概述

ONFI是Nand Flash的一套公開標準
官網：http://www.onfi.org/

機緣巧合，就看一下
官網有提供PDF下載，最新版本5.0，383頁

上來就看英文實在一頭霧水，最后找到了4.0的中文版
電子發燒友網：http://www.elecfans.com/soft/68/guide/2017/20170727535427.html

后來，還是想先看些入門科普級的
于是在京東讀書上找到了《固態存儲：原理、架構和數據安全》

ONFI 5.0目錄

總體介紹，概念縮寫

對外的物理接口（管腳）

內部的物理結構

數據接口和時序

命令字

組合操作

操作流程

第一章

第二章：管腳

Bing搜了把tsop-48
https://cn.bing.com/search?q=tsop-48&qs=n&form=QBRE&sp=-1&pq=tsop-48&sc=1-7&sk=&cvid=94EEFB7B26BE45B6877E2025ACCAEE7D
很多是賣存儲貼片（？成品）

有些管腳硬件和工藝人員更關注，比如電源等不可變的
有些軟件和驅動人員更關注，比如查詢狀態、控制使能等可變的

所以重點看2.8章：信號描述
像看寄存器手冊一樣，盡力理解每個管腳干啥的

管腳理解

R/B_x_n。O	Ready/Busy。輸出管腳。用于獲取Ready/Busy狀態
RE_x_n(RE_x_t)。I	Read Enable (True)。輸入管腳。用于設置讀模式
RE_x_c。I	Read Enable Complement。輸入管腳。一定場景選用
W/R_x_n。I	Write/Read Direction。輸入管腳。看名字像是可以控制讀寫方向（再進一步怎么玩，沒有項目實踐，還真就不知道）
CE_x_n。I	Chip Enable。輸入管腳。用于多芯片場景，表示選中
…	（后面再慢慢看）

第三章：內部結構

能不能真正入門，就看對這一章節的理解了

一個設備有多個target（用CE_n信號選中）。一個target包含若干個LUN（邏輯單元）LUN是能夠獨立執行CMD和上報狀態的最小單元。特別是，各個獨立的LUN，可以并行執行任意命令序列。 例如，允許在LUN 0上執行Page Program操作，同時在LUN 1上執行Read命令 到3.1.3章節看多LUN操作限制 一個LUN包括至少一個Page寄存器和一個Flash陣列 Page寄存器數量取決于LUN支持的多Plane操作數量 Flash陣列包含若干BlockBlock是LUN Flash陣列中，可擦除數據的最小單元。LUN中的Block數量沒有限制 Block包含若干PagePage是讀寫操作尋址的最小單元。Page包含若干Byte或Word。每個Page的用戶數據Byte數量，不包括額外的數據區，應該是2的N次方。每個Block中的Page數量應該是32的倍數每個LUN應該有至少一個Page寄存器。Page寄存器用于臨時存儲數據，在移到Flash陣列的Page之前，或者在從Flash陣列的Page移出之后Page寄存器中的Byte或Word位置，被稱為Column在這種結構里，有2種機制實現并行。同時會有多個CMD到不同的LUN。為了進一步在一個LUN中實現并行，多Plane操作可能用于執行額外的并行依賴操作

第四章：數據接口和時序

ONFI支持5種不同的數據接口類型：SDR、NV-DDR、... SDR數據接口是傳統的NAND接口，使用RE_n去鎖定數據讀取，WE_n去鎖定數據寫入，不包括時鐘 NV-DDR數據接口雙倍數據數率，包括標識鎖定哪些命令字和地址的一個時鐘，標識鎖定哪個數據的一個數據閘門 ...

第五章：CMD定義

表5-1概述ONFI的命令集第一個CMD周期的指定值，表示將要執行的CMD。有些CMD有第二個CMD周期，表5-1有指定。通常，CMD有第二個CMD周期的，都有一個地址

第六章：多平面操作

LUN支持多平面讀取、寫和擦除操作。多平面操作是指向同一LUN上的不同Block發出相同類型的多個命令。有關解決多平面操作的限制，請參見第5.7.1.27節。多平面操作有兩種方法：并行操作和重疊操作。 在執行多平面操作時，這些操作/功能應為相同的類型。可用于多平面操作的功能有： - 寫Page - Copyback方式的讀和寫 - 塊擦除 - 寫

第七章：操作流程

7.1.目標操作流程 目標狀態機描述了與目標一起操作時允許的序列。如果沒有一個弧為真，則目標仍處于當前狀態。7.1.1.變量 本節描述了在目標狀態機中使用的變量。tbStatusOut 當數據讀取周期應該返回狀態值時，此變量被設置為TRUE。此變量的上電值為FALSE。tbChgCol 允許使用“Change Read Column”更改列時，將此變量設置為TRUE。此變量的上電值為FALSE。tbChgColEnh 當允許使用“Change Read Column Enhanced”更改列時，將此變量設置為TRUE。此變量的上電值為FALSE。tCopyback 如果目標正在發出Copyback命令，則此變量設置為TRUE。此變量的上電值為FALSE。tLunSelected 此變量包含主機當前選擇的LUN。此變量的上電值為0。tLastCmd 此變量包含目標所接收到的最后一個命令的第一個周期（除了70h/78h）。tReturnState 此變量包含狀態操作后要返回的狀態。tbStatus78hReq 當下一個狀態操作應為78h命令(而不是70h命令)時，此變量被設置為TRUE。此變量的上電值為FALSE。

其它網文參考

• NAND FLash基礎概念介紹
  https://www.cnblogs.com/yfceshi/p/6854968.html

• Nand Flash數據存儲單元的整體架構
  https://www.cnblogs.com/yfceshi/p/6854968.html

總結

以上是生活随笔為你收集整理的ONFI协议研究的全部內容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。

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