LDO即low dropout regulator，是一種低壓差線性穩壓器。這是相對于傳統的線性穩壓器來說的。傳統的線性穩壓器，如78XX系列的芯片都要求輸入電壓要比輸出電壓至少高出2V~3V，否則就不能正常工作。但是在一些情況下，這樣的條件顯然是太苛刻了，如5V轉3.3V，輸入與輸出之間的壓差只有1.7v，顯然這是不滿足傳統線性穩壓器的工作條件的。針對這種情況，芯片制造商們才研發出了LDO類的電壓轉換芯片。
壓差Dropout、噪音Noise、電源抑制比（PSRR）、靜態電流Iq，這是LDO的四大關鍵數據。
產品設計師按產品負載對電性能的要求結合四大要素來選擇LDO。
在手機上用的LDO要求盡可能小的噪音（紋波），在沒有RF的便攜式產品需求靜態電流小的LDO。

壓差Dropout

Vin >= Vdrop + Vout。
且一般需要兩個外接電容：Cin、Cout，一般采用鉭電容或MLCC。
注意：LDO是穩壓器。

一般典型的壓差電壓值為50mV，200mV，240mV，400mV。

[1]彭宇. 一種無片外電容的NMOS LDO[D].天津理工大學,2022.
典型壓差電壓值約為82mV;【1.7V-1.2V-82mV】
輸入電壓在1.7-5.5V的范圍時,輸出電壓1.2-5V范圍。

噪音Noise

電源抑制比（PSRR）

一般LDO的電源電壓抑制比在70dB~80dB，少數為58dB左右。

可以看出,低頻時, PSRR為83 dB,頻率為100 kHz時, PSRR仍有30

總結

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