起過在控制模塊中例化驅(qū)動模塊，再用一個狀態(tài)機完成各個指令之間的切換，依次去進(jìn)行如下操作：讀取ID、寫禁止、寫使能、寫擦除、讀取狀態(tài)寄存器、寫使能、頁寫入、讀取狀態(tài)寄存器、頁讀取，即對應(yīng)程序設(shè)計中的狀態(tài)機：IDLE、RD_DEVICE_ID、WR_DISABLE、WR_ENABLE_FIRST、SECTOR_ERASE、RD_STATUS_REGISTER_FIRST、WR_ENABLE_SECOND、PAGE_PROGRAM、RD_STATUS_REGISTER_SECOND、RD_FLASH_DATA，如表3所示是flash_ control模塊的信號列表，其中flash_control_en信號由按鍵產(chǎn)生。

信號列表
信號名	I/O	位寬
clk	I	1
rst_n	I	1
flash_control_en	I	1
flash_rdfifo_rdy	I	8
flash_dqout	I	1
flash_dqin	O	1
flash_cs	O	1
flash_cmd	O	8
flash_rd_dout	O	8
flash_rd_dout_vld	O	1

表3 flash_ control模塊信號列表

? ? ? ? 如圖13所示是FLASH控制模塊的代碼設(shè)計，和上個例程讀寫EEPROM類似，這里也需要一個FIFO用來緩存從FLASH的0地址頁內(nèi)讀出的256字節(jié)數(shù)據(jù)，本模塊中例化了FLASH驅(qū)動模塊，通過向下游模塊發(fā)送flash_driver_en使能和flash_cmd命令和FLASH驅(qū)動模塊數(shù)據(jù)交互，狀態(tài)機的跳轉(zhuǎn)按照前面芯片手冊提取出的信息設(shè)計即可，沒有太多復(fù)雜的東西。

圖13 FLASH控制模塊的代碼設(shè)計

? ? ? ? 如圖14所示是FLASH讀寫頂層文件的例化，這里只需要把幾個模塊相關(guān)信號例化到一起即可，如圖15所示是串口助手讀取FLASH頁的數(shù)據(jù)實驗截圖，用戶去按下豌豆開發(fā)板上的按鍵，就會觸發(fā)FLASH控制模塊的一系列指令操作，通過先擦除再寫入后讀取的方式，即首先擦除0地址頁內(nèi)的數(shù)據(jù)，接著從0-255依次寫入0地址頁內(nèi)256字節(jié)數(shù)據(jù)，最后從0地址頁內(nèi)讀取256字節(jié)的數(shù)據(jù)打印到串口助手上顯示。

圖14 FLASH讀寫頂層文件的例化

圖15 串口助手讀取FLASH頁的數(shù)據(jù)

源工程代碼下載鏈接(含datasheet)：

鏈接：https://pan.baidu.com/s/1R_Bsakz545CfCZgco-vzwg?
提取碼：cdug?

總結(jié)

以上是生活随笔為你收集整理的FPGA 20个例程篇：7.FLASH读写断电存储的全部內(nèi)容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。

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