一、什么是相變存儲器？

1、簡稱PCM，利用硫族化合物在晶態和非晶態巨大的導電性差異來存儲數據的。

2、存儲原理：在器件單元上施加不同寬度和高度的電壓或電流脈沖信號，使相變材料發生物理相態的變化，即晶態(低阻態)和非晶態 (高阻態)之間發生可逆相變互相轉換，從而實現信息的寫入 (“1”)和擦除(“0”)操作。相互轉換過程包含了晶態到非晶態的非晶化轉變以及非晶態到晶態的晶化轉變兩個過程，其中前者被稱為非晶化過程，后者被稱為晶化過程。然后依靠測量對比兩個物理相態間的電阻差異來實現信息的讀出，這種非破壞性的讀取過程，能夠確保準確地讀出器件單元中已存儲的信息。

二、相變存儲器的特點

1、相變存儲器提高存儲容量的方式有兩種：一種是三維堆疊，還有一種是多值技術。

2、優點

a.高讀寫速度。相變材料結晶速度一般在50ns以下，寫入速度快。與一般NAND和NOR有所不同的是，PCM寫入新數據時不用執行擦除過程。這意味著PCM就可以從存儲器直接執行代碼，不需要將代碼讀入RAM執行，而NAND和NOR則無法直接讀取并運行代碼。

b.壽命長，存儲穩定。PCM是以物質的不同相作為存儲信息的方式，因此只要不超過晶化溫度，一般來說不會丟失數據。由于它存儲數據不牽扯電子轉移等問題，它能執行的穩定讀寫次數可達1012～1015，與之對比MLC NAND和SLC NADA相形見絀，甚至超過了SARM和DRAM的次數。而且PCM具有抗高輻射，強震動，抗電子干擾等特性，因此在軍事和嚴酷條件下也有很大用武之地。

c.工藝簡單，潛力大。與其他一些未來存儲器技術對比，PCM的工藝較為容易實驗。在目前CMOS工藝之上，只需增加2～4次掩膜即可。

d.多態存儲和多層存儲。多態存儲即在同一個存儲單位中存儲多個數據。相變材料最大阻值和最小阻值往往相差幾個數量級，這樣就給多態存儲留下了很大空間。多層存儲是可將多個PCM堆疊起來，形成一個三維的存儲陣列，從而為大容量，小空間，低功耗開辟了新道路。

以上便是對相變存儲器的介紹，大家是否更加了解了呢？相變存儲器是近幾年的研發成果了。這也證明了國內電子技術發展的迅速，是原始創新與產業化的密切配合。當今正處于電子產業的快速發展階段，更加高性能的存儲器將會不斷的出現。

總結

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