設備使用的是4G/5G模塊，插在載板上，sim卡插座也設計在載板上，使用過程中發(fā)現(xiàn)普通sim卡大部分時間能正常使用，測試用的白卡基本上無法使用，模塊返回的log一直刷sim卡處于熱拔插狀態(tài)（拔插拔插拔插…）。

首先懷疑的是模塊兼容性問題，然后用usb轉minipcie的轉接板，接模塊+sim卡，結果是OK的，可以識別。這就把問題點聚焦在載板上了。

熱拔插信息，模塊是通過usim_detection信號檢測的，查看轉接板和載板之間鏈路的區(qū)別，發(fā)現(xiàn)轉接板的該信號是直連，中間未串接任何器件。為了驗證是否未載板上電路的影響，將模塊端det信號串接電阻斷開，上電后sim卡識別OK。

目前基本上可以將問題定位在載板的det電路上，載板上為了支持熱拔插功能，對每路usim信號都接了個TVS管。TVS管選用的是TVS陣列，電路圖如下所示：

TVS芯片內部框圖如下：

發(fā)現(xiàn)了sim卡的電源接到了5pin，作為鉗位電壓使用，而該電壓在使用過程中是有變化的可能，原因可能會在這。于是將前面斷開的電阻恢復，講此處tvs芯片吹掉，上電后sim卡檢測OK，果然問題出在這鳥地方。

測試普通sim卡和白卡的區(qū)別，發(fā)現(xiàn)供電電壓一個是1.8V，一個是3V，模塊是同時支持1.8V和3V的sim卡。

再分析模塊兼容1.8/3V的邏輯，模塊先給sim卡1.8V電壓，如果無法檢測到卡，再給3V電壓，注意，這個切換的過程中，存在1.8V——0V——3V的過程。設備上電后，det信號被外部1.8V電壓拉高，即D7的1pin為1.8V，此時模塊檢測到卡插入，當模塊檢測到1.8V無法使能卡后，將切換成3V供電，這個過程中出現(xiàn)0V，即D7的5pin出現(xiàn)0V，此時1pin為1.8V，TVS管正向導通電壓為<1.2V，此時tvs管正向導通，1pin電壓被拉低至1.2V以下，低于模塊檢測ViHmin，此時將可能被模塊檢測為低電平，認為sim卡被拔出，usim電壓恢復 高于0V。使得模塊重新對sim卡進行識別，于是重復以上過程，導致sim卡一直處于熱拔插狀態(tài)。

目前雖然說microsim和nanosim基本上都使用1.8V供電，但是以上設計使用的鉗位參考電壓不是穩(wěn)定的，存在漏電流風險，導致各信號發(fā)生突變，對中斷信號影響尤其之大，因此需將該電壓接到穩(wěn)定的3.3V或者5VDC上。

總結

以上是生活随笔為你收集整理的SIM卡检测信号故障分析的全部內容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。

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